本发明专利技术公开了一种硬屏液晶显示装置，所述装置包括：薄膜晶体管(TFT)基板、彩膜(CF)基板、像素电极和公共电极，像素电极和公共电极之间形成水平电场或多维电场，其中，在TFT基板和CF基板上设置相对并且相同的像素电极和公共电极，并且所述两个基板上相同的电极是导通的。本发明专利技术还公开了硬屏液晶显示装置的实现方法，通过上述装置和方法，使液晶显示屏具有更快的响应时间，并可以在很大程度上降低施加在电极上的驱动电压，扩大了视角宽度，为时序彩色控制提供了条件，进一步还可以应用到蓝相技术上。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及液晶显示技术，特别是指一种硬屏液晶显示装置和实现方法及其应用。
技术介绍
平面转换(In-Plane Switching, IPS)技术的优势在于可视角度高、响应速度快，色彩还原准确，是液晶面板里的高端产品。采用IPS技术的面板最大的特点在于其公共电极和像素电极两极都在同一个面上，两者之间形成水平电场，而不像传统液晶模式的电极是在上下两面，立体排列。该技术把液晶分子的排列方式进行了优化，采取水平排列方式，当遇到外界压力时，分子结构向下稍微下陷，但是整体分子还呈水平状。在遇到外力时，其 液晶分子结构坚固性和稳定性远远优于软屏，所以不会产生画面失真和影响画面色彩，可以最大程度的保护画面效果不被损害。因此，通常将采用IPS技术的面板称为采用硬屏技术的液晶面板。进一步的，高级超维场开关技术(Advanced-SuperDimensional Switching ;简称AD-SDS)是液晶界为解决大尺寸、高清晰度桌面显示器和液晶电视应用而开发的广视角技术，也是所述硬屏技术的一种。其通过同一平面内像素电极或公共电极边缘所产生的平行电场以及像素电极与公共电极间产生的纵向电场形成多维电场，使液晶盒内像素电极或公共电极之间、像素电极或公共电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转转换，从而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场开关技术可以提高TFT-IXD画面品质，具有高透过率、宽视角、高开口率、低色差、低响应时间、无挤压水波纹(pushMura)波纹等优点。AD-SDS技术克服了常规IPS技术透光效率低的问题，在宽视角的前提下，实现高的透光效率。但是，无论是采用IPS技术还是AD-SDS技术的液晶面板，其响应时间仍然不够理想，并且视角宽度也还有提升空间。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的主要目的在于提供一种硬屏液晶显示装置和实现方法及其应用，能够加快响应时间，并且扩大视角宽度。为达到上述目的，本专利技术的技术方案是这样实现的本专利技术公开了一种硬屏液晶显示装置，包括薄膜晶体管(TFT)基板、彩膜(CF)基板、像素电极和公共电极，像素电极和公共电极之间形成水平电场或多维电场，其中，在TFT基板和CF基板上设置有相对并且相同的像素电极和公共电极，并且所述两个基板上相同的电极是导通的。其中，在TFT基板和CF基板上设置有通过刻蚀工艺形成的相对并且相同的像素电极和公共电极。其中，所述电极的材质为金属；或所述电极的材质为透明电极(ITO)。其中，所述需要导通的电极之间放置了导电材料制成的隔垫物(PS)。本专利技术还公开了一种硬屏液晶显示装置的实现方法，所述方法包括在液晶面板的TFT基板和CF基板上设置相对并且相同的像素电极和公共电极；将所述两个基板上相同的电极导通。其中，所述设置的方式具体为将电极通过刻蚀工艺形成刻蚀在基板上。其中，所述电极的材质为金属；或所述电极的材质为ΙΤ0。其中，所述导通的方式具体为将PS更换为导电材料，然后将PS放置在需要导通的电极之间。本专利技术还公开了一种液晶面板，包括偏光片，所述液晶面板中还包括所述的硬屏液晶显示装置。本专利技术还公开了一种显示设备，包括背光源和液晶面板，所述液晶面板中包括所述的硬屏液晶显示装置。本专利技术所提供的硬屏液晶显示装置和实现方法及其应用，在薄膜晶体管(TFT)基板和彩膜(CF)基板上设置相对并且相同的像素电极和公共电极，并且将所述两个基板上相同的电极导通。