一种阵列基板和显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种阵列基板和显示装置，所述阵列基板在制作过程中，金属层图形形成时就能有效的清除静电，避免阵列基板在制作过程中由于摩擦产生的静电的危害。该阵列基板包括：数据线层、栅极线层，且数据线层与栅极线层中间具有绝缘层，静电释放环。静电释放环包括至少两个导体，导体之间不接触，且任意相邻两导体上分布有相互对应的静电释放电极，所述导体与所述栅极线层和/或数据线层相连。本法明还提供了采用上述阵列基板的显示装置。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板和显示装置。
技术介绍
现在市场上的显示装置采用多种不同的显示面板，例如OLED (OrangeLight-Emitting Diode,有机发光二极管)面板，电子纸采用的CLCD (胆固醇液晶显示器)面板、TFT-IXD(薄膜晶体液晶显示器)。下面以TFT-IXD为例说明显示面板中的重要组成部分-阵列基板。TFT-IXD因其体积小，功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。现有的TFT-LCD器件是由阵列玻璃基板和彩膜玻璃基板对盒而形成的。阵列基板中相互交叉地配置定义像素区域的栅极线和信号线，在各像素区域中配置像素电极和薄膜 晶体管。将驱动信号施加到栅极线上，图像数据通过信号线施加到像素电极。然后在彩膜基板上配置黑底，使光不能透过除了像素电极以外的区域，在各像素区域配置滤色层，配置公共电极，最后在阵列基板和彩膜基板中充入液晶，通过加载驱动和信号的像素电极的电压来控制液晶的偏转来控制光线的强弱，配合彩膜基板的功能，在基板上显示出所要表达的图像。传统的TFT-IXD阵列基板制造采用TFT薄膜晶体管的静电释放环设计方法来达到除静电的效果。必须在TFT薄膜晶体管完全成形后才能达到除静电的效果，第一层金属层图形成形时尚不能清除静电。这样使得在生产过程中无法清除静电的危害。无法完全避免静电对TFT像素电路的损伤。其他种类显示面板中的阵列基板在制作过程中也存在同样的问题。
技术实现思路
本技术提出了一种阵列基板，在金属层图形形成时就能有效的清除静电，避免阵列基板在制作过程中由于摩擦产生的静电的危害。本技术为一种阵列基板，包括数据线层、栅极线层，以及位于所述数据线层与栅极线层之间的绝缘层，该阵列基板进一步包括静电释放环，包括至少两个导体，导体之间不接触，且任意两相邻导体上分布有相互对应的静电释放电极，所述导体与所述栅极线层和/或数据线层相连。所述导体与所述数据线层相连为至少两根数据线与同一静电释放环相连，其中，每根与所述静电环相连的数据线至少有静电释放环中的一个导体与其相连，且所述静电释放环中的一个导体只与一根数据线相连。所述导体与所述栅极线层相连为至少两根栅极线与同一静电释放环相连，其中，每根与所述静电环相连的栅极线至少有静电释放环中的一个导体与其相连，且所述静电释放环中的一个导体只与一根栅极相连。所述导体与所述栅极线层和数据线层相连为，数据线层中，至少两根数据线与同一静电释放环相连，其中，每根与所述静电环相连的数据线至少有静电释放环中的一个导体与其相连，且所述静电释放环中的一个导体只与一根数据线相连；和栅极线层中，至少两根栅极线与同一静电释放环相连，其中，每根与所述静电环相连的栅极线至少有静电释放环中的一个导体与其相连，且所述静电释放环中的一个导体只与一根栅极线相连。数据线层中的至少一根数据线和栅极线层中的至少一根栅极线与同一静电释放环相连，其中，每根与所述静电环相连的数据线和栅极线至少有静电释放环中的一个导体与其相连，且静电释放环中的一个导体只与一根数据线或栅极线相连；所述静电释放环中与数据线相连的导体和与栅极线相连的导体被数据线层与栅极线层中间的绝缘层隔离，且任意两相邻导体上分布有相互对应的静电释放电极。所述静电释放环包括的导体形状为互相平行的直线型或形状为同一个圆心圆弧型。 所述静电释放环中导体为金属。所述静电释放电极为三角形。本技术提供了一种显示装置，包含上述阵列基板。本技术在数据线层和/或栅极线层采用静电释放环连接数据线和/或栅极线，静电释放环为不接触的导体，任意两相邻导体上分布有对应的静电释放电极。利用尖端放电原理将各个数据线和/或栅极线上因为摩擦产生的静电电荷聚集在与数据线和/或栅极线相连的静电释放环中的导体的静电释放电极上通过同一静电释放环中与其对应的另一导体上的静电释放电极进行静电释放。这样使得在金属图形形成时静电释放环就可以开始发挥消除静电的作用，完全避免静电对TFT像素电路的损伤。