减少晶圆电弧放电的方法以及集成电路制造方法技术

本发明专利技术提供了一种减少晶圆电弧放电的方法以及集成电路制造方法。所述晶圆包括激光标志区，所述晶圆的顶层金属层上布置有钝化层；根据本发明专利技术的减少晶圆电弧放电的方法包括：使得所述激光标志区的区域中的所述钝化层的打开尺寸比所述激光标志区的区域中的晶圆上的所有其它层的打开尺寸小。根据本发明专利技术，使得钝化层的打开尺寸比其它层或者顶层金属层的打开尺寸小，从而可以避免露出其它层或者顶层金属层来收集电荷，从而减少晶圆电弧放电的可能性。

【技术实现步骤摘要】
减少晶圆电弧放电的方法以及集成电路制造方法
本专利技术涉及半导体制造领域，更具体地说，本专利技术涉及一种减少晶圆电弧放电的方法以及采用了该减少晶圆电弧放电的方法的集成电路制造方法。
技术介绍
晶圆电弧放电(WaferArcing)放电是在集成电路制造过程中出现的一种不期望出现的现象。电介质刻蚀引起的晶圆电弧放电的根本原因是等离子体不稳定所引起的晶圆上的水平直流电压降。晶圆电弧放电会对晶圆造成很多缺陷。例如，图1示意性地示出了晶圆电弧放电，其中标号1标示了晶圆电弧放电的区域。由于晶圆电弧放电所导致的一种缺陷包括由于晶圆电弧放电而损害的隔离的测试键结构。关于晶圆电弧放电的细节可进一步参考ShawmingMa、NeilHanabusa、BradMays等人在IEEE上发表的论文“BackendDielectricEtchInducedWaferArcingMechanismandSolution”(0-7803-7747-8/032003，IEEE，178-181页)。虽然现有技术已经采用了一些措施来防止晶圆电弧放电的产生，但是在晶圆的一些区域中仍然会出现晶圆电弧放电。由于晶圆电弧放电的副作用，因此希望提供一种能够减少晶圆电弧放电的方法。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够减少晶圆电弧放电的方法、以及采用了该减少晶圆电弧放电的方法的集成电路制造方法。根据本专利技术的第一方面，提供了一种减少晶圆电弧放电的方法，所述晶圆包括激光标志区，所述晶圆的顶层金属层上布置有钝化层；其中所述方法包括使得所述激光标志区的区域中的所述钝化层的打开尺寸比所述激光标志区的区域中的晶圆上的所有其它层的打开尺寸小。优选地，使得所述激光标志区的区域中的所述钝化层的打开尺寸比所述激光标志区的区域中的晶圆上的所有其它层的打开尺寸小0.1微米。优选地，使得所述激光标志区的区域中的所述钝化层的打开尺寸比所述激光标志区的区域中的晶圆上的所有其它层的打开尺寸小0.05微米至5微米。根据本专利技术的第二方面，提供了一种减少晶圆电弧放电的方法，所述晶圆包括激光标志区，所述晶圆的顶层金属层上布置有钝化层；其中所述方法包括使得所述激光标志区的区域中的所述钝化层的打开尺寸比所述激光标志区的区域中的晶圆上的顶层金属层的打开尺寸小。优选地，所述方法包括：形成所述顶层金属层的图案，其中使得所述激光标志区的刻蚀窗口的尺寸为第一尺寸；此后，形成钝化层的图案，其中使得所述激光标志区的刻蚀窗口的尺寸为第二尺寸；其中，所述第二尺寸小于所述第一尺寸。优选地，使得所述激光标志区的区域中的所述钝化层的打开尺寸比所述激光标志区的区域中的晶圆上的顶层金属层的打开尺寸小0.1微米。优选地，使得所述激光标志区的区域中的所述钝化层的打开尺寸比所述激光标志区的区域中的晶圆上的顶层金属层的打开尺寸小0.05微米至5微米。根据本专利技术的第三方面，提供了一种采用了根据本专利技术第一方面所述的减少晶圆电弧放电的方法的集成电路制造方法。根据本专利技术，使得钝化层的打开尺寸比其它层或者顶层金属层的打开尺寸小，从而可以避免露出其它层或者顶层金属层来收集电荷，从而减少晶圆电弧放电的可能性。附图说明结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本专利技术有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：图1示意性地示出了晶圆电弧放电。图2示意性地示出了根据本专利技术实施例的减少晶圆电弧放电的方法。图3示出了激光标志区的示图。图4示意性地示出了激光标志区的晶圆电弧放电。需要说明的是，附图用于说明本专利技术，而非限制本专利技术。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。