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铁电薄膜/缓冲层/半导体集成器件及制备方法，涉及微电子材料和异质结构半导体技术领域。本发明包括半导体衬底基片和铁电薄膜，衬底基片和铁电薄膜之间设置有纳米缓冲层。本发明具有不同ZnO缓冲层厚度的异质结构表现出不同的电容-电压回线特征。...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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