一种脉冲激光沉积制备Sb2Te3薄膜的方法技术

本发明专利技术涉及一种脉冲激光沉积制备Sb2Te3薄膜的方法，制得的Sb2Te3薄膜结构简单，操作方便，无需后退火过程，可以直接在高温下进行溅射生长，减少对薄膜的损伤，同时薄膜厚度可以通过控制沉积时间得到调整，薄膜表面形貌可以通过调节溅射气压和衬底温度和衬底材料得到改善。由本发明专利技术脉冲激光沉积方法制备的薄膜结晶质量高、表面平整，晶粒大小均匀，在器件应用上更加高效稳定，具有广泛应用前景。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种脉冲激光沉积制备Sb2Te3薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)选择靶材；所述靶材为纯度99.99％的Sb2Te3合金靶；(2)清洗衬底；所述衬底为玻璃衬底或硅衬底；(3)抽真空；将所述靶材和所述衬底放置于真空室内，调节真空室至压强为5×10‑4Pa以下；(4)衬底升温；以每分钟5℃使所述衬底升温；(5)调节温度至预设值，充入纯度99.99％的氩气，调节气体通入，得到溅射气压；其中，所述预设值220～350℃，所述溅射气压为0.5～1.5Pa；同时调节旋钮使得基片反转，靶材正转；(6)薄膜沉积；开启脉冲激光器，使单束激光通过透镜以45°角聚焦到所述靶材上，调节激光能量为200mJ，调节激光频率为5Hz，调节靶材和衬底的距离为50mm，沉积后保温；待所述衬底自然冷却降温后，取出得到所述Sb2Te3薄膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘谭谭，杨平雄，张俊，曹辉义，褚君浩，
申请(专利权)人：华东师范大学，
类型：发明
国别省市：上海;31