具体实施方式为了使本专利技术的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本专利技术的内容进行详细描述。图3所示，一般，在对晶圆进行加工以产生期望的芯片或集成电路的过程中，会在晶圆的例如外周区域制造一个激光标志区(lasermaker)3。该激光标志区3用于标记晶圆的一个代号，该代号标记了代码或编码或序列号，该代号一般由8至9位数字或字符组成；通过读取该代码就可以识别出所加工的晶圆，例如获知所加工的晶圆的批次批号等信息。图3示出了激光标志区的示图。如图3所示，其中示出了晶圆上的激光标志区3。例如，举例说来，在图3所示的示例中，激光标志区3记录的信息为“A616049.18”。本专利技术的专利技术人有利的发现，尽管采取了一些防止晶圆电弧放电的措施，但是激光标志区3中仍容易出现晶圆电弧放电。图4示意性地示出了激光标志区的晶圆电弧放电。如图4的参考标号4所示，在激光标志区3中或其附近仍然会出现晶圆电弧放电4。由此，根据本专利技术实施例的减少晶圆电弧放电的方法是通过在形成顶层金属层和形成钝化层的工艺中，使激光标志区3中的钝化层的打开尺寸比顶层金属层的打开尺寸小来防止或减少激光标志区3的晶圆电弧放电。下文将具体描述根据本专利技术的具体实施例。图2示意性地示出了根据本专利技术实施例的减少晶圆电弧放电的方法。如图2所示，在芯片区域A中，激光标志区及顶层金属层所开的区域B的边缘(图中的虚线所示)在钝化层所开的区域C之外。换言之，钝化层所开的区域C的尺寸小于激光标志区3及顶层金属层所开的区域B。具体地说，一般，在现有技术中，由于激光标志区3用于记录一个代码或代号，所以对激光标志区3的形成，需必须使得激光标志区3不形成图形(刻蚀步骤中该激光标志区3上不存在光阻)，并使得激光标志区3中的代码或代号形成在硅片的最底层(例如衬底层)，此后即可利用观察工具来通过查看该代码或代号而查找出晶圆的编码或批号信息。并且，一般，对于激光标志区3的打开或刻蚀，所有层次的刻蚀过程中对激光标志区3的刻蚀大小(打开大小)是统一的，由此各层中激光标志区3的打开窗口相同。正因为如此，如果工艺中出现误差，则有可能造成金属层中金属的暴露而使得金属层的金属布线收集电荷从而产生晶圆电弧放电。因此，本专利技术实施例通过控制激光标志区3的刻蚀来减小晶圆电弧放电产生的可能性。具体地说，可以使得钝化层的打开(刻蚀)尺寸比顶层金属层的打开(刻蚀)尺寸小，由此可以避免露出顶层金属层，由此没有暴露的顶层金属层来收集电荷，从而减少晶圆电弧放电的可能性。进一步优选地，如图2所示，在芯片区域A中，钝化层之外的其它层所开的区域都等同于图2所示的激光标志区及顶层金属层所开的区域B，这样，钝化层之外的其它层的边缘(图中的虚线所示)在钝化层所开的区域C之外。换言之，钝化层所开的区域C的尺寸小于钝化层之外的其它层所开的区域B,其它层在钝化层的等离子刻蚀过程中会被钝化层的介质覆盖从而避免电荷收集所触发的电弧放电。具体地说，可以使得激光标志区3区域中的钝化层的打开(刻蚀)尺寸比激光标志区3区域中的晶圆上的所有其它层的打开(刻蚀)尺寸小就能避免电弧放电的原因在于，可以避免露出包含顶层金属层在内的金属层，由此没有暴露的金属收集电荷，从而减少晶圆电弧放电的可能性。“打开尺寸”具体指的是例如暴露尺寸，例如刻蚀后的图案的刻蚀尺寸。其中，本领域普通技术人员可以理解的是，“顶层金属层”指的是的金属互联层中位于最高层的一个金属互联层。更进一步的说，例如在一个具体实施例中，在第一步骤中形成顶层金属层的图案，其本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种减少晶圆电弧放电的方法，所述晶圆包括激光标志区，所述晶圆的顶层金属层上布置有钝化层；其特征在于所述方法包括使得所述激光标志区的区域中的所述钝化层的打开尺寸比所述激光标志区的区域中的晶圆上的所有其它层的打开尺寸小，使得所述激光标志区的区域中的所述钝化层的打开尺寸比所述激光标志区的区域中的晶圆上的所有其它层的打开尺寸小0.1微米。2.一种减少晶圆电弧放电的方法，所述晶圆包括激光标志区，所述晶圆的顶层金属层上布置有钝化层；其特征在于所述方法包括使得所述激光标志区的区域中的所述钝化层的打开尺寸比所述激...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎坡，林伟铭，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：