【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总体涉及半导体处理,尤其涉及带有通孔的电路板以及制造所述电路板的方法。
技术介绍
包括半导体芯片封装衬底和电路卡的各种类型的电路板使用导体线路或轨迹来将信号、电力和接地从一个点传送到另一个点。许多常规电路板设计使用多个互连层或级。一层通过传导通孔与下一层电连接。通孔本身密集地形成在所谓的通孔连接盘上,通孔连接盘为定形的传导材料焊盘。许多常规的电路板通孔通常具有圆形印迹。一种类型的常规通孔焊盘具有圆形印迹,而另一种类型使用矩形印迹。存在将更多布线挤入电路板的现存趋势,尤其是半导体芯片封装衬底。除了其它方面,对于更大布线复杂度的需求是由于日渐复杂的半导体管芯设计的输入/输出数量的增加引起的。将更多的轨迹和通孔插入电路板布局中是至关重要的。实际上,增加布线的目标必须按设计规则完成,设计规则落实到位以确保用于形成电路板的制造工艺能够可靠地实现。常规的通孔和通孔连接盘通常从一个互连层到下一个互连层垂直地对准。因此,一种提高布线轨迹的组装密度的常规模式涉及到收缩通孔和连接盘。然而,任何缩小通孔尺寸以容纳另外的轨迹布线的尝试需要考虑伴随的通孔和通孔连接盘的电流密度的 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2009.11.12 US 12/617,5441.一种制造方法,包括 形成电路板的第一互连层,所述第一互连层包括成间隔关系的第一和第二导体结构、与所述第一导体结构欧姆接触的第一通孔以及与所述第二导体结构欧姆接触的第二通孔;以及 在所述第一互连层上形成第二互连层,所述第二互连层包括成间隔关系且横向偏离于所述第一和第二导体结构的第三和第四导体结构。2.如权利要求I所述的方法,其中,所述第二互连层形成有与所述第三导体结构欧姆接触的第三通孔以及与所述第四导体结构欧姆接触的第四通孔。3.如权利要求I所述的方法,其中,所述第三和第四通孔横向偏离于所述第一和第二通孔。4.如权利要求I所述的方法,包括在所述第二互连层中所述第三和第四导体结构之间形成至少两个导体轨迹。5.如权利要求4所述的方法,包括在所述第一互连层中所述第一和第二导体结构之间形成导体轨迹。6.如权利要求I所述的方法,包括使半导体芯片与所述电路板耦合。7.如权利要求I所述的方法,包括利用存储在计算机可读介质中的指令来形成所述第三和第四导体结构。8.如权利要求I所述的方法,包括使多个焊料球与所述电路板耦合。9.在电路板中传送电流的方法,包括 将至少两个导体轨迹嵌置在第一互连层的第一和第二通孔连接盘之间,所述第一和第二通孔连接盘横向偏离于位于所述第一互连层上的第二互连层中的第三和第四通孔连接盘;以及 通过所述至少两个导体轨迹来传送第一电流。10.如权利要求9所述的方法,其中所述第一电流包括电信号。11.如权利要求9所述的方法,其中,所述第一互连层包括与所述第一通孔连接盘欧姆接触的第三通孔以及与所述第二通孔连接盘欧姆接触的第四通孔。12.如权利要求9所述的方法,包括通过所述第一通孔连接盘...
【专利技术属性】
技术研发人员:安德鲁·KW·莱昂,
申请(专利权)人:ATI科技无限责任公司,
类型:发明
国别省市:
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