用于支承半导体晶片的基座以及在半导体晶片的正面上沉积层的方法技术

用于在半导体晶片的正面上沉积层期间支承半导体晶片的基座，其中所述半导体晶片具有直径D，并且在其边缘处具有深度为T的缺口，所述基座包括：用于在半导体晶片背面的边缘区域内放置半导体晶片的具有内径d的环形放置区域，其中对于所放置的半导体晶片符合：(D-d)/2＜T；及所述放置区域的向所述放置区域内侧延伸的伸出部分，其用于在半导体晶片的缺口区域内放置半导体晶片，所放置的半导体晶片的缺口完全垫在所述伸出部分上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于在半导体晶片的正面上沉积层期间支承半导体晶片的基座，其中所述基座具有用于在半导体晶片背面的边缘区域内放置半导体晶片的放置区域。本专利技术还涉及用于在半导体晶片的正面上沉积层的方法，其中使用所述基座。
技术介绍
已知此类基座的各种不同的实施方案。DE 198 47 101 Cl描述了一个实施方案，其中放置区域是构成基座的环的一部分。在根据EP I 460 679 Al的实施方案中，基座额外具有底部，并因此是圆盘形状。放置区域由盘的边缘处的凸出部分构成。DE 10 2006 055038 Al公开了一个实施方案，其中半导体晶片位于环的凹陷部分中，并且该环位于底板上。 在半导体晶片的正面上沉积层期间，有人特别是致力于产生具有均一层厚度的层，并且该层的可用区域可以延伸至尽可能接近半导体晶片的边缘。在尝试实现该方案时所面临的问题是，在半导体晶片的正面上沉积层期间，工艺气体也要到达半导体晶片背面的边缘区域内。由此导致不受控制的材料沉积，这会损害经涂布的半导体晶片的平坦度。不受控制的材料沉积的径向尺寸越大，则下方垫有基座的放置区域的半导体晶片边缘区域越宽。因为根据经验总是使所谓的边缘排除量(edgeexclusion)越来越小，即其中不必满足由客户指定的品质要求的距半导体晶片边缘的距离，所以应当期待导致不受控制的材料沉积的问题获得越来越多的重视。通常在半导体晶片的边缘区域内引入用于表征晶体取向的缺口(notch)。由于不受控制的材料沉积，围绕该缺口形成由沉积的材料组成的隆起部分(bump)，这会损害半导体晶片的平坦度，并且在将半导体晶片进一步加工成电子元件期间产生干扰。因此，JP 2010-034372A建议，下方垫有基座的放置区域的半导体晶片边缘区域的径向宽度应当尽可能地小，但是不应小于缺口深度与缺口的倒角的宽度之和。所建议的方案的缺点在于，因此由于在半导体晶片背面上不受控制的材料沉积，仅能以受限制的程度利用直至半导体晶片边缘的在正面上沉积的层。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的是建议一种基座，在使用该基座时不产生所述的缺点。该目的是通过用于在半导体晶片的正面上沉积层期间支承半导体晶片的基座实现的，其中所述半导体晶片具有直径D，并且在其边缘处具有深度为T的缺口，所述基座包括用于在半导体晶片背面的边缘区域内放置半导体晶片的具有内径d的环形放置区域，其中对于所放置的半导体晶片符合(D-d)/2 < T ;及所述放置区域的向所述放置区域内侧延伸的伸出部分，其用于在半导体晶片的缺口区域内放置半导体晶片，所放置的半导体晶片的缺口完全垫在所述伸出部分上。本专利技术还涉及在半导体晶片的正面上沉积层的方法，其包括将半导体晶片放置在基座的放置区域上，及将工艺气体送至半导体晶片的正面。根据本专利技术，所述基座以如下方式构成，放置在放置区域上的半导体晶片以其边缘伸出至所述放置区域的内边缘后方的程度仅使得，若不存在放置区域的舌状伸出部分，则所放置的半导体晶片的缺口的一部分将不位于放置区域上方。下方垫有基座的放置区域的半导体晶片边缘区域的径向宽度特别小，因而在半导体晶片背面上不受控制的材料沉积与此相关的径向尺寸也特别小。由于存在放置区域的伸出部分，又确保所述缺口虽然符合(D-d)/2 < T仍然完全垫在所述放置区域上。若不存在伸出部分，则从半导体晶片中心至边缘在径向上观察，缺口部分地位于放置区域内边缘前方并且部分地位于放置区域内边缘后方。伸出部分阻止在缺口的区域内工艺气体到达半导体晶片背面。由不受控制地沉积的材料组成的隆起部分包围半导体晶片背面上的缺口，因此不会发展。优选符合0. 2mm ^ (D-d)/2 < T。