【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种离子注入技术，特别是涉及一种离子注入设备。
技术介绍
离子注入技术用于把通常称之为杂质的原子或分子引入靶标基片，从而改变基片材料的性能。离子注入技术已经成为了现代集成电路制造工艺中的一种常规工艺制程，其具有能够特别精确地控制掺杂离子的掺杂剂量以及掺杂均匀性的显著优势。因此，太阳能电池制造业已经开始尝试将离子注入技术引用至太阳能晶圆的掺杂制程。 太阳能晶圆的掺杂制程通常包括至少一个P型离子注入制程以及一个N型离子注入制程，以形成太阳能电池的P极和N极。而当涉及结构更加复杂的太阳能电池，例如采用选择性发射极的太阳能电池时，太阳能晶圆的掺杂制程则会包括有不止一个的P型离子注入制程和N型离子注入制程。上述的各种离子注入制程均需要在真空制程腔中完成，然而，在目前广为采用的离子注入技术中，通常在每个真空制程腔中仅能够执行一个单一制程，例如美国专利US20080038908的真空传输制程方法所述便是如此。因此为了完成两个或是更多个的离子注入制程，太阳能晶圆便不得不在多个真空制程腔之间多次进出真空。这样的太阳能电池制造技术存在着以下一些缺陷一，多次进出真空的动...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈炯，钱锋，
申请(专利权)人：上海凯世通半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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