一种以MgO为缓冲层的钛酸锶钡薄膜的制备方法技术

本发明专利技术属于电子材料领域，尤其涉及一种钛酸锶钡薄膜的制备方法。本发明专利技术提供一种钛酸锶钡薄膜的制备方法，包括如下步骤：a、配制MgO前驱体溶液；b、配制BaxSr1-xTiO3前驱体溶液，x=0.4~0.9；c、将基片清洗干净后烘干；d、在步骤c获得的基片上，使用MgO前驱体溶液进行一次以上的旋转涂覆，得到第一层薄膜；e、在步骤d获得的第一层薄膜上，使用BaxSr1-xTiO3前驱体溶液进行一次以上旋转涂覆；f、将步骤e得到的薄膜进行退火，即得钛酸锶钡薄膜。本发明专利技术制备的钛酸锶钡铁电薄膜具有较低的介电损耗和较高介电常数的特点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电子材料领域，尤其涉及一种钛酸锶钡薄膜的制备方法。
技术介绍
铁电薄膜是指具有铁电性且厚度尺寸为数十纳米到数微米的薄膜材料，它具有良好的铁电性、压电性、热释电性等特性，可广泛应用于微电子学、光电子学、微电子机械系统等领域，是目前研究的热点之一。其中，钛酸锶钡(BST)基铁电材料具有较好的介电性能和随外加电场变化连续可调的介电常数，被广泛应用于电子陶瓷领域，特别是在微波器件领域有较好的发展前景。但对于微波领域中的关键器件如移相器、滤波器来说，合适的介电常数、较低的介电损耗是较为重要的材料性能参数，因此如何提高BST材料的性能以满足实际需求受到越来越多材料研究工作者的重视。 近年来，人们对BST薄膜进行掺杂以改善其介电性能，并取得了一定的进展。研究发现掺入Mg后BST薄膜的介质损耗、绝缘性都得到了改善；在BST薄膜中掺入Mn后可调性得到显著的增加；掺入Fe和Ni可以显著提高BST薄膜的介电常数。为了减小BST薄膜的损耗，提高薄膜的取向度，研究者们已经做了很多工作。WC SHIH小组利用磁控溅射的方法在Si片上制备出有MgO缓冲层的高取向钛酸钡薄膜，参阅 Japanese 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种钛酸锶钡薄膜的制备方法，包括如下步骤：a、配制MgO前驱体溶液；b、配制BaxSr1？xTiO3前驱体溶液，x=0.4~0.9；c、将基片清洗干净后烘干；d、在步骤c获得的基片上，使用MgO前驱体溶液进行一次以上的旋转涂覆，得到第一层薄膜；e、在步骤d获得的第一层薄膜上，使用BaxSr1？xTiO3前驱体溶液进行一次以上旋转涂覆；f、将步骤e得到的薄膜进行退火，即得钛酸锶钡薄膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：翟继卫，边延龙，王辉，
申请(专利权)人：同济大学，
类型：发明
国别省市：