半导体处理装置及制作方法制造方法及图纸

一种半导体处理装置及制作方法，所述半导体处理装置包括：处理腔室，所述处理腔室用于通入源气体，对放置于处理腔室内的基片进行相应处理，且所述处理腔室还用于容纳等离子体，所述处理腔室内具有处理部件，至少所述处理腔室内壁和/或处理部件暴露于等离子体的部位的材料为含有铬的镍合金，在所述含有铬的镍合金中，所述铬的重量百分比范围为14.5%~23％，所述镍的重量百分比范围为30%~68%。由于所述含有铬的镍合金形成的处理腔室的内壁、基座和/或气体喷淋头能有效的防止含有Cl、F等卤族元素的等离子体的腐蚀，可以提高半导体处理装置的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，特别涉及一种抗腐蚀性的。
技术介绍
在现有的化学气相沉积装置或等离子体刻蚀装置中，往往需要将反应气体离子化形成等离子体，然后利用所述等离子进行化学气相沉积或等离子体刻蚀。当所述反应气体中含有C1、F时，所述化学气相沉积装置或等离子体刻蚀装置的反应腔内会形成有C1、F的等离子体，所述C1、F的等离子体具有较强的腐蚀能力。而现有技术的化学气相沉积装置或等离子体刻蚀装置中，所述反应腔的材料多为不锈钢，所述Cl、F的等离子体会腐蚀不锈钢的反应腔内壁。且由于化学气相沉积装置或等离子体刻蚀装置通常是在高温、高频的环境中进行沉积工艺或刻蚀工艺，所述高温、高频的环境会加速所述Cl、F的等离子体腐蚀所述不锈钢内壁，使得所述反应腔的使用寿命变短。授权公告号为CN101296553B的中国专利文献公开了一种等离子体处理设备，所述等离子体处理设备包括反应腔；位于所述反应腔顶部的喷头电极，反应气体可以通过所述喷头电极的进气孔流入到所述等离子体处理设备的反应腔中；位于所述喷头电极朝向所述反应腔的表面的衬板，所述衬板可拆卸，且所述衬板具有与所述进气孔相对应的通孔。所述衬板的材料为阳极氧本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：尹志尧，杜志游，孟双，乔辉，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海有限公司，
类型：发明
国别省市：