半导体晶片接合体的制造方法、半导体晶片接合体和半导体装置制造方法及图纸

一种半导体晶片接合体的制造方法，包括：准备隔片形成用膜的工序，其中，所述隔片形成用膜具有片状支承基材和设置在该支承基材上的具有感光性的隔片形成层；将所述隔片形成层粘贴于半导体晶片的一侧面上的工序；通过对所述隔片形成层进行曝光、显影而进行图案化，从而形成隔片，并且去除所述支承基材的工序；以及在上述隔片的曾经与上述支承基材相接触的部分，以被包含于该部分内侧的方式，接合透明基板的工序。由此，可制造出通过隔片均匀且可靠地接合半导体晶片和透明基板而成的半导体晶片接合体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体晶片接合体的制造方法、半导体晶片接合体以及半导体装置。
技术介绍
作为以CMOS图像传感器、CXD图像传感器等的光接收装置为代表的半导体装置，已知具有设置有光接收部的半导体基板；设置于半导体基板的光接收部侧并且以包围光接收部的方式形成的隔片；以及通过该隔片与半导体基板接合的透明基板的半导体装置。上述半导体装置的制造方法，通常包括下列工序粘贴工序，在设置有多个光接收部的半导体晶片上粘贴感光性的粘接膜(隔片形成层)；曝光工序，通过掩模对该粘接膜有选择性地照射化学射线，对粘接膜进行曝光；形成工序，对已曝光的粘接膜进行显影以形成隔片；接合工序，将透明基板接合于所形成的隔片上；以及切割工序，对通过隔片来接合半导体晶片与透明基板而成的接合体进行切割(例如，参照专利文献I)。 通常，粘接膜在被粘贴于半导体晶片上之前，设置于片状基材上。并且，将该片状基材吸附在挤压用板上，并在该状态下，沿着挤压用板的外周切割片状基材和粘接膜。然后，将挤压用板带到半导体晶片上，通过挤压用板并隔着片状基材对粘接膜进行挤压以使其粘贴于半导体晶片上。通过如上所述沿着挤压用板的外周切割的片状基材和粘接膜的外径，分别小于半导体晶片的外径。并且，若采用挤压用板并通过片状基材对粘接膜进行挤压以使其粘贴于半导体晶片上，则粘接膜的外周边从基材的外周边向外侧露出，导致其露出的部分形成于半导体晶片上。如此一来，会导致粘接膜中从片状基材外周边向外侧露出部分的厚度变得大于其它部分(被挤压后变薄的部分)。另一方面，以往对半导体晶片和透明基板进行接合时，是通过使用与半导体晶片大小相同的透明基板或者比半导体晶片稍微大些的透明基板来进行。因此，透明基板是通过跨越上述粘接膜的较厚部分和变薄的部分而进行接合。其结果是，不能使粘接膜和透明基板进行均匀粘接，有时发生局部接合不良。当使用如此的产生接合不良的接合体来制造半导体装置时，会导致成品率降低。现有技术文献专利文献专利文献I :日本特开2008-91399号公报
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种半导体晶片接合体的制造方法、以及可靠性优良的半导体晶片接合体和半导体装置，根据所述半导体晶片接合体的制造方法，可制造出通过隔片均匀且可靠地接合半导体晶片与透明基板而成的半导体晶片接合体。本专利技术的上述目的可通过下列⑴ (16)中所记载的技术方案来实现。(I) 一种半导体晶片接合体的制造方法，其特征在于，包括准备隔片形成用膜的工序，其中，所述隔片形成用膜具有片状支承基材和设置在该支承基材上的具有感光性的隔片形成层；将所述隔片形成层粘贴于半导体晶片的一侧面上的工序；通过对所述隔片形成层进行曝光、显影而进行图案化，从而形成隔片，并且去除所述支承基材的工序；以及在上述隔片的曾经与上述支承基材相接触的部分，以被包含于该部分内侧的方式，接合透明基板的工序。(2)如上述(I)所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，在将所述隔片形成层 粘贴于所述半导体晶片的工序中，以使所述隔片形成层的外周边位于所述支承基材的外周边的外侧的状态，将所述隔片形成层粘贴于所述半导体晶片上。(3)如上述(2)所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，在将所述隔片形成层粘贴于所述半导体晶片的工序之前，具有在使所述支承基材吸附于具有挤压面的挤压部件的所述挤压面的状态下，沿着所述挤压面的外周边切割所述隔片形成用膜的工序。(4)如上述(3)所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，在将所述隔片形成层粘贴于所述半导体晶片的工序中，通过所述挤压面，将所述支承基材挤压在所述隔片形成层侧。(5)如上述(I)至(4)中任一项所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，在将所述隔片形成层粘贴于所述半导体晶片的工序中，将所述支承基材和所述隔片形成层形成为足够大，以在所述接合透明基板的工序中，能够使所述透明基板被包含于所述隔片的曾经与所述支承基材相接触的部分的内侧。(6)如上述(5)所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，所述半导体晶片在外周边的角部具有倒角部，并在将所述隔片形成层粘贴于所述半导体晶片的工序中，以所述隔片形成层的外周边位于所述倒角部分上或者其附近的状态进行粘贴。(7)如上述(5)或(6)所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，在将所述隔片形成层粘贴于所述半导体晶片的工序中，所述隔片形成层的外周边与所述半导体晶片的外周边一致或者位于其外侧。