氧化铝陶瓷基板1瓦13dB衰减片制造技术

本发明专利技术公开了一种氧化铝陶瓷基板1瓦13dB衰减片，其包括一尺寸为2*3.5*0.635MM的氧化铝基板，所述氧化铝基板的背面印刷有背导层，所述氧化铝基板的正面印刷有导线及膜状电阻，所述导线连接所述膜状电阻连接形成T型衰减电路。此衰减片在生产中采用高温陶瓷与浆料共烧技术，使陶瓷金属化而产生电路性能，减少了多次烧结可能对产品产生的破坏性影响，减少使用中坏掉的风险。该衰减片在设计上充分考虑了各项性能指标，包括阻值精度，驻波比，产品功率，延伸了1瓦固定膜状电阻式衰减片的系列产品线。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种氧化铝陶瓷衰减片，特别涉及ー种氧化铝陶瓷基板I瓦13dB的衰减片。
技术介绍
目前集成了三个膜状电阻设计的衰减片广泛应用于航空、航天、雷达、电台、广播通讯等设备领域。使用负载片只能单纯地消耗吸收多余的功率，而使用衰减片在吸收反向输入的功率同时还能抽取需要的信号进行分析，并在高频电路上调整功率电平，去耦，对相关设备起到了保护作用。由于国外对同类产品的研发与制造比国内起步早，无论在产品系列还是产品特性 上都处于优势地位。同时国内市场上现有的衰减片衰减精度低，且能使用的频段相对较窄。我们希望的衰减器是ー个功率消耗元件，不能对两端电路有影响，也就是说，与两端电路都是匹配的。当衰减精度或VSWR达不到要求时，输出端得到的信号不符合实际要求。
技术实现思路
针对上述现有技术的不足，本专利技术要解决的技术问题是提供ー种阻抗满足50±1.5 0，在36频段以内衰减精度为13±0. 8dB，驻波要求输入、输出端在1.2以内，能够满足目前3G网络的应用要求的功率氧化铝陶瓷基板I瓦13dB衰减片，取代国外同类产品，并在特性上填补国内产品的空白。为解决上述技术问题，本专利技术采用如下技术方案一种氧化铝陶瓷基板I瓦13dB衰减片，其包括一 2*3. 5*0. 635MM的氧化铝基板，所述氧化铝基板的背面印刷有背导层，所述氧化铝基板的正面印刷有导线及膜状电阻，所述导线连接所述膜状电阻连接形成T型衰减电路。此衰减片在生产中采用高温陶瓷与浆料共烧技术，使陶瓷金属化而产生电路性能，減少了多次烧结可能对产品产生的破坏性影响，减少使用中坏掉的风险。优选的，所述膜状电阻上印刷有高温烧结电阻保护膜。优选的，所述导线及玻璃保护膜的上表面还印刷有一层环氧树脂蓝色保护膜。优选的，所述衰减电路沿所述氧化铝基板的中心线对称。上述技术方案具有如下有益效果该氧化铝陶瓷基板I瓦13dB衰减片采用高温陶瓷与浆料共烧技术，使陶瓷金属化而产生电路性能，減少了多次烧结可能对产品产生的破坏性影响，减少使用中坏掉的风险。衰减电路处于ー个完全対称的状态，电路的稳定性得到提升，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得衰减片能应用于2G-3G的网络。可广泛应用于航空、航天、雷达、电台、广播通讯等设备领域隔离器、环形器等微波产品的生产。上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本专利技术的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本专利技术的具体实施方式由以下实施例及其附图详细给出。附图说明图I为本专利技术实施例的结构示意图。具体实施例方式下面结合附图对本专利技术的优选实施例进行详细介绍。如图I所示，该氧化铝陶瓷基板I瓦13dB衰减片包括一尺寸为2*3. 5*0. 635MM的氧化铝基板1，氧化铝基板I的背面印刷有背导层，氧化铝基板I的正面印刷有导线2及膜状电阻R1、R2、R3，膜状电阻R1、R2、R3通过导线连接形成衰减电路，衰减电路通过银浆与背导层电连接，从而使衰减电路接地导通。该衰减电路沿氧化铝基板的中心线对称，膜状电阻Rl、R2、R3上印刷有玻璃保护膜3，导线2及高温烧结电阻保护膜3的上表面还印刷有ー层环氧树脂蓝色保护膜4，这样可对导线2及膜状电阻Rl、R2、R3形成保护。该氧化铝陶瓷基板I瓦13dB衰减片要求输入端和接地的阻抗为50±1. 5Ω，输出端和接地端的阻抗为50±1. 5Ω。信号输入端进入衰减片，经过膜状电阻R1、R3、R2对功率的逐步吸收，从输出端输出实际所需要的信号。该氧化铝陶瓷基板I瓦13dB衰减片采用高温陶瓷与浆料共烧技术，使陶瓷金属化而产生电路性能，減少了多次烧结可能对产品产生的破坏性影响，減少使用中坏掉的风险。衰减电路处于ー个完全対称的状态，电路的稳定性得到提升，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得衰减片能应用于2G-3G的网络。可广泛应用于航空、航天、雷达、电台、广播通讯等设备领域隔离器、环形器等微波产品的生产。以上对本专利技术实施例所提供的一种氧化铝陶瓷基板I瓦13dB衰减片进行了详细介绍，对于本领域的一般技术人员，依据本专利技术实施例的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本专利技术的限制，凡依本专利技术设计思想所做的任何改变都在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氧化铝陶瓷基板I瓦13dB衰减片，其特征在于其包括一尺寸为2*3. 5*0. 635MM的氧化铝基板，所述氧化铝基板的背面印刷有背导层，所述氧化铝基板的正面印刷有导线及膜状电阻，所述导线连接所述膜状电阻连接形成T型衰减电路。此衰减片在生产中采用高温陶瓷与浆料共烧技术，使陶瓷金属化而产生电路性能，减少了多次烧结可能对广品广生的破坏性影响，减少使用中...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈建良，
申请(专利权)人：苏州市新诚氏电子有限公司，
类型：发明
国别省市：