具有抛光的敏感面的稀土卤化物晶体的闪烁体制造技术

本发明专利技术涉及包含至少50重量%的稀土卤化物并包含抛光的第一面的单晶闪烁体材料。将该材料集成到包含光敏接收器的电离辐射检测器中，该光敏接收器任选通过除抛光的第一面之外的面耦合到该材料上。该材料提供良好的能量分辨率和高光强度。无论晶体的晶体取向如何，都可以实施该抛光。因此防止了取向导致的材料损耗。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有抛光的敏感面的稀土卤化物晶体的闪烁体本专利技术涉及包含稀土卤化物的闪烁体领域，用于检测低能X射线和Y射线和电离粒子。电离辐射(包括电离粒子，特别例如质子、中子、电子、a粒子、离子，以及X射线或Y射线)通常使用单晶闪烁体检测，单晶闪烁体将入射辐射转化为光，光随后用光敏接收器，如光电倍增管转换为电信号。所用闪烁体尤其是掺杂铊的碘化钠(下文中称为NaI CTl))、掺杂钠或铊的碘化铯或掺杂镨或铈的卤化镧的单晶。基于卤化镧的晶体一直是近期工作的对象，如 US 7067815、US 7067816、US 05/188914、US 06/104880 和 US07/241284中公开的那些。这些晶体在光强度与分辨率方面大有前途，但是由于它们的吸湿性，必须小心它们。X射线、Y射线和低能粒子常规上通过闪烁体晶体检测，其最广泛使用的是NaI (Tl)。由于要分析的辐射(射线或粒子)的性质——仅浅浅地穿透物质，晶体表面处的前几个原子层至关重要。这些层必须正确地再现与该表面的工作不相容的晶格。在现有 技术中，因此将晶体解理以产生使下方的晶体结构保持完整的表面。因此，解理(surfacecliv6e)表面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2009.12.28 FR 09596201.单晶闪烁体材料，包含至少50重量％的稀土卤化物，其特征在于其包含第一面，所述第一面精细抛光至足以使得当所述抛光的第一面暴露于来自5. 9KeV下的Fe55源的辐射时能量分辨率PHR低于55%。2.如前述权利要求所要求保护的材料，其特征在于所述稀土卤化物是氯化物或溴化物。3.如前述权利要求之一所要求保护的材料，其特征在于所述稀土是镧。4.如前述权利要求之一所要求保护的材料，其特征在于所述稀土卤化物是掺杂镨或铈的溴化镧或氯化镧。5.如前述权利要求之一所要求保护的材料，其特征在于在抛光结尾用直径为4厘米或更小的粒子抛光所述抛光的第一面。6.如前述权利要求所要求保护的材料，其特征在于在抛光结尾用直径为3厘米或更小的粒子抛光所述抛光的第一面。7.如前述权利要求所要求保护的材料，其特征在于在抛光结尾用直径为2厘米或更小的粒子抛光所述抛光的第一面。8.如前述权利要求之一所要求保护的材料，其特征在于在抛光结尾用磨料粒子与醇的混合物抛光所述抛光的第一面。9.如前述权利要求所要求保护的材料，其特征在于所述醇含有O.01至I重量％的水。10.如前述权利要求之一所要求保护的材料，其特征在于所述抛光的第一面精细抛光至足以使得当所述抛光的第一面暴露于来自5. 9KeV下的Fe55源的辐射时能量分辨率PHR低于50%ο11.如前述权利要求之一所要求保护的材料，其特征在于所述抛光的第一面精细抛光至足以使得当所述抛光的第一面暴露于来自5. 9KeV下的Fe55源的辐射时峰-谷比P/V为35%或更高。12.如前述权利要求所要求保护的材料，其特征在于所述抛光的第一面精细抛光至足以使得当所述抛光的第一面暴露于来自5. 9KeV下的Fe55源的辐射...

【专利技术属性】
技术研发人员：G戈蒂埃，D里绍，P香浦，
申请(专利权)人：圣戈班晶体及检测公司，
类型：
国别省市：