硅晶片蚀刻废水处理系统技术方案

本实用新型专利技术涉及一种硅晶片蚀刻废水处理系统，所述硅晶片蚀刻废水处理系统包括：A)与工作槽相连通以接收工作槽中的蚀刻废水从而分离出固体Si和残余废液的固液分离装置；B)用于接收所述残余废液的酸再生与硅再生系统，所述酸再生与硅再生系统与所述固液分离装置相连通；C)与所述酸再生与硅再生系统相连通以接收所述酸再生与硅再生系统导出的含固体Si、气体HF及多余H2SiF6溶液的混合物的减压蒸馏装置，所述减压蒸馏装置还与所述固液分离装置相连通；及D)与所述减压蒸馏装置以及工作槽相连通的酸性吸收塔。本实用新型专利技术实现了硅晶片蚀刻废水循环利用，从而减少酸腐蚀溶液的消耗，消除酸腐蚀废液的产生并避免有毒废气的排放，从而提供保护环境并提高了经济效益。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及化学腐蚀废物体系的处理系统，具体地讲，涉及一种硅晶片蚀刻废水处理系统。
技术介绍
在太阳能电池生产工艺一般分为扩散前清洗(制绒)、扩散、扩散后清洗、蚀刻、PECVD、丝网印刷、烧结、分类检测和封装，其中制绒工序的主要作用是去除硅片表面切割损伤层，形成陷光结构的表面绒面结构；蚀刻的主要作用是去除扩散后硅片四周的N型硅，以防漏电，目前，一般采用干法和湿法两种蚀刻方法。制绒工序和湿法蚀刻通常使用包括氢氟酸和硝酸等的混合酸的酸腐蚀，和利用氢氧化钠、氢氧化钾等碱的碱清洗。酸腐蚀的原理是 先用HNO3将硅氧化生产SiO2，然后再通过HF去除SiO2，其中的化学反应方程式如下3Si+4HN0s — 3Si02+4N0+2H20Si02+6HF — H2SiF6+2H20其中蚀刻溶液还对太阳能电池表面进行抛光和清洁，一般将蚀刻液喷射在太阳能电池上或将太阳能电池浸入蚀刻溶液中。中国专利申请201010577683. 9公开了一种硅晶片的腐蚀废水处理以及处理设备，具体公开了用氢氧化钠水溶液蚀刻硅晶片时所排出的废水的处理方法以及处理系统，包括向该蚀刻废水中添加酸而析出二氧化硅并对二氧化硅进行固本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅晶片蚀刻废水处理系统，其特征在于，所述硅晶片蚀刻废水处理系统包括：A)与工作槽相连通以接收工作槽中的蚀刻废水从而分离出固体Si和残余废液的固液分离装置；B)用于接收所述残余废液的酸再生与硅再生系统，所述酸再生与硅再生系统与所述固液分离装置相连通；C)与所述酸再生与硅再生系统相连通以接收所述酸再生与硅再生系统导出的含固体Si、气体HF及多余H2SiF6溶液的混合物的减压蒸馏装置，所述减压蒸馏装置还与所述固液分离装置相连通；及D)与所述减压蒸馏装置以及工作槽相连通的酸性吸收塔。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：施道可，范琼，潘加永，蒋丽，C·贝尔瑙尔，
申请(专利权)人：库特勒自动化系统苏州有限公司，无锡尚德太阳能电力有限公司，
类型：实用新型
国别省市：