悬空半导体薄膜结构及传感器单元的制造方法技术

本发明专利技术提供了一种悬空半导体薄膜结构及传感器单元的制造方法，通过对半导体基底的正面执行P型掺杂工艺，形成第一掺杂层，利用第一掺杂层对于腐蚀液，即对于背面腐蚀工艺具有自停止的阻挡作用，使得半导体薄膜结构(悬空基底)的厚度通过掺杂深度精确控制，从而可降低对于腐蚀时间精确控制的依赖，即降低了工艺难度，提高了工艺精确度。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张挺，薛维佳，
申请(专利权)人：上海先进半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：