(8)如上述(I)至(4)中任一项所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，在将所述隔片形成层粘贴于所述半导体晶片的工序中，所述隔片形成层的外周边位于所述半导体晶片的外周边的内侧。(9)如上述⑶所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，在所述接合透明基板的工序中，所述透明基板的外周边位于所述隔片形成层的外周边的内侧。(10)如上述⑴至(9)中任一项所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，上述曝光是在去除所述支承基材前，通过上述支承基材对所述隔片形成层有选择地照射化学射线来进行。(11)如上述⑴至(10)中任一项所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，前述支承基材的平均厚度为5 100 ii m。(12)如上述⑴至(11)中任一项所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，所述隔片形成层是由包含碱溶性树脂、热固性树脂和光聚合引发剂的材料来构成。(13)如上述(12)所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，所述碱溶性树脂为(甲基)丙烯酸改性酚醛树脂。(14)如上述(12)或(13)所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，所述热固性树脂为环氧树脂。(15) 一种半导体晶片接合体，其特征在于，通过上述⑴至(14)中任一项所述的方法来制造。(16) 一种半导体装置，其特征在于，通过对上述(15)所述的半导体晶片接合体进行单片化来获得。附图说明图I是表示本专利技术实施方式的半导体装置的剖面图。 图2是表示本专利技术实施方式(第一实施方式)的半导体晶片接合体的纵向剖面图。图3是表示图2所示的半导体晶片接合体的平面图。图4是表示图I所示的半导体装置(图2所示半导体晶片接合体)的制造方法的一个实例的工序图。图5是表示图I所示的半导体装置(图2所示半导体晶片接合体)的制造方法的一个实例的工序图。图6是用于说明图4(c)所示的粘贴工序的图。图7是用于说明图4(c)所不的粘贴工序的图。图8是表示本专利技术实施方式(第二实施方式)的半导体晶片接合体的纵向剖面图。图9是表示图8所示的半导体晶片接合体的制造方法的一个实例的工序图。图10是表示图8所示的半导体晶片接合体的制造方法的一个实例的工序图。具体实施例方式下面，基于附图来说明本专利技术的实施方式。(第一实施方式)<半导体装置(图像传感器)>首先，说明本专利技术的半导体装置。图I是表示本专利技术实施方式的半导体装置的剖面图。此外，在下面的说明中，为了便于说明，将图I中的上侧称为“上”、下侧称为“下”。图I所示的半导体装置100，是通过将后述的本专利技术的半导体晶片接合体1000进行单片化来获得。如图I所示，上述半导体装置(光接收装置)100，具有基底基板101，以与基底基板101相对置的方式配置的透明基板102，设置在基底基板101的透明基板102侧的面上且包含光接收部的单独电路103，设置于透明基板102与包含光接收部的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2009.09.09 JP 2009-208705;2009.09.16 JP 2009-215051.一种半导体晶片接合体的制造方法，其特征在于，包括 准备隔片形成用膜的エ序，其中，所述隔片形成用膜具有片状支承基材和设置在该支承基材上的具有感光性的隔片形成层； 将所述隔片形成层粘贴于半导体晶片的ー侧面上的エ序； 通过对所述隔片形成层进行曝光、显影而进行图案化，从而形成隔片，并且去除所述支承基材的エ序；以及 在所述隔片的曾经与所述支承基材相接触的部分，以被包含于该部分内侧的方式，接合透明基板的エ序。2.如权利要求I所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，在将所述隔片形成层粘贴于所述半导体晶片的エ序中，以使所述隔片形成层的外周边位于所述支承基材的外周边的外侧的状态，将所述隔片形成层粘贴于所述半导体晶片上。3.如权利要求2所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，在将所述隔片形成层粘贴于所述半导体晶片的エ序之前，具有在使所述支承基材吸附于具有挤压面的挤压部件的所述挤压面的状态下，沿着所述挤压面的外周边切割所述隔片形成用膜的エ序。4.如权利要求3所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，在将所述隔片形成层粘贴于所述半导体晶片的エ序中，通过所述挤压面，将所述支承基材挤压在所述隔片形成层侦れ5.如权利要求I至4中任一项所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，在将所述隔片形成层粘贴于所述半导体晶片的エ序中，将所述支承基材和所述隔片形成层形成为足够大，以在所述接合透明基板的エ序中，能够使所述透明基板被包含于所述隔片的曾经与所述支承基材相接触的部分的内侧。6.如权利要求5所述的半导体晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：米山正洋，川田政和，高桥丰诚，出岛裕久，白石史广，佐藤敏宽，
申请(专利权)人：住友电木株式会社，
类型：发明
国别省市：