缺口的深度T是指缺口的尖端与半导体晶片边缘之间的径向距离，其中将缺口的倒角(chamfer)的宽度计算在内。 伸出部分的面积足够大，以完全衬垫缺口和缺口的倒角。若在将半导体晶片放置在基座上时不必严格地将缺口向内侧伸出至放置区域的环形边缘上方的部分正确地定位在伸出部分上方，则伸出部分的面积优选比在此所需的面积大20至100%以留有余地。伸出部分优选以如下方式构成，其轮廓为三角形、矩形、正方形、椭圆或圆形的一部分。所述基座优选由碳化硅组成，或者由用其涂布的材料例如石墨组成。所述基座优选为圆盘形状，其包括外环、环形放置区域和圆片状盘底。环形放置区域可以水平或倾斜地取向，并且在倾斜的情况下具有直的或弯曲的截面。所述基座优选为单一部分或两部分，其中在两部分的情况下盘底构成一个分离的部件。盘底可以是不透气的。但是还可以打孔的方式构成，以确保通过孔洞进行气体输送。但是优选为具有代替孔洞的用于所述气体输送的微孔的盘底。例如可以通过将纤维和/或颗粒压制成盘底并用碳化硅进行涂布而产生微孔。下面依照附图更详细地阐述本专利技术。附图说明图I所示为在半导体晶片上沉积层的方法中使用的反应器的典型特征。图2所示为根据本专利技术构成的基座的俯视图。图3所示为根据图2的基座及额外的一个放置在该基座上的半导体晶片。图4所不为根据图3的基座和半导体晶片的截面图。图5所示为取自图4的具有半导体晶片的缺口区域的放大的部分截图。图6和7所示为根据实施例的半导体晶片及根据比较例的半导体晶片的背面的形貌照片。具体实施例方式根据图I的反应器包括具有上圆盖(upper dome) I、下圆盖(lower dome) 2和侧壁3的室。上圆盖I和下圆盖2对于由设置在所述室上方和下方的辐射加热系统放射出的热辐射是可透过的。通过将工艺气体引导至加热的半导体晶片的正面上方并在此过程中与暴露的正面的表面反应形成所述层，从而由气相在半导体晶片4的正面上沉积所述层。正面是指半导体晶片的在其上沉积所述层的侧面。通常是半导体晶片的经抛光的侧面。通过所述室的侧壁中的进气口送入工艺气体，并通过所述室的侧壁中的出气口排出在反应之后残留的废气。具有一个其他的进气口和一个其他的出气口的室的实施方案是已知的。例如采用这些实施方案，以将吹洗气体导入和导出所述室的存在于半导体晶片下方的体积。是否存在其他的进气口和其他的出气口对于本专利技术是无关紧要的。在沉积层期间，半导体晶片用基座5加以保持，并与基座一起围绕其中心旋转。依照图2的根据本专利技术构成的基座是圆盘形状，并且包括外环6、具有内边缘8的环状放置区域7和圆片状底部9。放置区域的内径d对应于内边缘8的直径。放置区域在一个位置上通过伸出部分10向内侧延伸。·如图3所示，放置在基座上的半导体晶片4以如下方式位于基座上，使缺口 11位于伸出部分10上方。半导体晶片的直径D虽然大于放置区域7的内径d。但是差别小，使得半导体晶片4的外边缘12仅稍微位于放置区域7的内边缘8后方。该差别小于缺口 11的深度的2倍。图4所不为根据图3的基座和半导体晶片的截面图，而图5所不为图3的放大的部分截图。根据图5，缺口部分地向内侧伸出至放置区域7的内边缘8上方。缺口 11的该部分垫在伸出部分10上，并且通过该伸出部分阻止工艺气体经由该缺口到达半导体晶片的背面。缺口的深度T是指缺口的尖端13与半导体晶片的外边缘12之间的径向距离，其中将缺口的倒角(chamfer)的宽度计算在内。实施例及比较例对由单晶硅组成的半导体晶片涂布由硅组成的外延层，随后对背面的形貌拍照。图6所示本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于在半导体晶片的正面上沉积层期间支承半导体晶片的基座，其中所述半导体晶片具有直径D，并且在其边缘处具有深度为T的缺口，所述基座包括：用于在半导体晶片背面的边缘区域内放置半导体晶片的具有内径d的环形放置区域，其中对于所放置的半导体晶片符合：(D？d)/2＜T；及所述放置区域的向所述放置区域内侧延伸的伸出部分，其用于在半导体晶片的缺口区域内放置半导体晶片，所放置的半导体晶片的缺口完全垫在所述伸出部分上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：N·维尔纳，C·哈格尔，R·绍尔，
申请(专利权)人：硅电子股份公司，
类型：发明
国别省市：