近场光发生元件、近场光头及信息记录再现装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供能够缩小近场光的光点尺寸的近场光发生元件、近场光头及信息记录再现装置。其特征在于：具有在芯层(23)及包层之间配置、沿着和芯层(23)的界面传播激光、由激光产生近场光的金属膜(71)，该金属膜(71)具有在沿着从一端侧朝着另一端侧的激光的传播方向的芯层(23)的一侧面上配置的基部(72)，和从基部(72)的另一端侧延伸到比芯层(23)靠传播方向的另一端侧的延伸部(73)，延伸部(73)的另一端侧向外部露出，并且还形成从传播方向看朝着芯层(23)侧突出的顶部(77)。

【技术实现步骤摘要】
近场光发生元件、近场光头及信息记录再现装置
本专利技术涉及利用将光束聚光的近场光在磁记录介质上记录再现各种信息的近场光发生元件、近场光头及信息记录再现装置。
技术介绍
近几年来，伴随着计算机设备中的硬盘等的容量增加，单一记录面内信息的记录密度不断增加。例如为了增大磁盘的单位面积的记录容量，需要提高面记录密度。可是，随着记录密度的提高，在记录介质上每比特所占的记录面积变小。该比特尺寸变小后，1比特的信息具有的能量就接近室温的热能，产生了记录的信息由于热起伏等而反转或消失等热减磁的问题。在通常使用的面内记录方式中，是使磁化的方向朝着记录介质的面内方向地记录磁的方式。但在该方式中，容易发生上述热减磁引起的记录信息的消失等。因此，为了消除这种不良现象，近几年来采用在垂直于记录介质的方向垂直记录磁化信号的垂直记录方式。该方式是用靠近单磁极的原理在记录介质上记录磁信息的方式。采用该方式后，记录磁场朝着几乎垂直于记录膜的方向。由于N极和S极难以在记录膜面内形成回路，所以用垂直的磁场记录的信息容易保持能量的稳定。因此，与面内记录方式相比，该垂直记录方式耐热减磁的能力增强。可是对近几年来的记录介质有希望进行更大量而且高密度信息的记录再现等的需求，要求进一步高密度化。因此，为了将相邻的磁区彼此的影响及热起伏控制到最小限度，作为记录介质开始采用顽磁力强的记录介质。因此，即使是上述垂直记录方式，也难以在记录介质上记录信息。因此，为了消除上述不良现象，提供了利用将光聚光的点光或近场光局部性地加热磁区，使顽磁力暂时性地降低，在其间进行往记录介质的写入的混合磁记录方式的记录再现头。在这种记录再现头中，利用近场光的记录再现头(近场光头)主要具备滑块、在滑块上配置的具有主磁极及辅助磁极的记录元件、由照射的激光产生近场光的近场光发生元件、朝着近场光发生元件照射激光的激光光源、将由激光光源发出的激光引导到近场光发生元件为止的光波导(例如参照专利文献1)。近场光发生元件具有光束传播元件和金属膜，该光束传播元件具有使激光边反射边传播的芯层、以及紧贴芯层并密封芯层的包层，该金属膜配置在芯层及包层之间，由激光产生近场光。芯层颈缩成形(絞り成形)，即与从一端侧(光入射侧)朝着另一端侧(光出射侧)的激光传播方向正交的截面积逐渐减少，以使激光边聚光边向另一端侧传播。而且，在芯层的另一端侧的侧面配置上述金属膜。利用这样构成的记录再现头时，在产生近场光的同时施加记录磁场，从而在记录介质上记录各种信息。就是说，由激光光源出射的激光经过光波导入射光束传播元件内。而且，入射光束传播元件的激光，在芯层内传播并到达金属膜。于是，在金属膜中，由于内部的自由电子在激光的作用下一样地振动，所以等离子体激元被激励，使芯层的另一端侧在定域化状态下产生近场光。其结果，磁记录介质的磁记录层被近场光局部性地加热，顽磁力暂时性地降低。另外，在照射上述激光的同时，还向记录元件供给驱动电流，从而向靠近主磁极的前端的磁记录介质的磁记录层局部性地施加记录磁场。其结果，能够在顽磁力暂时性地降低的磁记录层中记录各种信息。就是说，能够利用近场光和磁场的合作，向磁记录介质进行记录。专利文献1：日本特开2008-152897号公报
技术实现思路
可是，为了实现记录介质的进一步高密度化，需要缩小近场光的光点尺寸、更加局部性地加热磁记录介质的磁记录层、抑制上述热起伏现象等的影响。为了缩小近场光的光点尺寸，人们想到了缩小金属膜的宽度(从激光的传播方向看，是和芯层的界面的宽度)。可是，因为金属膜(及芯层)是非常细微的图案(各自的尺寸为数十nm左右)，所以在进行各自对位的基础上谋求进一步细微化存在着极限。于是，本专利技术考虑上述情况而构思，其目的在于提供能够缩小近场光的光点尺寸的近场光发生元件、近场光头及信息记录再现装置。为了解决上述课题，本专利技术提供下述方案。