碳材料及其制造方法技术

技术编号:7762313 阅读:160 留言:0更新日期:2012-09-14 13:23
本发明专利技术的目的在于提供一种尤其在使用卤素气体进行处理的情况下也能够抑制处理后的杂质的放出的碳材料及其制造方法。将碳材料在1Pa以上且10000Pa以下的减压下的H2气体气氛中以500℃以上且1200℃以下进行退火处理。退火处理时间为1分钟以上且20小时以下。由此,能够使氯等卤素的放出浓度为5ppb以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及,尤其涉及被表面改性且抑制了杂质的放出的。
技术介绍
碳材料轻量且化学稳定性 热稳定性方面良好,具有虽为非金属但导热性及导电性良好这一特性。另一方面,碳材料存在具有发尘性的问题,必须在表面制作被覆层来抑制发尘。然而,在碳材料上形成与碳不同的金属等材质的层的情况下,在碳材料与其他层之间的密接性方面存在问题。考虑这样的问题,例如提出了通过利用卤化铬气体对碳基材进行处理而在表面上设置由Cr23C6构成的碳化铬层,并在该碳化铬层上熔射覆盖金属的方案(参照下述专利文献I及专利文献2)。然而,在如上述现有的方法那样使用卤系气体进行处理的情况下,在处理后的碳材料中存在杂质。因此,在半导体领域等使用上述碳材料的情况下,产生不良状况。例如,在将使用氯作为卤系气体的碳材料用于使用了铝的半导体的制造时,会产生铝可能腐蚀的不良情况。此外,不限于半导体用途,当使用性能被处理环境影响的材料时,存在因由处理装置等周边的构件产生的杂质而发生缺陷的可能性,故对不放出反应性高的氯的材料尤其有需求。先行技术文献专利文献专利文献I日本特开平8-143384号专利文献2日本特开平8-143385号
技术实现思路
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:石井琢悟濑谷薰松永纮明武田章义
申请(专利权)人:东洋炭素株式会社
类型:发明
国别省市:

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