放射线图像检测装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及放射线图像检测装置及其制造方法。本发明专利技术的制造放射线图像检测装置的方法包括：将包含用于响应放射线照射而发射荧光的荧光材料的荧光体结合至以在基底上布置多个光电转换元件的方式构造的传感器面板；将布线构件连接至设置在所述传感器面板的与所述荧光体相对的正面上并电连接至所述光电换转元件的连接部；用第一保护膜覆盖连接至所述布线构件的所述连接部；将基底从其中形成所述第一保护膜的所述传感器面板中剥离；以及用具有防湿性能的第二保护膜至少覆盖在从所述传感器面板剥离所述基底时暴露的传感器部的背面中的与所述连接部对应的部分。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及ー种。
技术介绍
近年来，在实践中使用采用FPD (平板探測器)以检测放射线图像并产生数字图像数据的放射线图像检测装置，并因为与常规成像板的情况相比能够即时检查图像而迅速普及。提出了各种类型的这种放射线图像检测装置。其实例为间接转换型。间接转换型放射线图像检测装置具有由用于响应放射线曝光而发射荧光的荧光材料如CsI构造的闪烁体；和以在基底上ニ维布置多个光电转换元件的方式构造的传感器面板。通过闪烁体将透过摄影物体(image-taking object)的放射性转换成光 。然后，在传感器面板中通过光电转换元件将源自闪烁体的荧光转换成电信号。所述传感器面板具有电连接至光电转换元件的连接部。上述电信号通过连接至该连接部的布线构件而输出到外部。另外，还提出了所谓的正面读取(ISS :照射侧采集)型放射线图像检测装置，其通过改进间接转换型的放射线图像检测装置，使得放射线从传感器面板侧入射而获得(例如，參见专利文献1(日本特开平7-27864号公报))。根据这种放射线图像检测装置，在传感器面板附近发射的闪烁体的荧光强度增加并因此提高了灵敏度。这减少了用于检测放射线图像所必要的曝光量，并因此減少了摄影物体的曝光量。另外，还提出一种技术，所述技术以柱状晶体群的形式来构造闪烁体，所述柱状晶体通过气相沉积等使荧光材料如CsI晶体生长成柱形而获得(例如，參见专利文献2 (日本特开2011-017683号公报))。通过气相沉积形成的柱状晶体不包含杂质如粘合剤，并另外提供沿晶体生长方向引导发射的荧光的光导效应并因此抑制荧光的扩散。这提高了放射线图像检测装置的灵敏度并提高了图像的锐度。在此，在ISS型放射线图像检测装置中，放射线透过传感器面板的基底并然后入射到闪烁体中。所述传感器面板的基底通常由玻璃构成。然而，玻璃以很多量吸收放射线。这引起入射到闪烁体中的放射线衰减的担忧。因此，在专利文献I中所述的放射线图像检测装置中，所述传感器面板的基底由放射线吸收能力比玻璃低的树脂片构成。或者，即使当使用玻璃时，也采用薄至几个IOOiim等的玻璃片。
技术实现思路
在ISS型放射线图像检测装置中，当除去传感器面板的基底吋，进ー步抑制了入射到闪烁体中的放射线的衰减。然而，在剥离基底时，负载作用于传感器面板的连接部和布线构件之间的连接部分上。这引起连接部从布线构件中剥离的担忧。另外，当剥离基底吋，损失了由基底获得的防湿效果。这引起了连接部中的腐蚀的担忧。考虑到上述情况而设计了本专利技术。本专利技术的目的是提供ー种具有令人满意的敏感度和令人满意的耐久性的放射线图像检测装置。根据本专利技术的ー个方面，放射线图像检测装置包含荧光体，其包含响应放射线照射而发射荧光的荧光材料；和薄膜型传感器部，其与所述荧光体的放射线入射侧邻接设置并由所述荧光体支持，并且其中以ニ维布置用于检测由所述荧光体发射的荧光的多个光电转换元件，其中所述传感器部包含设置在与所述荧光体相対的正面上并电连接至所述光电换转元件的连接部；和连接至所述连接部的布线构件，并且所述放射线图像检测装置I还包含第一保护膜，其至少覆盖除所述传感器部的背面之外的连接至所述布线构件的所述连接部；和防湿性第二保护膜，其至少覆盖所述传感器部的所述背面上的与所述连接部对应的部分。在所述构造的情况下，在薄膜型传感器部中，剥离支持传感器部的基底并因此由荧光体支持传感器部。这避免了通过基底吸收放射线，并因此避免了入射到闪烁体中的放射线的衰減。因此，提高了放射线图像检测装置的敏感度。另外，因为用第一保护膜覆盖连接至布线构件的连接部，所以即使当基底剥离造成对连接部和布线构件之间的连接部分的负载时，也避免了两者的剥离。另外，在剥离基底时暴露的传感器部的背面中，通过第二保护膜覆盖与连接部对应的部分。这抑制了由湿气引起的连接部中的腐蚀，并因此提高了耐久性。附图说明图I是示意性示出用于描述本专利技术实施方式的放射线图像检测装置的实例的构造的图。图2是示意性示出图I中所示的放射线图像检测装置的检测部的构造的图。图3是示意性示出图2中所示的检测部的荧光体的构造的图。图4是示出沿IV-IV线获得的图3中所示的荧光体的横截面的图。