一种生长纳米柱阵列的方法技术

技术编号：7576782 阅读：297 留言：0更新日期：2012-07-18 22:24

本发明专利技术属于材料制备领域。本发明专利技术提供一种生长纳米柱阵列的方法，包括步骤：1）在具有一斜切角度的蓝宝石片的裸露表面上生长一金属膜；2）对蓝宝石片表面生长的金属膜实施退火；3）将生长有金属膜的蓝宝石片置于氢化物气相外延生长系统的反应腔中，在金属膜的表面生长化合物半导体材料的纳米柱阵列。本发明专利技术的优点在于，提供了一种生长纳米柱阵列的方法，利用HVPE生长系统中原生的高温HCl气体对于不同金属的腐蚀作用，调控金属的催化作用，进而控制纳米柱阵列的形态。