本发明专利技术提供一种阵列基板、液晶面板及显示设备，所述阵列基板上设置有像素电极层和公共电极层，所述公共电极层上设置有多个公共电极，所述像素电极层上设置有多个像素电极，其中各个所述公共电极在所述像素电极层上的投影，分别与相应的所述像素电极重叠或部分重叠。所述液晶面板中，由于在沿着光入射方向，像素电极与相邻的公共电极之间具有重叠，因此不会产生像素电极周边透光不均匀的现象，能够达到更加均匀的透光效果。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示器
，尤其是指一种阵列基板、液晶面板及显示设备。
技术介绍
在TFT-IXD(薄膜场效应晶体管液晶显示器)中，像素ITO(氧化铟锡)和公共电极ITO之间形成电场，通过控制电压大小从而控制液晶分子旋转达到光阀的目的。根据正负电极排列方式不同，TFT-IXD按结构分为IPS(In Plane Switching)型和ADSDS (ADvanced Super Dimension Switch,简称ADS,即高级超维场转换技术)型两种。然而，采用IPS型显示方式的电极间距很小，在施加电压时电极间发生面电场，液晶只能在该部位产生光变频，从而令光穿透受到限制；而采用ADS型显示方式则可以通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场开关技术可以提高TFT-IXD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。如图I为ADS型显示结构的截面图，ADS型显示结构包括彩膜基板和阵列基板，以及填充在所述彩膜基板和阵列基板之间的液晶层5，其中彩膜基板包括玻璃基板2和彩膜层6，阵列基板包括玻璃基板71、像素电极层3、公共电极层4和绝缘层72，此外在所述彩膜基板和阵列基板外侧均贴附有偏振片I ;其中像素电极层(可视为板状电极)3和公共电极层(可视为狭缝电极)4的正负电极通过绝缘层分离重叠排列，利用多维电场作用使电极间和电极上的液晶分子均在面板的面内旋转。图2为用于说明现有ADS型显示结构中，像素ITO 31和公共电极ITO 41的结构示意图，由于在设计时考虑到开口率、电容耦合效应等因素，像素IT031边缘与公共电极ITO41边缘有一定的距离，会产生像素边缘透光不均匀现象，造成透光效果不均匀。
技术实现思路
本专利技术技术方案的目的是提供一种阵列基板、液晶面板及显示设备，解决现有液晶面板透光效果不均匀的问题。为实现上述目的，本专利技术一方面提供一种阵列基板，所述阵列基板上设置有像素电极层和公共电极层，其中，所述公共电极层上设置有多个公共电极，所述像素电极层上设置有多个像素电极，其中各个所述公共电极在所述像素电极层上的投影，分别与相应的所述像素电极重叠或部分重叠。优选地，上述所述的阵列基板，其中，所述像素电极层包括相邻的第一像素电极和第二像素电极，所述公共电极层包括位于数据线上方的第一公共电极，其中所述第一公共电极的两个相对边缘在所述像素电极层的投影线分别位于所述第一像素电极上和所述第二像素电极上。优选地，上述所述的阵列基板，其中，所述第一像素电极和所述第二像素电极的相邻边缘在所述公共电极层的投影线均位于所述第一公共电极上。优选地，上述所述的阵列基板，其中，所述公共电极层还包括第二公共电极，所述第二公共电极的两个相对边缘在所述像素电极层的投影线位于同一像素电极上。优选地，上述所述的阵列基板，其中，所述公共电极层与所述像素电极层平行，且所述公共电极层位于所述像素电极层的上方。本专利技术还提供一种液晶面板，包括彩膜基板和阵列基板，其中，所述阵列基板采用以上任一项所述的阵列基板。本专利技术还提供一种显示设备，包括阵列基板，所述阵列基板上设置有像素电极层和公共电极层；其中，所述公共电极层上设置有多个公共电极，所述像素电极层上设置有多个像素电极，其中各个所述公共电极在所述像素电极层上的投影，分别与相应的所述像素电极重叠或部分重叠。