配线基板的镀覆方法、镀覆配线基板的制法以及银蚀刻液技术

本发明专利技术涉及配线基板的镀覆方法、镀覆配线基板的制法及银蚀刻液。一种具有导电图案的配线基板的镀覆方法，该图案在外表面露出至少含有银和铜的金属层，该方法可抑制导电图案以外的部分的镀覆析出、且可在导电图案的表面形成良好的镀层，具有：将配线基板用含有氧化剂的第1处理液处理的(A)工序；将经过(A)工序的配线基板用溶解氧化铜的第2处理液处理由此从导电图案表面将氧化铜去除的(B)工序；将经过(B)工序的配线基板用第3处理液处理由此从导电图案表面将氧化银去除的(C)工序，所述第3处理液在25℃下溶解氧化银(I)的速度为在25℃下溶解铜(0)的速度的1000倍以上；在经过(C)工序的配线基板的导电图案上施行化学镀的(D)工序。

【技术实现步骤摘要】
配线基板的镀覆方法、镀覆配线基板的制法以及银蚀刻液
本专利技术涉及用于安装半导体元件等电子元件的配线基板，更详细而言，涉及配线基板的镀覆方法、镀覆配线基板的制造方法、以及银蚀刻液。
技术介绍
半导体元件等电子元件通常安装在配线基板上。配线基板通常具有绝缘性基材和导电图案。作为能够用于配线基板的绝缘性基材，已知除了电木等树脂材料、用酚醛树脂将纸加固的纸酚醛材料、用环氧树脂将玻璃纤维加固的玻璃环氧材料等浸透式材料以外，还有陶瓷、以及玻璃等。配线基板上安装的电子元件、尤其是半导体元件的发热量随着半导体元件的高性能化而增大。因此，期望配线基板由热导率更高、具有散热性的材料形成。作为有高导热性的配线基板材料，大多使用以氧化铝烧结体为代表的陶瓷基板。最近也探讨了使用比氧化铝烧结体热导率更高的氮化铝烧结体。为了使用以该氮化铝烧结体为代表例的氮化物陶瓷烧结体基板来制造配线基板，必须在氮化物陶瓷烧结体的表面形成金属配线。作为形成金属配线的方法，有将金属糊剂涂布后焙烧的厚膜法、以及通过蒸镀形成金属薄膜的薄膜法等。其中，在需要散热性的用途中，需要大量电流的情况多，由于通过薄膜法形成的膜厚对能通过的电流有限本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种配线基板的镀覆方法，其为在具有绝缘性基材和导电图案的配线基板的所述导电图案上施行镀覆的方法，所述导电图案在最外层具有至少含有银和铜的金属层，其特征在于，该方法具有以下工序：将所述配线基板用含有氧化剂的第1处理液处理的(A)工序；将经过所述(A)工序的所述配线基板用溶解氧化铜的第2处理液处理，由此从所述导电图案表面将氧化铜去除的(B)工序；将经过所述(B)工序的所述配线基板用第3处理液处理，由此从所述导电图案表面将氧化银去除的(C)工序，所述第3处理液在25℃下溶解氧化银(I)的速度为在25℃下溶解铜(0)的速度的1000倍以上；在经过所述(C)工序的所述配线基板的导电图案上施行化学镀的(D...

【技术特征摘要】
2011.06.30 JP 2011-1466601.一种配线基板的镀覆方法，其为在具有绝缘性基材和导电图案的配线基板的所述导电图案上施行镀覆的方法，所述导电图案在最外层具有至少含有银和铜的金属层，其特征在于，该方法具有以下工序：将所述配线基板用含有氧化剂的第1处理液处理的(A)工序；将经过所述(A)工序的所述配线基板用溶解氧化铜的第2处理液处理，由此从所述导电图案表面将氧化铜去除的(B)工序；将经过所述(B)工序的所述配线基板用第3处理液处理，由此从所述导电图案表面将氧化银去除的(C)工序，所述第3处理液在25℃下溶解+I价的氧化银的速度为在25℃下溶解0价的铜的速度的1000倍以上；在经过所述(C)工序的所述配线基板的导电图案上施行化学镀的(D)工序。2.根据权利要求1所述的配线基板的镀覆方法，其特征在于，所述(D)工序具有：在所述配线基板的导电图案上施行化学镀镍的(D1)工序；在经过所述(D1)工序的所述配线基板的导电图案上施行化学镀贵金属的(D2)工序。3.根据权利要求1或2所述的配线基板的镀覆方法，其特征在于，所述第1处理液为包含选自高锰酸盐和重铬酸盐中的至少一种的水溶液。4.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：潮田会美，今井彻郎，
申请(专利权)人：株式会社德山，
类型：发明
国别省市：