【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体材料
,特别涉及一种。
技术介绍
ZnS是一种II-VI族化合物直接带隙半导体材料,禁带宽度为3. 6 3. 8eV,具有良好的光电性能,广泛应用于光学和光电器件中,如薄膜电致发光显示器件、发光二极管、紫外光探测器件、太阳能电池等,其中作为铜铟硒基薄膜太阳电池的n型窗口层,以其优良的光电转换效率和无毒、环保价值替代CdS薄膜。目前,已经有许多技术用来制备ZnS薄膜及其它各种硫化物薄膜,比如水热法、真空蒸发、磁控溅射、化学气相沉积、溶胶喷射沉积、脉冲电沉积等。在这些方法中,水热法具有工艺简单,生产成本低,制备出的纳米粒子形状规则、纯度高、晶型好且可控制等优点,是一种很有前景的ZnS薄膜制备方法。本方法首先在ITO导电玻璃上脉冲电沉积ZnS纳米晶种,再利用水热法在其上生长出了有序的分散性好的ZnS薄膜材料。利用未见报道。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种。具体步骤为(I)电解溶液组成为每IOOmL溶液含0. OOlmol氯化锌、0. 002mol五水合硫代硫酸钠、0. 001 0. 002mol 二水合柠檬酸三钠及20 40mL 二甲基亚砜,用质量百分比浓度为98 %的浓硫酸调pH至2. 5 4 ;采用两电极体系,钼电极作为阳极,ITO导电玻璃为阴极,保持恒电压2. 0V,水浴温度52°C,脉冲电沉积30分钟 60分钟,得到ZnS纳米晶种。(2)水热液组成为每IOOmL溶液含0. 001 0. 003mol六水合硝酸锌、0. 003 0.009mol硫脲及0. 001 0. 0025mol5_磺基水杨酸,用移液管量取15mL上述 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种水热法结合脉冲电沉积制备宽禁带ZnS薄膜材料的方法,包括ITO的预处理,其特征在于具体步骤为 (1)电解溶液组成为每IOOmL溶液含0.OOlmol氯化锌、0. 002mol五水合硫代硫酸钠、0. 001 0. 002mol 二水合柠檬酸三钠及20 40mL 二甲基亚砜,用质量百分比浓度为98%的浓硫酸调pH至2. 5 4 ;采用两电极体系,钼电极作为阳极,ITO导电玻璃为阴极,保持恒电压2. 0V,水浴温度52°C...
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