【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微电子材料和异质结构半导体
技术介绍
由于其具有的优良铁电、压电、表面声波及非线性光学等性能，铌酸锂(LiNbO3或LN)晶体已成为应用最为广泛的无机材料之一。随着微电子器件小型化和集成度的不断提高，近些年来对LN材料的研究逐渐由单晶块材向薄膜化方向发展。其中，相对其它铁电薄膜材料，LN与Si半导体之间的界面具有更低的界面态密度。因此，有效实现LN多功能薄膜与Si半导体的集成将大大有利于研制新型的半导体电子器件。LN材料具有多种取向的晶格结构，但C轴或(006)LN薄膜最受关注。这主要是因为C轴的LN薄膜具有最大的极化和压电性能。但由于二者之间存在巨大的晶格结构差异，在Si表面直接生长具有C轴取向的LN薄膜是非常困难的。在此种条件下，合适的缓冲层的引入是Si半导体表面生长C轴 LN薄膜非常有效的方法。在相关报道中，多种缓冲层材料已被用于制备C轴LN薄膜，包括MgO, SiO2, Si3N4, ZnO等。在这些缓冲层材料中，ZnO更为理想。与其它缓冲层材料相比较，通过ZnO层的缓冲作用，获得C轴LN薄膜的沉积温度更低。较低的生长温度可以有效...
【技术保护点】
铁电薄膜/缓冲层/半导体集成器件，其特征在于，包括半导体衬底基片和铁电薄膜，衬底基片和铁电薄膜之间设置有纳米缓冲层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：朱俊，郝兰众，吴志鹏，李言荣，张万里，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：
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