石墨电路板与电子元件的连接方法及其产品技术

一种石墨电路板与电子元件的连接方法及其产品，其方法包含下列步骤：选取一石墨电路板，该石墨电路板由一石墨片一侧面依序设有一绝缘层及一可导电电路层所形成；选取一电子元件；一可导电桥接层包含被覆该电路层、该电子元件的一项或被覆两项；将该电子元件定位于该电路层，使得该桥接层介于该电路层及该电子元件之间；在该石墨电路板及该电子元件之间施予一压力；在该石墨电路板及该电子元件之间施予一能量波，用以增加该电路层的温度能熔化该桥接层；移除该能量波及该压力。本发明专利技术石墨电路板与电子元件的连接方法具有较低的制造成本。采用该方法所得石墨电路板与电子元件的产品具有较佳的热传导效能；具有较长的寿命；具有较高的良率及信赖度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电路基板与电子元件的连接方法及产品，特别指ー种石墨电路板与电子元件的连接方法及其产品。
技术介绍
目前，一般印刷电路基板是在ー绝缘板上涂布ー铜箔层，然后再对该基板进行加エ制程如钻孔、蚀刻、防焊及表面粘着技术(SMT)等工作，而形成一具有电子零件及电子电路的印刷电路板。为了解决设于电路板上的电子零件被驱动时的散热问题，进ー步发展有铝基板，铝基板顾名思义即以铝当基材的基板，铝基板导热快，但铝材质也导电，故其铜箔层与基板之间设有一绝缘层；由于铝基板的热传导系数仍然有所限制，有时已经无法应付愈来愈高 的温度，再者，铝基板在进行加工制程中如蚀刻也要相当的注意，以防止铝材不预期地蚀刻或侵蚀；更进ー步来说，我们可以将铝替换其他高热传导系数及防蚀刻的材料，用以具较佳散热效率及防蚀刻功效。无论是哪ー种材料的基板，其均需将电子零件确实地连接于基板的铜箔电路，一般的表面粘着技术(SMT)是先将锡膏涂布于基板的铜箔电路，再将电子零件安放于基板的铜箔电路，再经一高温容室如回焊炉使锡膏熔化，降温后，电子零件就附着于基板的铜箔电路；在回焊炉的制程，温度是藉辐射或传导方式传递至锡膏，其需要花上数十分钟或数小时的时间，此外，锡膏经熔化而凝固后所发生的孔隙大小及孔隙率也有一定的规范及要求，再者，表面粘着技术(SMT)的长时间高温会影响/降低某些电子零件的寿命。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供ー种石墨电路板与电子元件的连接方法及其产品，其具有较低的制造成本。本专利技术的次一目的在于提供ー种石墨电路板与电子元件的连接方法及其产品，其具有较佳的热传导效能。本专利技术的再一目的在于提供ー种石墨电路板与电子元件的连接方法及其产品，其具有较长的寿命。本专利技术的另一目的在于提供ー种石墨电路板与电子元件的连接方法及其产品，其具有较高的良率及信赖度。为了达成上述目的，本专利技术采用以下技术方案本专利技术提供ー种石墨电路板与电子元件的连接方法，该方法包含下列步骤(a)选取石墨电路板步骤一石墨电路板是由一石墨片一侧面依序设有一绝缘层及一可导电电路层所形成；(b)选取电子元件步骤；(c)被覆可导电桥接层步骤一可导电桥接层包含被覆该电路层、该电子元件的ー项或被覆两项；(d)定位电子元件步骤将该电子元件定位于该电路层，使得该桥接层介于该电路层及该电子元件之间；(e)施予压カ步骤在该石墨电路板及该电子元件之间施予ー压カ；(f)施予能量波步骤在该石墨电路板及该电子元件之间施予一能量波，用以增加该电路层的温度能熔化该桥接层；(g)移除能量波及压カ步骤。其中，所述石墨片的材质为三维等方性石墨。其中，所述桥接层为被覆所述电路层的接点。·其中，所述桥接层为被覆所述电子元件的接脚。 其中，所述能量波主要施予所述电路层。其中，所述桥接层材质选自于银、錫、锡银铜混合、银膏、锡膏及无铅锡膏所组成的组群。其中，所述桥接层材质为ー种具有共晶性质的合金。其中，所述绝缘层包含有一热固型可导热粘胶。其中，所述绝缘层为混合ー树脂及ー纤维材。其中，所述绝缘层包含混合碳化硅、氮化硼的ー项或结合两项。其中，所述能量波选自由射频周波及超音波所成的组群。本专利技术还提供根据以上所述石墨电路板与电子元件的连接方法所制成的石墨电路板与电子元件的产品。本专利技术的优点在于本专利技术的石墨电路板与电子元件的连接方法具有较低的制造成本。采用该方法制备的石墨电路板与电子元件的产品具有较佳的热传导效能；具有较长的寿命；具有较高的良率及信赖度。附图说明图I为本专利技术的制造方法流程图。图2为本专利技术的一石墨电路板的立体分解示意图。图3为本专利技术的产品的实施例的剖视分解示意图。