一种半导体器件以及一种层叠制造技术

本申请涉及一种半导体器件以及一种层叠。具体地，其公开了一种半导体器件及其制造方法，其中电连接元件(7)外围由封装材料(10)涂覆并且具有与模制膜(107)接触的区域(107a)对应的暴露端面(7a)。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体器件领域。
技术介绍
已知如下半导体器件，这些半导体器件包括衬底裸片、装配在这ー衬底裸片的ー侧上的集成电路芯片以及覆盖这ー侧的封装集成电路芯片的块。为了形成到集成电路芯片侧的外部电连接，在封装块中提供孔，然后在这些孔中沉积焊料小滴。这ー过程具有以下弊端使用激光来制作孔需要很长时间；必须清洁孔以便防止在焊料小滴与衬底裸片的迹线或者焊盘之间的不良电接触；以及当需要在孔之间的小间距时并且当孔很小时，涂敷小的焊料小滴因而带来实际困难。所有这些造成昂贵的半导体器件。
技术实现思路
本技术的目的是避免上述弊端。提供一种半导体器件，该半导体器件包括具有第一和第二相対的侧的半导体裸片、布置在衬底裸片的第一侧上的至少ー个集成电路芯片和外部电连接元件；以及封装块，至少涂覆所述集成电路芯片的外围并且涂覆电连接元件的外国，使得电连接元件具有暴露端面。封装块和电路芯片可以具有在与衬底裸片的第一侧平行的共同平面中延伸的外部表面。衬底裸片可以包括用于将ー侧电连接到另ー侧、有选择地连接到所述集成电路芯片和所述外部电连接元件的网络。也提供了一种层叠，该层叠包括前述半导体器件，以及包括连接到所述外部电连接元件本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于，其包括：具有第一和第二相对的侧(3，4)的半导体裸片(12)、布置在所述衬底裸片的第一侧上的至少一个集成电路芯片(5)和外部电连接元件(7)；以及封装块(10)，至少涂覆所述集成电路芯片的外围并且涂覆所述电连接元件的外围，使得所述电连接元件具有暴露端面(7a)，所述封装块(10)和所述电路芯片(5)具有在与所述衬底裸片的第一侧平行的共同平面中延伸的外部表面(11、12)。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：P·劳伦特，
申请(专利权)人：意法半导体格勒诺布尔二公司，
类型：实用新型
国别省市：