本专利技术涉及的近场光发生元件，将导入一端侧的光束朝着另一端侧聚光并传播的同时，在生成近场光后向外部发射，其特征在于，具有：第1芯层，使所述光束朝着所述另一端侧传播；和近场光发生部，沿着所述第1芯层中的从所述一端侧朝着所述另一端侧的所述光束的传播方向配置、由所述光束产生所述近场光，所述近场光发生部具有：基部，配置在沿着所述传播方向的所述第1芯层的一侧面上；和延伸部，与所述第1芯层相比，从所述基部朝着沿所述传播方向的所述另一端侧延伸，所述延伸部的所述另一端侧，具有向外部露出的同时还朝着与所述第1芯层的所述一侧面的面方向交叉的方向突出的顶部，位于所述第1芯层中的所述另一端侧的端面，与所述一侧面构成的角度成为锐角地倾斜。依据该结构，在第1芯层内传播的光束入射近场光发生部，从而在近场光发生部激励表面等离子体激元。被激励的表面等离子体激元在近场光发生部上朝另一端侧传播。而且，在近场光发生部上传播的表面等离子体激元传播到延伸部后，在顶部中成为光强度很强的近场光泄漏到外部。这样，在延伸部形成顶部后，就能够产生从光束的传播方向看，具有比和第1芯层的界面的宽度狭小的光点尺寸的近场光。进而，由于位于第1芯层中的另一端侧的端面，与一侧面构成的角度成为锐角地倾斜，所以入射端面的光束的导入方向被朝着近场光发生元件地反射。这样，例如与在和第1芯层的一侧面正交的平坦面等形成位于第1芯层的另一端侧的端面时相比，能够抑制光束从位于第1芯层的另一端侧的端面泄漏到外部。就是说，因为在第1芯层内传播的光束有效地入射近场光发生部，所以能够确保入射近场光发生部的光量，提高近场光的产生效率。本专利技术的特征在于：具备对于所述第1芯层而言，从所述近场光发生部的相反侧覆盖所述第1芯层的第2芯层；从所述传播方向看，在所述第2芯层和所述基部的界面的延伸方向上，所述第2芯层的外侧端部与所述基部的外侧端部相比，位于外侧。依据该结构，第2芯层中的外侧端部与基部的外侧端部相比位于外侧，从而使包含第1芯层及第2芯层的整个芯层的一侧面的宽度比近场光发生部的宽度大地形成。因此，能够抑制在第1芯层及第2芯层内传播的光束的传播效率的下降，还能够缩小近场光的光点尺寸。这样，能够在确保光量的基础上缩小近场光的光点尺寸。另外，本专利技术的特征在于：所述第2芯层的折射率小于所述第1芯层。依据该结构，因为能够使在第1芯层及第2芯层内传播的光束逐渐朝着中心(第1芯层)聚光，所以能够提高光束的传播效率。另外，本专利技术的特征在于：在所述第1芯层的所述一侧面和所述近场光发生部之间，设有折射率小于所述第1芯层的第3芯层。依据该结构，能够实现依次配置第1芯层、折射率小于第1芯层的第3芯层及近场光发生部的所谓奥托配置。这样，在利用奥托配置的近场光发生元件中，由于折射率小于第1芯层的第3芯层在第1芯层和近场光发生部之间作为缓冲部发挥作用，所以能够不会对在第1芯层中传播的光束的波数产生较大的影响而在近场光发生部激励表面等离子体激元。另外，本专利技术的特征在于：对于所述第1芯层而言，在所述近场光发生部的相反侧形成遮光膜。依据该结构，对于第1芯层而言在近场光发生部的相反侧形成遮光膜，从而抑制入射第1芯层的光束泄漏到外部，用遮光膜和第1芯层的界面边反射边传播。这样，能够有效地使光束入射近场光发生部，提高近场光的产生效率。另外，本专利技术的特征在于：所述顶部从所述传播方向看，朝着所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
2011.03.11 JP 2011-054217;2011.12.26 JP 2011-283621.一种近场光发生元件，将导入一端侧的光束朝着另一端侧聚光并传播的同时，在生成近场光后向外部发射，其特征在于，具有：第1芯层，使所述光束朝着所述另一端侧传播；和近场光发生部，沿着所述第1芯层中的从所述一端侧朝着所述另一端侧的所述光束的传播方向配置、由所述光束产生所述近场光，所述近场光发生部具有：基部，配置在沿着所述传播方向的所述第1芯层的一侧面上；延伸部，与所述第1芯层相比，从所述基部朝着沿所述传播方向的所述另一端侧延伸；和突出部，从所述延伸部中的、至少位于所述另一端侧的部分朝着与所述第1芯层的所述一侧面的面方向交叉的方向突出，并且宽度比所述延伸部狭窄，所述突出部位于所述另一端侧的端面向外部露出，并且在与所述面方向交叉的方向在与所述延伸部侧相反一侧具有顶部，位于所述第1芯层中的所述另一端侧的端面，与所述一侧面构成的角度成为锐角地倾斜。2.如权利要求1所述的近场光发生元件，其特征在于：具备对于所述第1芯层而言，从所述近场光发生部的相反侧覆盖所述第1芯层的第2芯层；从所述传播方向看，在所述第2芯层和所述基部的界面的延伸方向上，所述第2芯层的外侧端部与所述基部的外侧端部相比，位于外侧。3.如权利要求2所述的近场光发生元件，其特征在于：所述第2芯层的折射率小于所述第1芯层。4.如权利要求1所述的近场光发生元件，其特征在于：在所述第1芯层的所述一侧面和所述近场光发生部之间，设有折射率小于所述第1芯层的第3芯层。5.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：平田雅一，千叶德男，大海学，
申请(专利权)人：精工电子有限公司，
类型：发明
国别省市：