图4为本专利技术的产品的实施例的剖视示意图。图5为本专利技术的一绝缘层的剖视示意图。图6及图7为本专利技术实施步骤105及106的示意图。具体实施例方式请參阅图1-7，本专利技术所揭石墨电路板与电子元件的连接方法及其产品，其连接方法包含下列步骤一、选取石星电路板步骤101 一石星电路板12由一石星片22 —侧面依序设有一绝缘层24及一可导电电路层26所形成。ニ、选取电子兀件步骤102 一电子兀件14可设为一电容、一电阻、一微晶片(micro chip)、一发光二极体(LED)或一电晶体(transistor)等。三、被覆可导电桥接层步骤103 :—可导电桥接层13包含被覆该电路层26、该电子兀件14的ー项或被覆两项；该可导电桥接层13可以被覆于该电路层26 —侧、该电路层26的焊点位置、该电子元件14 ー侧、该电子元件14的接脚141或该电路层26及该电子元件14的前述位置。四、定位电子元件步骤104 :将该电子元件14定位于该电路层26或该电路层26的焊点位置，使得该桥接层13介于该电路层26及该电子元件14之间。五、施予压カ步骤105 :在该石墨电路板12及该电子元件14之间施予ー压力。六、施予能量波步骤106 :在该石墨电路板12及该电子元件14之间施予一能量波，用以增加该电路层26的温度能熔化该桥接层13。七、移除能量波及压カ步骤107 :移除该能量波及该压力，或依序移除该能量波及·该压力。如此为本专利技术石墨电路板与电子元件的连接方法及其产品。关于本专利技术的前述步骤进一步说明如下该石墨片22的材质可以选取一般的石墨，也可选取为三维等方性石墨，三维等方性石墨在X轴、y轴及z轴方向均具有较佳的热传导效能。该绝缘层24用以绝缘该石墨片22及该电路层26，该绝缘层24可以ー热固型可导热粘胶如ー环氧树脂涂布于该石墨片22 —侧面，该绝缘层24的导热系数可以在100 500w/m-ko请參阅图5，该绝缘层24也可以ー热固型可导热粘胶241涂布或混合一纤维材242如玻璃纤维或碳纤维而形成一热固型薄膜，然后再将该热固型薄膜连接于该石墨片22ー侧面。该绝缘层24也可以进一歩包含混合碳化硅或/及氮化硼，以增加该绝缘层24的导热率及散热率。该电路层26材质为可以被ー射频周波或一超音波振动或产生涡电流的材料如一铜箔材质。关于步骤103及步骤104，该桥接层13材质可以设为银、錫、锡银铜混合、银膏、锡膏或无铅锡膏，该桥接层13可以浸镀、电镀或印刷方式来被覆，该桥接层13除了可以被覆于该电路层26的焊点/接点位置或该电子元件14的电路接脚141タト，该桥接层13也可以被覆于该电路层26的预定位置或该电子元件14的ー侧，这是因为基于某些需求，先将该电子元件14固定于该电路层26，然后再另外进行拉线/打线(wire bonding)的制程，达成该电子元件14连通该电路层26上的电路。关于步骤105、步骤106及步骤107，请參阅图6及图7，将步骤101至104所完成的ー产品放置于ー设备18的ー模具82(如图6)，然后以一压カ产生器84如一气压缸或一油压缸施加一压カ于该产品(即在该石墨电路板12及该电子元件14之间施予ー压カ)并以一能量波产生器86发生ー射频周波或一超音波施予该产品(如图7)，该能量波主要施予该电路层26。本专利技术利用射频周波或超音波会穿透石墨，其频率如每秒振动数万次(20000Hz 50000Hz)使得该电路层26的金属振动或产生涡电流，由于振动摩擦或阻抗电流而在短时间(0. 05秒 6秒)产生数百。C的高温(800 900°C )传导至该桥接层13，而使该桥接层13熔化，移除该能本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种石墨电路板与电子元件的连接方法，其特征在于，该方法包含下列步骤：(a)选取石墨电路板步骤：一石墨电路板是由一石墨片一侧面依序设有一绝缘层及一可导电电路层所形成；(b)选取电子元件步骤；(c)被覆可导电桥接层步骤：一可导电桥接层包含被覆该电路层、该电子元件的一项或被覆两项；(d)定位电子元件步骤：将该电子元件定位于该电路层，使得该桥接层介于该电路层及该电子元件之间；(e)施予压力步骤：在该石墨电路板及该电子元件之间施予一压力；(f)施予能量波步骤：在该石墨电路板及该电子元件之间施予一能量波，用以增加该电路层的温度能熔化该桥接层；(g)移除能量波及压力步骤。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：庄吉宗，
申请(专利权)人：庄吉宗，
类型：发明
国别省市：