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本发明涉及一种准减压外延生长方法，在常压反应系统中，以惰性气体氩气为载气和填充气，以三氯氢硅和氢气为反应气体，来达到减压外延条件下反应系统所处的平衡状态。本发明通过在常压硅外延生长系统中，以惰性气体氩气为载气和填充气体，来达到减压外延条件下...
该专利属于浙江金瑞泓科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江金瑞泓科技股份有限公司授权不得商用。

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