【技术实现步骤摘要】
本专利技术是一种涉及带隙基准的单片集成电路,尤其是输出电流形式为HnT的用于带隙基准的非线性校正电路。
技术介绍
A/D,D/A转换器,温度传感器,测量系统和稳压器等各种系统使用基准电路以建立该系统的准确性。通常情况下,参考电路有以下两种类型带隙基准或齐纳基准。相对于约7伏的击穿电压,齐纳二极管基准需要大约10伏的电压以达到适当的操作范围。然而,微电子产业的发展趋势是降低电源电压,并将5伏供电电压标准化。其结果 是减少适合于齐纳基准系统的数目,同时也需要一个准确的基准。带隙基准是能够满足精度和单一的5伏供电双重要求的首选电路。然而,带隙基准的精确度要求越来越高,尤其是迫切要求提高相对于温度线性的精度。在这一点上,回顾传统带隙基准的特征和近似输出是有利的。图I是一种传统带隙基准电路10的原理图,其形式相对简单且带隙基准相对准确,即布罗考单元。布罗考单元中,电阻R1,R2的阻值和运算放大器Al已选定,以使NPN晶体管Ql和Q2在集电极电流相等的情况下工作。其次,Ql和Q2的发射结面积比为A,当Ql和Q2在集电极电流相等的情况下工作时,Ql的基极-发射极电压Vbe较Q2的基极-发射极电压低。第三,R3两端压降VR3的值为晶体管Ql和Q2的基极-发射极电压之差AVbe。众所周知,这样的电压差与绝对温度成正比即“PTAT”电压,其形式如下其中A是选定的Ql和Q2的电流密度比,由于它们在相同的电流水平下工作,所以A也是Ql和Q2的发射结面积比。第四,因为14 = 11+12 = 212,所以电阻R4和R3两端的电压比 VR4/VR3 由式 G = VR4/VR3 = ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于带隙基准的非线性校正电路,其特征是一对双极晶体管I和2的基极通过阻值为R的电阻相连,其集电极分别加载输入电流,电路通过上述电阻以选定的形式输出电流,令晶体管的集电极电流分别为11,12,其中Il直接与温度成正比,上述通过电阻的输出电流的形式为2.根据权利要求I所述的用于带隙基准的非线性校正电路,其特征是输出电流形式为TlnT,双极晶体管2和I的发射极面积比为A2/A1,电流Il与绝对温度成正比,这样输出电流一般为HnT形式;选择的晶体管发射极面积比相对较小并且集电极电流比相对较大,这样在选定的工作温度下,电流值较大。3.根据权利要求2所述的用...
【专利技术属性】
技术研发人员:包兴坤,
申请(专利权)人:苏州硅智源微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
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