本发明专利技术实施例公开了一种氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置，涉及显示领域。所述氧化物薄膜晶体管，包括基板、源电极、漏电极、活化层和钝化层；所述源电极、所述漏电极、所述活化层和所述钝化层设置于所述基板上；所述源电极和所述漏电极之间的区域是沟道区域；所述钝化层至少在所述沟道区域与所述活化层直接接触。本发明专利技术避免了在制作氧化物薄膜晶体管的过程中刻蚀阻挡层对氧化物薄膜晶体管的活化层，或者漏电极和源电极造成的危害。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示领域，尤其涉及一种氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置。
技术介绍
有机发光显示器件是新一代的显示器件，与液晶显示器相比，具有很多优点，如自发光、响应速度快、宽视角等，可以用于柔性显示、透明显示、3D显示等。 有源矩阵发光显示器为每一个像素配备了用于控制该像素的开关一薄膜晶体管，因此通过驱动电路，可以独立控制每一个像素，同时不会对其他像素造成串扰等影响。薄膜晶体管至少由栅极、源极、漏极、栅绝缘层和活化层组成。目前活化层主要由硅组成，也可以由非晶硅或多晶硅组成。采用非晶硅制成的活化层的薄膜晶体管，因其特性的限制(如迁移率、开态电流等)，难以用于需要较大电流和快速响应的场合，如有机发光显示器和大尺寸、高分辨率、高刷新频率的显示器等。采用多晶硅制成的活化层的薄膜晶体管，其特性优于采用非晶硅制成的活化层的薄膜晶体管，可以用于有机发光显示器，但是因为均匀性不佳，因此制备中大尺寸的面板仍有困难。可采用增加补偿电路的方法处理多晶硅特性不均匀的问题，但同时增加了像素中的薄膜晶体管和电容的数量，增加了掩膜数量和制作难度，造成产量减低和良率下降。另外，如果采用诸如ELA(准分子激光退火技术)等LTPS (低温多晶硅)技术来对非晶硅进行晶化，还将需要增加昂贵的设备和维护费用。因此，氧化物半导体日益受到重视。氧化物半导体为活化层的薄膜晶体管的特性 优于非晶硅，如迁移率、开态电流、开关特性等。虽然特性不如多晶硅，但足以用于需要快速响应和较大电流的应用，如高频、高分比率、大尺寸的显示器以及有机发光显示器等。氧化物的均匀性较好，与多晶硅相比，由于没有均匀性问题，不需要增加补偿电路，在掩膜数量和制作难度上均有优势。在制作大尺寸的显示器方面也没有难度。而且采用溅射等方法就可以制备，不需增加额外的设备，具有成本优势。在现有的一种氧化物薄膜晶体管的制作方法中，源电极和漏电极设置于活化层之上，为了形成源电极和漏电极，需采用刻蚀阻挡层来确保在对源漏金属层刻蚀时活化层不被刻蚀，这种工艺的缺点是刻蚀阻挡层中的H+离子会扩散到活化层中从而影响晶体管性能，而且还或多或少地会出现活化层被刻蚀的现象。图I是现有的一种氧化物薄膜晶体管的典型结构图，该氧化物薄膜晶体管包括基板100、栅电极101、栅极绝缘层102、活化层103、刻蚀阻挡层104、漏电极105-1和源电极 105-2。在现有氧化物薄膜晶体管的制作过程中，漏电极105-1、源电极105-2用湿法刻蚀来图案化，由于刻蚀液对漏电极105-1和源电极105-2下面的活化层103也具有刻蚀作用，因此采用一刻蚀阻挡层104来确保在对源漏金属层刻蚀时活化层103不被刻蚀，这种工艺的缺点是刻蚀阻挡层中的H+离子会扩散到活化层103中从而影响晶体管性能，而且还或多或少地会出现活化层被刻蚀的现象。在现有的另一种氧化物薄膜晶体管的制作方法中，活化层设置于源电极和漏电极之上，为了形成活化层，需采用刻蚀阻挡层来确保在对活化层刻蚀而形成活化层时源电极和漏电极不被刻蚀，这种工艺的缺点是刻蚀阻挡层中的H+离子会扩散到源电极和漏电极中从而影响晶体管性能，而且还或多或少地会出现源电极和漏电极被刻蚀的现象。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供 一种氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置，以避免刻蚀阻挡层对活化层，或者漏电极和源电极造成的危害。为了达到上述目的，本专利技术提供了一种氧化物薄膜晶体管，包括基板、源电极、漏电极、活化层和钝化层；所述源电极、所述漏电极、所述活化层和所述钝化层设置于所述基板上；所述源电极和所述漏电极之间的区域是沟道区域；所述钝化层至少在所述沟道区域与所述活化层直接接触。实施时，所述源电极和所述漏电极分别设置于所述活化层上；所述钝化层设置于设有所述源电极和所述漏电极的基板。实施时，所述活化层设置于设有所述源电极和所述漏电极的基板上；所述钝化层设置于设有所述活化层的基板上。本专利技术还提供了一种阵列基板，包括上述任一所述的氧化物薄膜晶体管。本专利技术还提供了一种显示装置，包括上述所述的阵列基板。本专利技术还提供了一种氧化物薄膜晶体管的制作方法，包括以下步骤在形成活化层和钝化层之间，至少在源电极与漏电极和活化层接触的区域外设置光刻胶；之后剥离该光刻胶。