【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及处理参数的检测,并且尤其涉及传感器在封闭式处理空间内的配置。本专利技术在等离子体处理参数的检测中具有特别的适用性。
技术介绍
等离子体处理系统被广泛地用于处理基板。例如,在半导体制造中硅晶圆的蚀刻和在太阳能电池的制造中层片的沉积。等离子体应用的范围很宽,还包括等离子体增强化学气相沉积、抗剥离操作和等离子体蚀刻。为了减少处理开发时间和增加处理控制,以及为了故障检测和解决,在工业界存在一种需求在等离子体处理中配置传感器以测量作为位置和时间的函数的关键处理参数。这些应用常常要求在处理区域内带有多个传感器的分布的空间映射。 最近几年中,已经提出了许多使用现场的和基本上是实时的检测仪器和测量法获得随着位置和时间变化的数据的方法。US5, 746,513公开了一种温度校准基板,带有位于所述基板的基板表面下方的空腔以及被布置于该空腔中用来测量该基板的温度的热电偶。该空腔包括空腔开口、内圆周,以及长度。热量转移装置被布置在热电偶和空腔的内圆周之间的空腔装置中,用来把热量从基板转移到热电偶。该空腔被塑形以允许紧邻该基板放置该热电偶,且该热电偶被基本上挨着该空腔的内圆 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:保罗·斯卡林,大卫·加恩,多纳尔·奥沙利文,
申请(专利权)人:安平丹斯有限责任公司,
类型:
国别省市:
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