一种准减压外延生长方法技术

本发明专利技术涉及一种准减压外延生长方法，在常压反应系统中，以惰性气体氩气为载气和填充气，以三氯氢硅和氢气为反应气体，来达到减压外延条件下反应系统所处的平衡状态。本发明专利技术通过在常压硅外延生长系统中，以惰性气体氩气为载气和填充气体，来达到减压外延条件下反应系统所处的平衡状态，从而达到减压外延的效果。通过此方法，克服了传统减压外延所需要的复杂的减压设备问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及硅外延生长
，特别是涉及。
技术介绍
硅外延是在表面平整的单晶硅片上通过化学气相反应沉积一定厚度的单晶硅层，化学反应是=SiH2CL2 — Si (沉积)+HCL。根据外延反应压力的不同可以分为常压式外延(反应腔体的压力控制在低于大气压l_20torr,主要用于普通的娃外延)；减压式外延(反应腔体的压力控制20-100torr ;主要用于埋层图形硅外延)。埋层外延是指在刻有图形的硅衬底片生长一层硅单晶(埋层衬底一般是通过离子注入和光刻制作而成)，其主要目的是提高器件的电学品质。图形漂移和图形畸变是衡量埋层外延质量好坏的两个重要参数。图形漂移指的是经外延生长后的图形相对于原衬底基底图形的在方位上的移动；图形畸变是指经外延生长后的图形相对原衬底基底图形的增大或缩小，变模糊或边缘变得不锐利。硅外延后的反应副产物HCL对埋层边缘的择优腐蚀是导致埋层外延图形畸变和图形漂移的重要因素。减压外延是改善图形漂移和图形畸变的重要方法；其通过减少反应过程副产物HCL的分压，来抑制HCL对埋层边缘的择优腐蚀。通常的减压外延体系的实现是通过在反应体系的排气端加上一个真空泵来实现的，但是本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王震，田达晰，张世波，梁兴勃，陈华，李慎重，
申请(专利权)人：浙江金瑞泓科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：