实施时，本专利技术所述的氧化物薄膜晶体管的制作方法包括以下步骤在活化层上除了要分别形成漏电极和源电极的区域之外设置光刻胶；在所述活化层和所述光刻胶上沉积源漏金属层，通过剥离而去除所述光刻胶以及该光刻胶之上的源漏金属层，从而在所述活化层上分别形成漏电极和源电极。实施时，所述光刻胶上的源漏金属层和与所述活化层接触的源漏金属层之间存在一高度差。实施时，在设置有光刻胶的基板上沉积源漏金属层步骤包括在设置有光刻胶的基板上采用常温溅射或常温蒸镀沉积源漏金属层。实施时，本专利技术所述的氧化物薄膜晶体管的制作方法包括以下步骤在形成有漏电极和源电极的基板上，除了所述漏电极上和所述源电极上要与活化层连接的区域及要形成沟道的区域，设置光刻胶；在设置有光刻胶的基板上沉积活化层，并通过剥离而去除所述光刻胶以及该光刻胶之上的活化层，从而在设有所述源电极和所述漏电极的基板上设置活化层。实施时，所述光刻胶上的活化层和与所述漏电极和所述源电极上的活化层之间存在一高度差。实施时，在设置有光刻胶的基板上沉积活化层步骤包括在设置有光刻胶的基板上采用常温溅射或常温蒸镀而沉积活化层。与现有技术相比，本专利技术所述的氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置，具有如下优点制作过程省去了刻蚀阻挡层，工艺简单化；没有刻蚀阻挡层给活化层带来的如H+扩散、沉积刻蚀阻挡层时对活化层的伤害等;将光刻胶剥离的剥离液对活化层没有刻蚀作用，不用担心活化层被刻蚀；沉积源漏金属层采用常温蒸镀或常温溅射，避免了高温蒸镀或高温溅射沉积源漏金属层给活化层带来的危害；工艺简单化，生产良率好控制。 附图说明图I是现有的氧化物薄膜晶体管的典型结构图；图2是本专利技术第一实施例所述的氧化物薄膜晶体管制作方法的流程图；图3是本专利技术第二实施例所述的氧化物薄膜晶体管制作方法的流程图；图4A、图4B、图4C、图4D、图4E、图4F是本专利技术第三实施例所述的氧化物薄膜晶体管制作方法的工艺流程示意图；图5A、图5B、图5C、5E、图5F是本专利技术第四实施例所述的氧化物薄膜晶体管制作方法的工艺流程示意图。具体实施例方式本专利技术提供了一种氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置。本专利技术所述的氧化物薄膜晶体管制作方法可以适用于顶栅顶接触、顶栅底接触、底栅、双栅等结构的氧化物薄膜晶体管。本专利技术所述的氧化物薄膜晶体管的制作方法包括以下步骤在形成活化层和钝化层之间，至少在源电极与漏电极和活化层接触的区域外设置光刻胶；之后剥离该光刻胶。本专利技术所述的氧化物薄膜晶体管，包括基板、源电极、漏电极、活化层和钝化层；所述源电极、所述漏电极、所述活化层和所述钝化层设置于所述基板上；所述源电极和所述漏电极之间的区域是沟道区域；所述钝化层至少在所述沟道区域与所述活化层直接接触。如图2所示，本专利技术第一实施例所述的氧化物薄膜晶体管制作方法包括以下步骤步骤21 :在活化层上除了要分别形成漏电极和源电极的区域之外设置光刻胶；步骤22 :在所述活化层和所述光刻胶上沉积本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种氧化物薄膜晶体管，其特征在于，包括基板、源电极、漏电极、活化层和钝化层； 所述源电极、所述漏电极、所述活化层和所述钝化层设置于所述基板上； 所述源电极和所述漏电极之间的区域是沟道区域； 所述钝化层至少在所述沟道区域与所述活化层直接接触。2.如权利要求I所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于， 所述源电极和所述漏电极分别设置于所述活化层上； 所述钝化层设置于设有所述源电极和所述漏电极的基板。3.如权利要求I所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于， 所述活化层设置于设有所述源电极和所述漏电极的基板上； 所述钝化层设置于设有所述活化层的基板上。4.一种氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤在形成活化层和钝化层之间，至少在源电极与漏电极和活化层接触的区域外设置光刻胶；之后剥离该光刻胶。5.如权利要求4所述的氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤在活化层上除了要分别形成漏电极和源电极的区域之外设置光刻胶；在所述活化层和所述光刻胶上沉积源漏金属层，通过剥离而去除所述光刻胶以及该光刻胶之上的源漏金属层，从而在所述活化层上分别形成漏电极和源电极。6.如权利要求5所述的氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：成军，刘晓娣，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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