【技术实现步骤摘要】
发光器件封装及具有该发光器件封装的紫外灯
本公开内容涉及一种发光器件封装以及具有该发光器件封装的紫外灯。
技术介绍
发光二极管(LED)可以用作光源,并且它可以由化合物半导体材料形成,所述化合物半导体材料例如为含GaAs的材料、含AlGaAs的材料、含GaN的材料、含InGaN的材料以及含InGaAlP的材料。通过封装这些LED能够制造能发出各种颜色的光的发光器件封装。发光器件封装用作各种器件的光源,例如照明显示器件、字符显示器件以及图像显示器件。特别地,紫外(UV)LED能够发出波长245nm到405nm的光。例如,从UVLED发出的短波长的光可以用于杀菌或净化,而从UVLED发出的长波长的光可以用于曝光或UV固化。然而,UVLED在发光的同时产生热量,所产生的热量导致出错并降低可靠性。这种热量能够通过增大UVLED的封装尺寸来散发。然而,这样就难以提供高度集成、经济的LED封装。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种结构得到改善的发光器件封装。本专利技术的实施例提供一种发光器件封装,其中,散热元件设置在本体与发光二极管之间。本专利技术的实施例提供一种发光器件封装,其中,缓冲层设置在本体与散热元件之间。本专利技术的实施例提供一种紫外发光器件封装,包括紫外发光二极管和用于保护该紫外发光二极管的保护器件。本专利技术的实施例提供一种发光器件封装,包括腔体,在腔体中形成有多个子腔体。本专利技术的实施例提供一种发光器件封装,其中,保护器件设置在多个子腔体中的至少一个中以保护紫外发光二极管。本专利技术的实施例提供一种可靠的紫外灯,其包括发光器件封装。在一个实施例中, ...
【技术保护点】
一种发光器件封装,包括:本体,包括顶侧开口的腔体,所述本体包括陶瓷材料;散热元件,位于所述腔体的底表面与所述本体的下表面之间;多个电极,位于所述腔体的所述底表面上;多个焊盘,设置在所述本体的所述下表面上,并电连接至所述电极中的至少一个电极;发光二极管(LED),设置在被置于所述腔体的所述底表面上的电极中的一个电极上,所述发光二极管电连接至所述电极中的至少一个电极;以及缓冲层,设置在所述散热元件与所述焊盘中的至少一个焊盘之间,并且该缓冲层的厚度比所述散热元件的厚度薄。
【技术特征摘要】
2011.05.13 KR 10-2011-0045378;2011.05.13 KR 10-201.一种发光器件封装,包括:本体,包括顶侧开口的腔体,所述本体由陶瓷材料形成;散热元件,位于所述腔体的底表面与所述本体的下表面之间,其中该散热元件设置在该本体内;多个电极,位于所述腔体的所述底表面上;多个焊盘,设置在所述本体的所述下表面上,并电连接至所述电极中的至少一个电极;发光二极管(LED),设置在被置于所述腔体的所述底表面上的电极中的第一电极上,所述发光二极管电连接至所述电极中的至少一个电极;以及缓冲层,设置在所述散热元件与所述焊盘中的至少一个焊盘之间,并且该缓冲层的厚度比所述散热元件的厚度薄,其中该本体被设置成围绕该散热元件,以及其中该散热元件的下表面的面积小于所述多个焊盘中的一个焊盘的顶表面的面积,其中,所述多个电极中的第一电极设置在所述发光二极管与所述散热元件之间,其中,所述缓冲层与所述散热元件的所述下表面以及与所述焊盘中的所述一个焊盘的所述顶表面接触,以及所述缓冲层的顶表面比所述缓冲层的下表面粗糙,其中,所述缓冲层的宽度比所述散热元件的下表面的宽度宽,其中,所述散热元件包括第一散热元件和第二散热元件,其中所述第一散热元件被设置于所述第一电极下方,所述第二散热元件被设置于所述第一散热元件下方,其中所述第二散热元件的下表面小于所述多个焊盘中的第二焊盘的顶表面,以及其中,所述本体被设置成围绕所述散热元件的所述第一散热元件和所述第二散热元件。2.根据权利要求1所述的发光器件封装,其中,所述缓冲层包括与所述本体的陶瓷材料不同的陶瓷材料,以及其中,所述本体由AlN形成,其导热率为140W/mK或更大。3.根据权利要求2所述的发光器件封装,其中,所述缓冲层包括具有这样的元素的氧化物化合物、氮化物化合物、氟化物化合物和硫化物化合物中的至少一种,所述元素包括Al、Cr、Si、Ti、Zn和Zr至少之一。4.根据权利要求1所述的发光器件封装,其中,所述缓冲层包括与所述焊盘的材料不同的金属材料。5.根据权利要求1到4中任意一个所述的发光器件封装,其中,所述散热元件与所述第一电极的下表面接触并且电连接至所述发光二极管。6.根据权利要求1到4中任意一个所述的发光器件封装,其中所述缓冲层的厚度为50μm或更薄,以及其中,形成在所述散热元件下表面上的粗糙部以均方根(RMS)表示为10μm或更小。7.根据权利要求1到4中任意一个所述的发光器件封装,其中,所述缓冲层与所述本体的下表面的面积相同。8.根据权利要求1到4中任意一个所述的发光器件封装,其中,所述第一电极的宽度比所述散热元件的顶表面的宽度宽。9.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员:金炳穆,郑粹正,金有东,李建教,
申请(专利权)人:LG伊诺特有限公司,
类型:发明
国别省市:
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