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本发明提供了一种减少晶圆电弧放电的方法以及集成电路制造方法。所述晶圆包括激光标志区，所述晶圆的顶层金属层上布置有钝化层；根据本发明的减少晶圆电弧放电的方法包括：使得所述激光标志区的区域中的所述钝化层的打开尺寸比所述激光标志区的区域中的晶圆上...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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