【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于硬脆及软脆半导体纳米磨削制备纳米颗粒
,特别涉及硬脆及软脆半导体的超精密加工方法。
技术介绍
纳米颗粒在纳米科技中占有重要的位置,如光学、半导体、机械、光电子等领域。而目前采用的制备纳米颗粒的方法,主要为化学合成法、物理合成法等。这些方法一般涉及化学液与物理高温的使用,而化学液往往对环境和操作者带来潜在的伤害及合成过程中容易出现危险。如化学液中合成纳米颗粒时,通常是在较高的温度下,几个化学反应同时进行,而这种化学反应的速度和反应过程较难控制。一旦在反应中出现气体,控制不当,就有爆炸 的可能。而反应中间体及反应产物也一般是对操作者和环境有害的。对于物理方法合成纳米颗粒,则往往用到高温,而这种高温对于ー些半导体是不允许的。如软脆半导体碲镉汞,其沸点温度仅为250°,而融化温度仅为150°,而这种固态物质一旦达到沸点温度附近就容易分解,从而产生剧毒气体汞蒸气,无论对操作者和环境都将带来极大的威胁。而另ー些附着在半导体和光电晶体上的聚合物和有机物一般也不能承受超过200度的高温。因此,化学合成法和物理合成法均有各自的局限性,对于当代快速发展的科技和エ ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:张振宇,李方元,张念民,郭东明,
申请(专利权)人:大连理工大学,
类型:发明
国别省市:
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