图5是示出沿V-V线获得的图3中所示的荧光体的横截面的图。图6是示意性示出图2中所示的检测部的传感器部的构造的图。图7A至7E是示意性示出用于图2中所示的检测部的制造过程的图。图8是示意性示出对图6中所示的检测部的修改的构造的图。具体实施例方式图I示出了用于描述本专利技术实施方式的放射线图像检测装置的实例的构造。图I中所示的放射线图像检测装置为便携式放射线图像检测装置(下文中，称为盒)。所述盒I具有用于检测放射线的检测部2 ;用于控制检测部2的操作并基于由所述检测部2检测的放射线而产生图像的控制部3 ;和用于容纳所述检测部2和所述控制部3的壳体4。在所述壳体4中，在堆叠于检测部2上的顶板5上放置试验对象(例如，患者的摄影对象部位)。然后，向试验对象照射的放射线透过顶板5并然后入射到检测部2中。因此，所述顶板5由具有低放射线吸收能力的材料构成，并且通常由碳纤维增强的塑料或铝制造。所述检测部2具有用于响应放射线曝光而发射荧光的闪烁体(荧光体)10 ;和用于检测由闪烁体10发射的荧光的传感器部11、所述闪烁体10独立于传感器部11而构造，并形成在支持体13上。然后，在闪烁体10中，将在与支持体13相反的侧上的表面隔着用于光学连接两种材料的树脂层14而结合至传感器部11。在通过堆叠如上所述的支持体13、闪烁体10和传感器部11而构造的检测部2中，将传感器部11侧的表面隔着胶粘层16而结合至顶板5。本例的盒I为ISS型的放射线图像检测装置。然后，入射到检测部2中的放射线透过传感器部11并然后入射到闪烁体10中。在放射线入射的闪烁体10中产生荧光。然后，通过传感器部11检测在此发射的荧光。以高强度发射荧光的闪烁体10的放射线入射侧与传感器部11邻接设置。这提高了敏感度。图2示出了盒I的检测部2的构造。图3示意性地示出了检测部2的闪烁体10的构造。用于构成闪烁体10的可用的荧光材料包括CsI = Tl(铊活化的碘化铯)、NaI:Tl (铊活化的碘化钠)、和CsI:Na(钠活化的碘化铯)。其中，从发射光谱与在a_Si光电ニ极管的光谱敏感度中的最大点(近550nm)相符的观点来看，优选CsI: Tl。由如下部件构造闪烁体10 :在与支持体13相反的侧上设置的柱状部34 ;和在支持体13侧上设置的非柱状部36。尽管随后描述细节，但是通过气相沉积而在支持体13上以堆叠层的形式连续形成柱状部34和非柱状部36。在此，柱状部34和非柱状部36由相同的荧光材料构成。然而，添加的活化剂如Tl的量可相互不同。由通过使上述荧光材料晶体生长成柱形而获得的柱状晶体35的群来构造柱状部34。在此，在一些情况下，将多个邻近的柱状晶体连接在一起而形成一个柱状晶体。在邻近的柱状晶体35之间形成间隙，因此柱状晶体35相互独立。由荧光材料的比较小的晶体的群来构造非柱状部36。在此，在一些情况下，所述非柱状部36包含上述荧光材料的无定形材料。在非柱状部36中，晶体不规则地连接在一起或相互重叠，并因此在晶体之间不形成明确的间隙。在所述闪烁体10中，将与支持13相反本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
2011.02.25 JP 2011-0408831.ー种放射线图像检测装置，其包含 突光体，所述突光体包含响应放射线照射而发射突光的突光材料；和薄膜型传感器部，所述薄膜型传感器部与所述荧光体的放射线入射侧邻接设置并由所述荧光体支持，并且在所述薄膜型传感器部中以ニ维方式布置用于检测由所述荧光体发射的荧光的多个光电转换元件， 其中所述传感器部包含设置在与所述荧光体相対的正面上并电连接至所述光电换转元件的连接部；和连接至所述连接部的布线构件，并且其中所述放射线图像检测装置I还包含 第一保护膜，所述第一保护膜至少覆盖除所述传感器部的背面之外的连接至所述布线构件的所述连接部；和 防湿性第二保护膜，所述防湿性第二保护膜至少覆盖所述传感器部的所述背面上的与所述连接部对应的部分。2.根据权利要求I所述的放射线图像检测装置，其中所述第二保护膜覆盖所述传感器部的整个背面。3.根据权利要求2所述的放射线图像检测装置，其中所述第二保护膜还覆盖设置在连接至所述布线构件的所述连接部上的所述第一保护膜。4.根据权利要求I至3中任一项所述的放射线图像检测装置，其中所述第一保护膜由分解型胶粘剂构成。5.根据权利要求4所述的放射线图像检测装置，其中设置有多套连接部和布线构件，并且 其中对所述连接部中的每个连接部分别提供所述第一保护膜。6.根据权利要求I至3中任一项所述的放射线图像检测装置，其中利用用于密封所述荧光体的防湿性保护膜一体地形成所述第一保护膜。7.根据权利要求I至3中任一项所述的放射线图像检测装置，其中在所述传感部的周围布置有所述连接部。8.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩切直人，中津川晴康，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：