【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及,属于II -VI族化合物半导体薄膜材料领域。
技术介绍
締锌镉,英文名称cadmium zinc telluride, CdZnTe,简写为CZT,是近年发展起来的一种性能优异的新型室温半导体探测器材料。由于其电阻率高、原子序数大(48 52)、量子效率高、电荷传输性能优异及禁带宽度大等物理特性非常适合制成X、Y射线探测器,可广泛应用于天文、医学、工业、军事等领域。然而,由于碲锌镉晶体离子性强,热导率较低,空位、孪晶等缺陷的形成能低,获得大面积均匀碲锌镉单晶材料非常困难,限制了它在核医学和医用CT成象方面的应用。与生长大尺寸碲锌镉单晶相比,碲锌镉薄膜制备工艺相对简 单,成本低,易实现批量化生产;热性能好,强度高,可以实现高浓度掺杂;由于薄膜材料中表面和介面所占的相对比例较大,具有特殊的光、电效应;能根据器件要求制成所需的形状和大小;可以制造大尺寸、多层和多功能叠层结构;可以制成大的片状/板状探测器,给电光器件的设计带来广阔的发展空间。碲锌镉薄膜的制备一直是人们关注的热点问题,因为这直接关系到了材料的后续应用。目前已经报道的制备方法主要有化学沉积法 ...
【技术保护点】
一种金属铝诱导多晶碲锌镉薄膜的制备方法,其特征在于它按下述步骤进行:(a)将衬底ITO玻璃用丙酮超声清洗15~30分钟,再用质量浓度为99.5%的乙醇超声清洗15~30分钟,最后用去离子水清洗15~30分钟;(b)再将(a)项清洗的底板ITO玻璃在真空度为1.0×10?4~9.9×10?4帕的条件下,加热至100~300℃,通入氩气,压强为3~5帕时,进行反溅清洗10~20分钟;(c)在碲锌镉晶体靶上的功率为60~120瓦、氩气流量为10?50毫升/分钟、压强为1~3帕的条件下,施加溅射功率起辉,对(b)项处理的ITO玻璃表面镀碲锌镉先驱薄膜10~60分钟;(d)在金属铝靶 ...
【技术特征摘要】
1.一种金属铝诱导多晶碲锌镉薄膜的制备方法,其特征在于它按下述步骤进行 (a)将衬底ITO玻璃用丙酮超声清洗15 30分钟,再用质量浓度为99.5%的乙醇超声清洗15 30分钟,最后用去离子水清洗15 30分钟; (b)再将(a)项清洗的底板ITO玻璃在真空度为I.0X10_4 9. 9X10_4帕的条件下,加热至100 300°C,通入氩气,压强为3 5帕时,进行反溅清洗10 20分钟; (c)在締锌镉晶体祀上的功率为60 120瓦、IS气流量为10-50晕升/分钟、压强为I 3帕的条件下,施加溅射功率起辉,对(b)项处理的ITO玻璃表面镀碲锌镉先驱薄膜10 60分钟; Cd)在金属招祀上的派射功率为60 200瓦、IS气流量为10-50晕升/分钟、压强为I 3帕条件下,对(C)项...
【专利技术属性】
技术研发人员:曾冬梅,周海,潘松海,杨英歌,
申请(专利权)人:北京石油化工学院,
类型:发明
国别省市:
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