一种多晶硅铸锭用陶瓷坩埚免烧结涂层制备方法技术

本发明专利技术公开了一种多晶硅铸锭用陶瓷坩埚免烧结涂层制备方法，（1）悬浊液的配制：悬浊液是由15%-25%的氮化硅，70%-80%的去离子水和1%-5%的聚乙烯吡咯烷酮PVP制成的；将去离子水倒入搅拌器内，再将氮化硅缓缓加入去离子水中，搅拌后，再将聚乙烯吡咯烷酮PVP置于搅拌器内进行搅拌，搅拌15-20分钟使悬浊液均匀。（2）涂层的制备：将搅拌好的悬浊液喷涂到坩埚内壁上，将喷涂完成后的坩埚常温下晾干或者在旋转加热器上在70—100℃的温度下保温0.5-2小时。使用该方法形成的氮化硅涂层与坩埚内壁粘附力强，脱落、起泡的几率低，提高了多晶硅铸锭的成品率，降低了铸锭成本，提高了生产效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于太阳能多晶硅铸锭领域，涉及ー种多晶硅铸锭用陶瓷坩埚免烧结涂层制备方法。
技术介绍
根据2011年8月份Solarbuzz报告，55%的终端用户装机总容量是基于多晶硅片，说明多晶硅太阳能电池已经占据了光伏市场大半壁江山。与单晶硅片相比，尽管多晶硅片的电池转换效率比较低，但其生产成本远低于单晶硅片，考虑到成本和效益，目前大部分终端用户均会选择成本较低的多晶硅太阳能电池。多晶硅片制造过程中很重要的一个环节就是多晶硅铸錠。多晶硅铸锭过程是将外观不规则的多晶硅原料盛放于坩埚中，在多晶硅铸锭炉中实现加热、熔化、长晶、退火、冷却 等步骤，最終生长成形状规则、晶粒较大的多晶硅錠。多晶硅铸锭使用的坩埚是高纯ニ氧化硅陶瓷坩埚，而多晶硅铸锭是在高温下完成的，为防止在高温下ニ氧化硅与多晶硅料发生反应，引起多晶硅锭脱模困难、硅锭裂锭、氧含量増加等现象，人们一般在坩埚内部涂覆ー层氮化硅涂层。氮化硅在高温下(1900°C )性能稳定、不与ニ氧化硅、硅发生反应，从而有效隔离了熔融硅与陶瓷坩埚，提高多晶硅锭的脱模能力，防止ニ氧化硅中的氧通过反应、扩散到多晶硅锭中，避免坩埚对硅锭的污染。当前，多晶硅铸锭本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅铸锭用陶瓷坩埚免烧结涂层制备方法，其特征在于：其包括以下步骤：（1）悬浊液的配制：悬浊液是由以下材料制成的，按照重量百分比计算，15%？25%的氮化硅，70%？80%的去离子水和1%？5%的聚乙烯吡咯烷酮PVP；将所述量的去离子水倒入搅拌器内，再将所述量的氮化硅缓缓加入去离子水中，快速搅拌15分钟后再慢速搅拌15分钟，然后将所述量的聚乙烯吡咯烷酮PVP置于搅拌器内进行搅拌，搅拌15？20分钟使悬浊液均匀备用；（2）涂层的制备：将坩埚放在旋转加热器上进行加热，坩埚干燥后用上述所述悬浊液喷涂，喷涂时，坩埚温度控制在50～90℃，喷枪与坩埚内壁的喷涂距离控制在25？30cm之间，喷涂过程中...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘晓兵，吴红霞，贾娇娇，金浩，
申请(专利权)人：光为绿色新能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：