化学机械研磨后清洗方法以及化学机械研磨方法技术

本发明专利技术提供了一种多晶硅化学机械研磨后清洗方法以及化学机械研磨方法。根据本发明专利技术的化学机械研磨后清洗方法包括：首先，在兆声波清洗步骤中，利用NH4OH的质量百分比为2.8+/-0.2％、H2O2的质量百分比为3.0+/-0.2％的富H2O2的SCl溶液进行兆声波清洗；此后，在后续的PVA(聚乙烯醇)刷子刷洗步骤中，利用NH4OH(氨水)和DIW(去离子水)清洗晶圆并刷洗晶圆表面。本发明专利技术利用高浓度SCl(刻蚀剂为NH4OH)来提高对自然氧化层的刻蚀效率，由此可以获得更好的清洗效果，同时利用SCl中的更高浓度的H2O2来氧化多晶硅形成氧化层，从而保证在获得较好的清洗效果的同时也会在多晶硅表面生成一定厚度的自然氧化层，使得后续的刷子清洗过程不会在多晶硅上形成有机物污染层，从而不会由于多晶硅上的污染而影响多晶硅在空气中的自然氧化层的生长。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造方法，更具体地说，本专利技术涉及一种化学机械研磨后清洗方法、以及采用了该化学机械研磨后清洗方法的化学机械研磨方法。
技术介绍
对于闪存产品，源极多晶硅会在化学机械研磨之后形成自然氧化层。随后可执行源极多晶硅的回蚀，该步骤对多晶硅和氧化物具有高选择性，具体地说大约是30 I。即使少量的自然氧化层变化，也会极大地影响多晶硅的回蚀量，从而造成关键尺寸的偏差。一般，在室温下的空气中，闪存多晶硅表面上的自然氧化层的生长非常迅速，很容易达到饱和，且很均匀。但是，当闪存的多晶硅表面被基于有机物的污染物(灰尘，沾污颗粒等)污染时，自然氧化层的生长将受到极大的影响。因此，源极多晶硅的化学机械研磨后清洗过程是源极多晶硅的回蚀关键尺寸控制的关键。在现有技术中，化学机械研磨后清洗方法采用“兆声波清洗(Megasonic) ”与“PVA(多孔状高聚物，聚乙烯醇)刷洗”的组合。其中，兆声波清洗是由兆声波发生器发出的高频振荡信号，通过换能器转换成高频机械振荡而传播到介质，清洗溶剂中兆声波在清洗液中疏密相间的向前辐射，使液体流动而产生数以万计的微小气泡，存在于液体中的微小气泡(空化核)在声场的作用下振动，当声压达到一定值时，气泡迅速增长，然后突然闭合，在气泡闭合时产生冲击波，在其周围产生上千个大气压力，破坏不溶性污物而使它们分散于清洗液中。具体地说，兆声波清洗的机理是由高能(例如850kHz)频振效应并结合化学清洗剂的化学反应对晶圆片进行清洗。在清洗时由换能器发出波长约为I. 5 ii m频率约为0. 8MHz的高能声波。溶液分子在这种声波的推动下做加速运动，最大瞬时速度可达到30cm/s。因此，以高速的流体波连续冲击晶片表面，使抛光片表面附着的污染物和细小微粒被强制除去并进入到清洗液中。兆声波清洗抛光片可去掉晶片表面上小于0. 2 y .m的粒子，起到超声波起不到的作用。这种方法能同时起到机械擦片和化学清洗两种方法的作用。另一方面，PVA刷洗首先利用NH4OH来清洗晶圆(NH4OH同时对SIO2具备一定的腐蚀性)，碱性的化学剂可以使沾污粒子与晶圆表面产生相斥的电性从而减小沾污粒子的附着力；此后，PVA刷洗通过刷子与晶圆的物理接触进行刷洗，从而清除晶圆上面的沾污粒子。但是，对于源极多晶硅的化学机械研磨后清洗，通过NH4OH或标准SCl的晶圆将保持干净的多晶硅表面，或者仅仅在多晶硅表面形成较少的氧化层，这样，在随后的PVA刷洗清洗步骤中，由于PVA刷子上的有机沾污粒子很容易粘在干净的多晶硅表面上，所以会造成再污染
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种有效去除有机沾污粒子而不会造成再污染的多晶硅表面的化学机械研磨后清洗方法、以及采用了该化学机械研磨后清洗方法的化学机械研磨方法。根据本专利技术的第一方面，提供了一种化学机械研磨后清洗方法，其包括首先，在兆声波清洗步骤中，利用NH4OH的质量百分比为2. 8+/-0.2%, H2O2的质量百分比为3.0+/-0. 2%的SCl溶液进行兆声波清洗；此后，在PVA刷洗步骤中，利用NH40H(氨水)和DIW(去离子水)清洗晶圆并刷洗晶圆表面。 优选地，所述化学机械研磨后清洗方法用于MOS器件的源极多晶硅的化学机械研磨后清洗。其中，SCl溶液中的刻蚀剂为NH40H。