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本发明属于电子材料领域，尤其涉及一种钛酸锶钡薄膜的制备方法。本发明提供一种钛酸锶钡薄膜的制备方法，包括如下步骤：a、配制MgO前驱体溶液；b、配制BaxSr1-xTiO3前驱体溶液，x=0.4~0.9；c、将基片清洗干净后烘干；d、在步骤c...
该专利属于同济大学所有，仅供学习研究参考，未经过同济大学授权不得商用。

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