一种实现M相二氧化钒纳米线择优取向排列生长的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种实现M相二氧化钒纳米线择优取向排列生长的制备方法。本发明专利技术通过优化脉冲激光沉积技术方法实现了二氧化钒纳米线的择优取向排列生长。通过选择激光器和靶材，选择衬底，溅射通过简单的温度、氧压和沉积时间得到长度不同的VO2(M)纳米线阵列。该方法工艺十分简单，对设备要求低，重现性好，可控程度高，无毒害，符合环境要求。本发明专利技术采用脉冲激光沉积技术，操作简单，不会产生有毒气氛，也不会对实验人员造成伤害。本发明专利技术可以得到择优取向排列的VO2(M)纳米线，为VO2(M)纳米线组装和集成奠定了基础。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】一种实现M相二氧化钒纳米线择优取向排列生长的制备方法
本专利技术涉及M相二氧化钒纳米线阵列的制备技术。
技术介绍
在众多金属-绝缘体相变材料中，M相二氧化钒的相变温度最接近室温(?68°C)。并且在相变前后，'^02(1)的结构由单斜(!110110(31；[11；[(3)转变为金红石(1'111:；[16)，电阻会有3-5个数量级的可逆突变，同时伴随有相变滞后现象。基于这一优异的可逆相变特性，VO2可以被开发并产生很多非常有前景的应用。因此VO2(M)也成为近几年研究最热的金属氧化物材料之一。另外，随着纳米技术的发展，研究人员发现由于小尺寸表面效应的影响，纳米材料表现出许多体材料所不具有的特殊的物理、化学和生物特性。其中，一维纳米材料，如纳米线、纳米棒、纳米带等，由于其独特的单一晶体结构，常常表现出非常独特的力学、电学、光学和磁学性质。利用一维纳米材料独有的这些特性，可以设计和制造各种性能优异和功能奇特的新型微电子器件。同时，更重要的是纳米线的研究和应用也非常符合电子器件微型化和智能化的发展趋势。2005年，Guiton等人用化学气相沉积技术第一次生长出了形貌结构优本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种M相二氧化钒纳米线阵列的制备方法，其特征在于包括如下步骤：（1）选择激光器和靶材：激光器选用248nm的KrF准分子激光器，靶材选用VO2(M)靶材；（2）清洗衬底：衬底选择石英晶体或蓝宝石晶体，先用丙酮超声清洗5‑10min，然后用去离子水超声清洗5‑10min，再用乙醇超声清洗5‑10min，最后用去离子水超声清洗5‑10min，之后用N2吹干并置于样品台上；（3）溅射：溅射时将腔体内的本底真空抽至1.0×10‑4Pa以上，样品台升温至750℃，升温速率20℃/min，然后通过气体流量计控制送入腔体内O2的含量，使腔体内的氧压控制在8Pa，衬底与靶材的间距控制在5cm；调节激光能量为3...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郑跃，王成迁，张坚发，熊伟明，邢未未，张惠艳，
申请(专利权)人：中山大学，
类型：发明
国别省市：广东;44