优选地，在上述化学机械研磨后清洗方法中，所述化学机械研磨后清洗方法采用了兆声波清洗步骤与PVA刷洗步骤的结合。优选地，所述化学机械研磨后清洗方法用于MOS晶体管的源极多晶硅的化学机械研磨后清洗。根据本专利技术的第二方面，提供了一种化学机械研磨后清洗方法，其特征在于采用了根据本专利技术第一方面所述的化学机械研磨后清洗方法。本专利技术利用高浓度SCl来提高对自然氧化层的刻蚀效率，由此可以获得更好的清洗效果，同时利用SCl中的更高浓度(富含H2O2)的H2O2来氧化多晶硅形成氧化层，从而保证在获得较好的清洗效果的同时也会在多晶硅表面生成一定厚度的自然氧化层，使得后续的刷子不会在多晶硅上形成污染，从而不会由于多晶硅上的污染而影响多晶硅在空气中的自然氧化层的生长。附图说明结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本专利技术有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中图I示意性地示出了根据本专利技术的化学机械研磨后清洗方法的示意图。需要说明的是，附图用于说明本专利技术，而非限制本专利技术。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。具体实施例方式为了使本专利技术的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本专利技术的内容进行详细描述。 在现有技术中，SCl溶液中的NH4OH的质量百分比一般为2.0% +/-0. 2%，H2O2的质量百分比一般为2. 0% +/-0. 2%。其中，SCl溶液中的刻蚀剂为NH40H。与现有技术的上述浓度不同的是，SCl溶液中的NH4OH的质量百分比改为2. 8+/-0. 2% ；H202 的质量百分比改为 3. 0+/-0. 2%0S卩，在根据本专利技术实施例的化学机械研磨后清洗方法中，首先，在兆声波清洗步骤中，利用NH4OH的质量百分比为2. 8+/-0. 2%,H2O2的质量百分比为3. 0+/-0. 2%的SCl溶液进行兆声波清洗；此后，在PVA刷洗步骤中，利用所述SCl溶液清洗晶圆并刷洗晶圆表面。由此，源极多晶硅会的化学机械研磨后清洗存在下述反应权利要求1.一种化学机械研磨后清洗方法，其特征在于包括 首先，在兆声波清洗步骤中，利用NH4OH的质量百分比为2. 8+/-0. 2%,H2O2的质量百分比为3. 0+/-0. 2 %的SCl溶液进行兆声波清洗；此后，在PVA刷洗步骤中，利用NH4OH (氨水)和DIW(去离子水)清洗晶圆并刷洗晶圆表面。2.根据权利要求I所述的化学机械研磨后清洗方法，其特征在于，所述化学机械研磨后清洗方法用于MOS器件的源极多晶 硅的化学机械研磨后清洗。3.根据权利要求I或2所述的化学机械研磨后清洗方法，其特征在于，SCl溶液中的刻蚀剂为NH4OH。4.根据权利要求I或2所述的化学机械研磨后清洗方法，其特征在于，所述化学机械研磨后清洗方法用于MOS晶体管的源极多晶硅的化学机械研磨后清洗。5.一种化学机械研磨后清洗方法，其特征在于采用了根据权利要求I或2所述的化学机械研磨后清洗方法。全文摘要本专利技术提供了一种多晶硅。根据本专利技术的化学机械研磨后清洗方法包括首先，在兆声波清洗步骤中，利用NH4OH的质量百分比为2.8+/-0.2％、H2O2的质量百分比为3.0+/-0.2％的富H2O2的SCl溶液进行兆声波清洗；此后，在后续的PVA(聚乙烯醇)刷子刷洗步骤中，利用NH4OH(氨水)和DIW(去离子水)清洗晶圆并刷洗晶圆表面。本专利技术利用高浓度SCl(刻蚀剂为NH4OH)来提高对自然氧化层的刻蚀效率，由此可以获得更好的清洗效果，同时利用SCl中的更高浓度的H2O2来氧化多晶硅形成氧化层，从而保证在获得较好的清洗效果的同时也会在多晶硅表面生成一定厚度的自然氧化层，使得后续的刷子清洗过程不会在多晶硅上形成有机物污染层，从而不会由于多晶硅上的污染而影响多晶硅在空气中的自然氧化层的生长。文档编号H01L21本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李儒兴，秦海燕，李志国，龚大伟，王雷，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：