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本发明涉及电子材料制作领域，尤其是指一种金属氧化物薄膜场效应晶体管有源层的制备方法，其步骤包括：A：将由金属盐、粘合剂和有机溶剂形成的前驱体，利用静电纺丝技术将所述前驱体喷射至接收板上；B:将步骤A所述的前驱体置于马弗炉中400～800℃煅...该专利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所授权不得商用。
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本发明涉及电子材料制作领域，尤其是指一种金属氧化物薄膜场效应晶体管有源层的制备方法，其步骤包括：A：将由金属盐、粘合剂和有机溶剂形成的前驱体，利用静电纺丝技术将所述前驱体喷射至接收板上；B:将步骤A所述的前驱体置于马弗炉中400～800℃煅...