制造引线框架的方法和发光器件封装件技术

本发明专利技术公开了一种制造用于发光器件封装件的引线框架的方法和一种发光器件封装件。制造用于发光器件封装件的引线框架的方法包括：准备用于引线框架的基体基底；在基体基底上形成漫射粗糙度；在漫射粗糙化的基体基底上形成反射镀层。提供了通过表面处理而具有宽视角和宽辐射宽度的用于发光器件封装件的引线框架和发光器件封装件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种制造用于发光器件封装件的引线框架的方法以及ー种发光器件封装件。
技术介绍
发光器件封装件包括具有点光源的形状的发光器件和支撑发光器件并提供电通路的引线框架，其中，所述发光器件诸如发光二极管(LED)、激光二极管(LD)等。 随着引线框架的反射率(以GAM为单位)和预成型结构的反射率的増大，作为发光器件封装件的重要特性的亮度増大。预成型结构的形状(例如，壁角、高度等)及调整光的角度的发光器件的透镜的性能和形状影响发光器件封装件的视角。已经改善了引线框架的镀覆性能，以通过提高引线框架的反射率来提高发光器件封装件的性能。引线框架的表面层最终形成在非常平滑的镜面的反射面上。
技术实现思路
本专利技术提供了一种制造用于发光器件封装件的引线框架的方法和一种发光器件封装件，从而执行表面处理以具有宽视角和宽辐射宽度。根据本专利技术的一方面，提供了一种制造用于发光器件封装件的引线框架的方法，所述方法包括准备用于引线框架的基体基底；在基体基底上形成漫射粗糙度；在漫射粗糙化的基体基底上形成反射镀层。形成漫射粗糙度的步骤可包括将蚀刻エ艺和氧化工艺中的ー个化学エ艺应用于基体基底。蚀刻エ艺可包括本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
2011.03.10 KR 10-2011-0021429;2011.03.10 KR 10-2011.一种制造发光器件封装件的引线框架的方法，所述方法包括以下步骤 准备用于引线框架的基体基底； 在基体基底上形成漫射粗糙度； 在漫射粗糙化的基体基底上形成反射镀层。2.根据权利要求I所述的方法，其中，形成漫射粗糙度的步骤包括将蚀刻エ艺和氧化エ艺中的ー个化学エ艺应用于基体基底。3.根据权利要求2所述的方法，其中，蚀刻エ艺包括将退镀剂、过氧化氢-硫酸基软蚀刻溶液、氧化剂或它们的组合涂覆到基体基底上。4.根据权利要求I所述的方法，其中，形成漫射粗糙度的步骤包括将机械冲压和表面抛光エ艺中的ー个物理工艺应用于基体基底。5.根据权利要求4所述的方法，其中，表面抛光エ艺包括喷砂。6.根据权利要求I所述的方法，其中，形成漫射粗糙度的步骤包括将表面粗糙度镀覆エ艺应用于基体基底。7.根据权利要求6所述的方法，其中，在表面粗糙度镀覆エ艺中，通过使用Ni和Cu中的ー种金属作为镀覆材料，并涂覆具有足以形成非均匀镀覆表面的低浓度的镀覆材料来执行镀覆エ艺。8.根据权利要求6所述的方法，其中，在表面粗糙度镀覆エ艺中，通过利用Ni和Cu中的ー种金属作为镀覆材料并施加足以形成球形结构的镀覆形态的低镀覆电流来执行镀覆ェ艺。9.根据权利要求6所述的方法，其中，在表面粗糙度镀覆エ艺中，通过施加对镀覆表面足够的高镀覆电流来形成Ag打底层以具有漫射粗糙度。10.根据权利要求I所述的方法，其中，形成反射镀层的步骤包括 在...

【专利技术属性】
技术研发人员：李镇宇，张宰熏，李东勋，金在河，
申请(专利权)人：三星泰科威株式会社，
类型：发明
国别省市：