晶圆级电磁防护结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种晶圆级电磁防护结构，其包括：一晶圆、一电磁防护单元。晶圆的顶面具有一外露线路单元，并且外露线路单元的表面上具有多个导体。电磁防护单元具有一围绕且设置于晶圆的周围表面上的第一电磁防护层以及一覆盖于晶圆底面的第二电磁防护层。本发明专利技术还公开了一种晶圆级电磁防护结构的制造方法。本发明专利技术的晶圆级电磁防护结构通过晶圆级的制程方法，使得电磁防护结构为微型的电磁防护结构，并且使得每一晶圆均具有防止电磁干扰的屏蔽效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电磁防护结构及其制造方法，特别是涉及ー种。
技术介绍
电磁防护结构(EMI Shielding Structure)最主要的用途是防止各种电子电路元件之间的电磁干扰现象的发生，从构造上说，电磁防护结构主要由基板単元、电子电路单元、金属防护单元、电性连接単元组合而成。具有电磁防护结构的电子电路元件能够广泛应用于各式各样的产品当中，例如笔记本电脑、手机、电子书、平板电脑、电子游戏主机、通讯 产品、数字相框、车用卫星导航、数字电视等各项应用。现有的相关技术是这样的，在制造电磁防护结构时，电磁防护结构的基板与电子电路元件须采用各种电性连接方式，导致整体结构过于庞大，或者成品的厚度过厚，这就违背了现今电子产品轻薄短小的趋势。因此，目前急需研发一种轻薄的、微型的电磁防护结构。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是为了克服现有技术电磁防护结构电性连接方式复杂导致电磁防护结构整体结构过于庞大、成品的厚度过厚的缺陷，提供ー种轻薄、微型电磁防护结构及其制造方法。本专利技术是通过下述技术方案来解决上述技术问题的一种晶圆级电磁防护结构，包括一晶圆以及ー电磁防护单元。晶圆的顶面具有一外露线路单元，并且外露线路单元的表面上具有多个导体。电磁防护单元具有ー围绕且设置于晶圆的周围表面上的第一电磁防护层及ー覆盖于晶圆底面的第二防护层。第一电磁防护层与第二电磁防护层相互连接，并且使得两者彼此间形成电性连接。优选地，该晶圆为硅晶圆，该导体为锡球或金属凸块。优选地，该第一电磁防护层为金属材质，该第二电磁防护层为金属派镀层。本专利技术的另ー技术方案为一种晶圆级电磁防护结构的制造方法，其特点在于，其包括以下步骤提供一晶圆衬底，其中该晶圆衬底的顶面具有多个外露线路单元；在该晶圆衬底的顶面形成多条凹槽，其中每一条凹槽位于两个外露线路单元之间；在该些凹槽内形成一第一导电材料；在姆ー个外露线路单兀的表面上形成多个导体；移除该晶圆衬底的底面，以形成多个晶圆且使得该第一导电材料的底面裸露出来，其中该些晶圆彼此分离ー距离且分别对应于该些外露线路单元；将ー第二导电材料同时覆盖在该些晶圆的底面上以及该第一导电材料的底面上；以及沿着该些凹槽切割该第一导电材料以及该第二导电材料，以形成多个晶圆级电磁防护结构。优选地，该第二导电材料通过溅镀方式形成。优选地，该晶圆衬底的底面通过研磨方式移除。优选地，该些导体为锡球或金属凸块。优选地，上述切割步骤中，该第一导电材料被切割成多个第一电磁防护层，该第二导电材料被切割成多个第ニ电磁防护层。优选地，每ー个晶圆级电磁防护结构包括有 一晶圆，该晶圆顶面具有一外露线路单元，且该外露线路单元的表面上具有多个导体；以及—电磁防护单兀，该电磁防护单兀具有一第一电磁防护层以及ー第二电磁防护层，该第一电磁防护层围绕且设置于该晶圆的周围表面上，该第二电磁防护层覆盖于该晶圆的底面且连结该第一电磁防护层。优选地，该第一电磁防护层以及该第二电磁防护层由金属材料形成。优选地，该第一电磁防护层与该第二电磁防护层构成ー电磁防护单元，该电磁防护单元用于防止该晶圆与外部环境产生电磁干扰作用。本专利技术的积极进步效果在干本专利技术所提供的晶圆级电磁防护结构是具有微型结构的电磁防护结构。可以通过晶圆级的制程方法，并且通过将第一电磁防护层及第ニ电磁防护层分别设置于晶圆的周围表面上及底面上，来构成电磁防护単元，使得晶圆及外露线路单元均具有防止电磁干扰的效果。附图说明图I为本专利技术晶圆级电磁防护结构的其中一个实施例的剖面示意图。图2A为本专利技术晶圆级电磁防护结构的其中一个实施例的第一步骤的剖面示意图。图2B为本专利技术晶圆级电磁防护结构的其中一个实施例的第二步骤的剖面示意图。图2C为本专利技术晶圆级电磁防护结构的其中一个实施例的第三步骤的剖面示意图。图2D为本专利技术晶圆级电磁防护结构的其中一个实施例的第四步骤的剖面示意图。图2E为本专利技术晶圆级电磁防护结构的其中一个实施例的第五步骤的剖面示意图。图2F为本专利技术晶圆级电磁防护结构的其中一个实施例的第六步骤的剖面示意图。图2G为本专利技术晶圆级电磁防护结构的其中一个实施例的第七步骤的剖面示意图。图3为图2B的俯视图。图4为本专利技术晶圆级电磁防护结构的制造方法的各个步骤的流程示意图。附图标记说明I 晶圆I’晶圆衬底2外露线路单元3电磁防护单元31第一电磁防护层31’第一导电材料 32第二电磁防护层32’第二导电材料4 导体具体实施例方式为了进一步说明本专利技术的技术特征以及
