【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种二维纳米薄膜制备的设备,特别涉及一种连续制备二维纳米薄膜的化学气相沉积设备。
技术介绍
石墨烯具有卓越的二维电学、光学、热学、力学性能以及化学稳定性,石墨烯在超快光电子器件、洁净能源、传感器等方面具有广泛的应用前景。电子在石墨烯中传输速度是硅的150倍,IBM等著名公司已经制备速度可达太赫兹的超快速光电子器件,美国加州大学利用石墨烯研制成光学调制解调器,有望将网速提高I万倍;全球每年半导体晶硅的需求量在2500吨左右,石墨烯如果替代十分之一的晶硅制成高端集成电路如射频电路,市场容量至少在5000亿元以上。因为石墨烯只有2. 3%的光吸收,这使石墨烯可用于制备光电子器件如显示器件、太阳能电池、触摸面板等的柔性透明电极,从而取代成本昂贵、资源稀少、不可自由折叠的由铟为主要成分的ITO透明导电膜。据报道,2011年全球ITO透明导电膜的需求量在8500万-9500万片,这样,石墨烯替代ITO透明导电膜的发展空间巨大。由于石墨烯独特的电子传输特性,作为传感器,它具有单分子的敏感性;如果基于石墨烯的基因电子测序技术能够实现,人类全基因谱图测定的测序成本将 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
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