附图说明图I为本技术实施例的圆形静电释放环的与数据线和栅极线的连接图；图2为本技术实施例的圆形静电释放环结构示意图；图3为本技术实施例的栅极线层静电释放环剖面图；图4为本技术实施例的数据线层静电释放环剖面图；图5为本技术实施例的直线形条状静电释放环结构示意图；图6为本技术实施例的栅极线和数据线与同一静电释放环连接的剖面图。具体实施方式以下结合附图对本技术的实施例具体说明。如图I所示为本具体实施例圆形静电释放环的与数据线和栅极线的连接图，图2所示的为本具体实施例中的导体示意图。如图I所示，阵列基板的一般结构包括数据线层I、栅极线层2，在数据线层I与栅极线层2之间具有绝缘层(图中未示出)。其中在数据线层，每相邻两根数据线I与同一静电释放环4相连。结合图2所示，一根数据线与静电释放环中的导体a相连，另一根数据线与静电释放环中的导体b相连，一个导体只与一根数据线连接。在栅极线层中，至少两根栅极线与同一静电释放环3相连，其中，一根栅极线与静电释放环中的导体a相连，另一根数据线与静电释放环中的导体b相连，一个导体只与一根栅极线连接。导体a与导体b之间不接触，并且两导体上分布有相互对应的静电释放电极。上述图示中的阵列基板中数据线层的数据线和栅极线层的栅极线可同时都采用上述实施例中的静电释放环结构进行静电释放，即较优地，导体与所述栅极线层和数据线层相连为，在数据线层，至少两根数据线与同一静电释放环相连，其中，每根与所述静电环相连的数据线至少有静电释放环中的一个导体与其相连，且所述静电释放环中的一个导体只与一根数据线相连；和在栅极线层，至少两根栅极线与同一静电释放环相连，其中，每根与所述静电环相连的栅极线至少有静电释放环中的一个导体与其相连，且所述静电释放环中的一个导体只与一根栅极线相连。也可只有其中的一层采用上述实施例中的静电释放环结构进行静电释放。即较优地，导体与所述数据线层相连为至少两根数据线与同一静电释放环相连，其中，每根与所述静电环相连的数据线至少有静电释放环中的一个导体与其相连，且所述静电释放环中的一个导体只与一根数据线相连。或者，较优地，导体与所述栅极线层相连为至少两根栅极线与 同一静电释放环相连，其中，每根与所述静电环相连的栅极线至少有静电释放环中的一个导体与其相连，且所述静电释放环中的一个导体只与一根栅极相连。并且在数据线层或栅极线中，并不一定非要两根相邻数据线或两根相邻栅极线连至同一静电释放环，而本实施例中将两相邻数据线或两相邻栅极线连至同一静电释放环可方便布置静电释放环的位置。并且，在数据线层或栅极线层中，可以只有部分的数据线或栅极线利用本实施例中的静电释放环进行静电释放，也可以全部的数据线或栅极线利用本实施例中的静电释放环进行静电释放。本实施例中的静电释放环与数据线层中的数据线或栅极线层中的栅极线的连接方式，是采用了将静电释放环与任意相邻的两根数据线或任意相邻的两根栅极线的线端进行连接的方式。在实际运用中，还可以将静电释放环与任意两根或者多根数据线或任意两根或者多根栅极线的线端相连，或者将静电释放环与任意两根或者多根数据线或任意两根或者多根栅极线的中间区域相连，或者将一部分静电释放环本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括数据线层、栅极线层，以及位于所述数据线层与栅极线层之间的绝缘层，其特征在于，该阵列基板进一步包括：静电释放环，包括至少两个导体，导体之间不接触，且任意两相邻导体上分布有相互对应的静电释放电极，所述导体与所述栅极线层和/或数据线层相连。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括数据线层、栅极线层，以及位于所述数据线层与栅极线层之间的绝缘层，其特征在于，该阵列基板进一步包括 静电释放环，包括至少两个导体，导体之间不接触，且任意两相邻导体上分布有相互对应的静电释放电极，所述导体与所述栅极线层和/或数据线层相连。2.根据权利要求I所述的阵列基板，其特征至于，所述导体与所述数据线层相连为至少两根数据线与同一静电释放环相连，其中，每根与所述静电环相连的数据线至少有静电释放环中的一个导体与其相连，且所述静电释放环中的一个导体只与一根数据线相连。3.根据权利要求I所述的阵列基板，其特征至于，所述导体与所述栅极线层相连为至少两根栅极线与同一静电释放环相连，其中，每根与所述静电环相连的栅极线至少有静电释放环中的一个导体与其相连，且所述静电释放环中的一个导体只与一根栅极相连。4.根据权利要求I所述的阵列基板，其特征至于，所述导体与所述栅极线层和数据线层相连为，数据线层中，至少两根数据线与同一静电释放环相连，其中，每根与所述静电环相连的数据线至少有静电释放环中的一个导体与其相连，且所述静电释放环中的一个导体只与一根数据...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈奇雨，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：