技术实现思路
，下面将结合附图详细说明本专利技术的技术方案，但是这里的说明与附图仅是用来说明本专利技术，并非限制本专利技术的权利要求范围。请參阅图I所示，其为本专利技术的晶圆级电磁防护结构的其中一个实施例的剖面示意图。根据本专利技术的晶圆级电磁防护结构的其中一个实施例，该晶圆级电磁防护结构包括一晶圆I、一外露线路单兀2以及ー电磁防护单兀3。晶圆I可为一娃晶圆衬底(Silicon wafer substrate)材料所制成。晶圆I的顶面具有外露线路单元2，且外露线路单元2的表面上具有多个导体4。另外，导体4可为锡球或其它导电凸块(例如金属凸块)，使导体4兼具良好的导电性。外露线路单元2可为集成电路(Integrated circuit)的外露线路,但不局限于此。电磁防护单元3是由两个电磁防护层所构成的，其分别为第一电磁防护层31及第ニ电磁防护层32。第一电磁防护层31设置于晶圆I的周围表面上，也就是说，第一电磁防护层31围绕着晶圆I的侧表面。第二电磁防护层32覆盖在晶圆I的底面上，并且该第二电磁防护层32与第一电磁防护层31连接。也就是说，第二电磁防护层32与第一电磁防护层31不在同一个平面上，而是互相呈九十度角的垂直关系。另外，第一电磁防护层31与第二电磁防护层32彼此相互连接，使得两者彼此间形成电性连接。再者，第一电磁防护层31可由一金属溅镀层，其中优选的金属为铜。而第二电磁防护层32也可由一金属材质所形成，其中优选的金属也为铜。为了形成良好的电磁屏蔽作用，则晶圆级电磁防护结构的整体结构需要具有接地的特性。因此，电磁防护单元3需要与晶圆I的接地部位形成电性连接。上述的接地部位设置于晶圆I的侧面，也就是晶圆I的周围表面。换句话说，当第一电磁防护层31与晶圆I的周围表面接触，就形成了电性连接关系。通过上述的电性连接关系，使得电磁防护单元3能发挥最佳的电磁屏蔽效果。请參阅图2A至图2G所示，其分别为本专利技术的其中一个实施例的第一、ニ、三、四、五、六及七步骤的制作方法的剖面示意图。根据本专利技术晶圆级电磁防护结构的制作方法，其包括步骤第一步骤(请參阅图2A)，首先，提供一晶圆衬底1’，其中该晶圆衬底I’的顶面具有多个外露线路单元2。当然，该晶圆衬底I’的顶面也可只设置至少ー个外露线路单元2。因此，本专利技术的外露线路单元2的数量可随着不同的设计需求来決定。第二步骤(请參阅图2B)，在晶圆衬底I’的顶面形成多条凹槽11，其中每一条凹槽11位于两个外露线路单元2之间。也就是说，若以阵列形式将外露线路单元2制作于晶圆衬底I’上，则凹槽11将呈棋盘状纵横交错地设置于晶圆衬底I’上(请參阅图3所示，图3为图2B的俯视图，这有助于本领域技术人员更为了解本步骤中所述的凹槽11的配置方式)。当然，在晶圆衬底I’顶面形成的凹槽11也本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆级电磁防护结构，其特征在于，其包括 一晶圆，该晶圆顶面具有一外露线路单元，且该外露线路单元的表面上具有多个导体；以及 ー电磁防护单兀，该电磁防护单兀具有一第一电磁防护层及一第二电磁防护层，该第ー电磁防护层围绕且设置于该晶圆的周围表面上，该第二电磁防护层覆盖于该晶圆的底面且与该第一电磁防护层连接。2.如权利要求I所述的晶圆级电磁防护结构，其特征在于，该晶圆为硅晶圆，该导体为锡球或金属凸块。3.如权利要求I所述的晶圆级电磁防护结构，其特征在于，该第一电磁防护层为金属材质，该第二电磁防护层为金属溅镀层。4.一种晶圆级电磁防护结构的制造方法，其特征在于，其包括以下步骤 提供一晶圆衬底，其中该晶圆衬底的顶面具有多个外露线路单元； 在该晶圆衬底的顶面形成多条凹槽，其中每一条凹槽位于两个外露线路单元之间； 在该些凹槽内形成一第一导电材料； 在每ー个外露线路单元的表面上形成多个导体； 移除该晶圆衬底的底面，以形成多个晶圆且使得该第一导电材料的底面裸露出来，其中该些晶圆彼此分离ー距离且分别对应于该些外露线路单元； 将ー第二导电材料同时覆盖在该些晶圆的底面上以及该第一导电材料的底面上；以及沿着该些凹槽切割该第一导电材料以及该第二导电材料，以形成多个晶圆级电磁防护结构。5.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴明哲，
申请(专利权)人：环旭电子股份有限公司，环鸿科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：