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本发明公开了一种实现M相二氧化钒纳米线择优取向排列生长的制备方法。本发明通过优化脉冲激光沉积技术方法实现了二氧化钒纳米线的择优取向排列生长。通过选择激光器和靶材，选择衬底，溅射通过简单的温度、氧压和沉积时间得到长度不同的VO2(M)纳米线阵...
该专利属于中山大学所有，仅供学习研究参考，未经过中山大学授权不得商用。

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