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本发明属于材料制备领域。本发明提供一种生长纳米柱阵列的方法，包括步骤：1）在具有一斜切角度的蓝宝石片的裸露表面上生长一金属膜；2）对蓝宝石片表面生长的金属膜实施退火；3）将生长有金属膜的蓝宝石片置于氢化物气相外延生长系统的反应腔中，在金属膜...该专利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;苏州纳维科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;苏州纳维科技有限公司授权不得商用。