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本发明公开了一种水热法结合脉冲电沉积制备宽禁带ZnS纳米薄膜材料的方法。依次包括如下步骤：(1)ITO导电玻璃的准备和预处理；(2)脉冲电沉积在导电玻璃上制备ZnS纳米晶种；(3)水热法在沉积有ZnS纳米晶种导电玻璃上制备ZnS纳米薄膜材料...
该专利属于桂林理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过桂林理工大学授权不得商用。

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