优选地，上述所述的显示设备，其中，所述像素电极层包括相邻的第一像素电极和第二像素电极，所述公共电极层包括位于数据线上方的第一公共电极，其中所述第一公共电极的两个相对边缘在所述像素电极层的投影线分别位于所述第一像素电极上和所述第二像素电极上。优选地，上述所述的显示设备，其中，所述公共电极层还包括第二公共电极，所述第二公共电极的两个相对边缘在所述像素电极层的投影线位于同一像素电极上。优选地，上述所述的显示设备，其中，所述公共电极层与所述像素电极层平行，且所述公共电极层位于所述像素电极层的上方。本专利技术具体实施例上述技术方案中的至少一个具有以下有益效果所述液晶面板中，由于在沿着光入射方向(垂直于像素电极层和公共电极层的方向)，像素电极与相邻的公共电极之间具有重叠，因此不会产生像素电极周边透光不均匀的现象，能够达到更加均匀的透光效果。附图说明图I为现有技术ADS型显示结构的截面图；图2为现有ADS型显示结构中，像素ITO和公共电极ITO之间结构关系的示意图；图3为本专利技术具体实施例 所述阵列基板中，用于说明像素电极层和公共电极层之间结构关系的不意图；图4为图3中虚线方框部分的放大图。具体实施例方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例对本专利技术进行详细描述。本专利技术具体实施例所述阵列基板，设置有像素电极层和公共电极层，其中，所述公共电极层上设置有多个公共电极，所述像素电极层上设置有多个像素电极，其中各个所述公共电极在所述像素电极层上的投影，分别与相应的所述像素电极重叠或部分重叠。也即，所述公共电极层的公共电极的边缘在所述像素电极层的投影线，位于所述像素电极层的其中一像素电极上。图3为本专利技术具体实施例所述阵列基板中，用于说明像素电极层和公共电极层之间结构关系的示意图；图4为图3中虚线框部分的放大图。其中，液晶面板中阵列基板、彩膜基板、液晶层、阵列基板上的像素电极层和公共电极层之间的结构关系与现有技术液晶面板相同，具体可以参阅图2所示，在此不详细描述。如图3和图4所示，公共电极层20与像素电极层10平行，且公共电极层20位于像素电极层10的上方。本专利技术具体实施例所述阵列基板对像素电极层10上的像素电极和公共电极层20上的公共电极之间的相对结构进行了改进，使各个所述公共电极在所述像素电极层上的垂直投影，分别与相应的所述像素电极重叠或部分重叠，也即公共电极层的公共电极的边缘在所述像素电极层的投影线，位于所述像素电极层的其中一像素电极上。本专利技术具体实施例所述阵列基板中，公共电极层20上包括第一公共电极21，则第一公共电极21的第一边缘在像素电极层10上的投影线，位于其中一像素电极上，第一公共电极21的第二边缘在像素电极层10上的投影线，位于另一像素电极上。其中如图4所示，第一公共电极21的第二边缘与第一公共电极21的第一边缘为相对的两边缘。如图3，阵列基板上设置有数据线14，像素电极层10上包括第一像素电极11和第二像素电极12，分别位于数据线14的相对两侧，且第一公共电极21与数据线14平行且相对，本专利技术实施例中，是位于数据线14的正上方，其中第一公共电极21的第一边缘所投影至像素电极层10上的投影线，位于第一像素电极11上；第一公共电极21的第二边缘在像素电极层10上的投影线，位于第二像素电极12上。同时，如图3，使第一像素电极11的第一边缘在公共电极层20的投影线，位于第一公共电极21上；第二像素电极12的第一边缘在公共电极层20的投影线，也位于第一公共电极21上。其中如图所示，第一像素电极11的第一边缘为邻近数据线14的边缘，第二像素电极12的第一边缘也为邻近数据本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：董向丹，玄明花，高永益，黄炜赟，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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