使液晶显示屏具有更快的响应时间，并可以在很大程度上降低施加在电极上的驱动电压，扩大了视角宽度，为时序彩色控制提供了条件，进一步还可以应用到蓝相技术上。附图说明图I为IPS模式的液晶面板结构示意图；图2为AD-SDS模式的一种液晶面板结构示意图；图3为AD-SDS模式的另一种液晶面板结构示意图；图4为本专利技术硬屏液晶显示装置结构示意图；图5为本专利技术硬屏液晶显示装置的实现方法流程示意图；图6为本专利技术应用在IPS模式和AD-SDS模式液晶面板上装置结构示意图；图7为现有技术和本专利技术应用在液晶面板中的工作效果对比图；图8为AD-SDS模式中应用本专利技术的情况下透光度和电压关系对比效果图；图9为IPS模式中应用本专利技术的情况下透光度和电压关系对比效果图。具体实施例方式为了更好的理解本专利技术，首先介绍一下采用IPS技术(IPS模式)以及采用AD-SDS技术(AD-SDS模式)的液晶面板的结构。图I为IPS模式的液晶面板结构示意图，如图I所示，在彩膜(CF)基板和阵列(TFT)基板间填充了液晶(LC)。如
技术介绍
中所述IPS技术的特点就是像素(Pixel)电极和公共(Com)电极交替排列在所述TFT基板上。 图2为AD-SDS模式的一种液晶面板结构示意图，如图2所示，在CF基板和TFT基板间填充了 LC，Com电极设置在TFT基板上，并且在Com电极上覆盖绝缘层，在绝缘层上设置Pixel电极。图3为AD-SDS模式的另一种液晶面板结构示意图，如图3所示，与图2的AD-SDS模式的液晶面板相比，仅是将Com电极和Pixel电极的设置对调。下面结合附图和具体实施例对本专利技术的技术方案进一步详细阐述。图4为本专利技术硬屏液晶显示装置结构示意图，需要说明的是所述装置可以是IPS模式或AD-SDS模式的，图4中所示是以IPS模式下装置的结构为例阐述本专利技术的基本构思,AD-SDS模式的具体结构如图6中所示。如图4所示,所述装置包括TFT基板41、CF基板42和电极43，其中，在TFT基板41和CF基板42上设置有相对并且相同的电极43，并且所述两个基板上相同的电极43是导通的。具体的，在TFT基板和CF基板上设置有通过刻蚀工艺形成的相对并且相同的所述电极43。所述电极的材质包括针对IPS模式，电极43的材质为金属；针对AD-SDS模式，电极43的材质为透明电极(ΙΤ0)。所述需要导通的电极43之间放置了导电材料制成的隔垫物(PS)，用以导通电极43.所述电极43包括像素电极和公共电极。图5为本专利技术硬屏液晶显示装置的实现方法流程示意图，如图5所示，所述方法应 用在IPS模式或AD-SDS模式的液晶面板中，所述方法包括以下步骤步骤501，在TFT基板和CF基板上设置相对并且相同的电极；具体的，所述设置的方式具体为将电极形成在基板上。所述电极的材质包括针对IPS模式，电极的材质为金属；针对AD-SDS模式，电极的材质为ΙΤ0。所述电极包括像素电极和公共电极。步骤502，将所述两个基板上相同的电极导通。所述导通电极的方式具体为将PS更换为导电材料，然后将PS放置在需要导通的电极之间。本专利技术实施例还提供一种液晶面板，该液晶面板中包括偏光片和如图4所示的硬屏液晶显示装置。进一步地，本专利技术实施例还提供一种显示设备，该显示设备包括背光源和液晶面板，所述液晶面板中包括如图4所示的硬屏液晶显示装置。这里，所述显示设备，可以为手机、笔记本电脑、平板电脑、液晶显示器、监视器等具有显示功能的装置中的显示设备。图6为本专利技术应用在IPS模式和AD-SDS模式液晶面板上装置结构示意图，如图6所示，上方为IPS模式的装置结构示意图，下方为AD-SDS模式的装置结构示意图，图中CF基板和TFT基板上都分别设置了位置相对，并且相同的电极。图7为现有技术和本专利技术应用在液晶面板中的效果本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：秦广奎，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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