本发明专利技术的垂直磁记录介质，是在非磁性基板上至少依次层叠衬里层、基底层、中间层和垂直磁记录层而成的垂直磁记录介质，所述衬里层包含具有非晶结构的软磁性膜，所述基底层包含含有Co和Fe的任一者或两者的NiW合金，该NiW合金中的W的含量为3～10原子％，该NiW合金中的Co和Fe的含量的合计为5原子％以上且低于40原子％，该NiW合金的饱和磁通密度Bs为280emu/cm3以上，该基底层的厚度为2～20nm，所述中间层含有Ru或Ru合金。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于硬盘装置(HDD)等中的垂直磁记录介质和磁记录再生装置。本申请基于在2009年10月19日在日本提出的专利申请2009-240288号要求优先权，将其内容援引于本说明书中。
技术介绍
垂直磁记录方式是将以往朝向介质的面内方向的磁记录层的易磁化轴朝向介质的垂直方向的方式。由此，作为记录比特间的边界的磁化迁移区域附近的反磁场变小，因此记录密度越高则越静磁稳定，抗热摆性提高。因此，垂直磁记录方式是适合于面记录密度的提高的方式。垂直磁记录介质是在非磁性基板上依次层叠衬里层(软磁性层，softmagnetic layer)、基底层、中间层和垂直磁记录层而成。当在非磁性基板和垂直磁记录层之间设置了由软磁性材料构成的衬里层的情况下，垂直磁记录介质作为所谓的垂直双层介质发挥功能，可以获得高的记录能力。此时，软磁性衬里层起到使来自磁头的记录磁场回流的作用， 由此可以提高记录再生效率。另外，基底层是决定设置于其上的中间层和垂直磁记录层的粒径和取向的支配性要素。因此，在决定磁记录介质的记录再生特性时，基底层的材料的选定变得非常重要。因此，曾提出了被用于基底层的各种材料。例如，曾提出了 Ti合金(参照例如专利文献1)、 Nii^eCr合金(参照例如专利文献2)等。这些材料可以具有hep结构、fee结构、Ta等非晶结构等。另外，如果在衬里层和垂直磁记录层之间设置基底层，则磁头和衬里层的表面之间的距离相应于基底层的厚度变长。该情况下，为了进行充分的写入，产生增厚衬里层的需要。但是，通过在基底层中使用具有软磁特性的材料，能够控制衬里层的作用和设置于其上的中间层的晶体取向这两者。但是，以往提出的介质构成，在得到记录再生特性优异的垂直磁记录介质方面不充分，迫切希望解决该问题并且能够廉价地制造的垂直磁记录介质。因此，本申请人曾提出了将构成衬里层的软磁性膜设为非晶结构，在基底层中使用NiW合金、在中间层中使用Ru合金的垂直磁记录介质(参照专利文献3)。现有技术文献专利文献1 日本专利第沈69529号公报专利文献2 日本特开2003-123239号公报专利文献3 日本特开2007-179598号公报
技术实现思路
但是，基底层是具有控制形成于其上的Ru中间层的核产生的作用的重要的层，需要具有IOnm左右的厚度。但是，由于基底层在软磁性衬里层和垂直磁记录层之间，因此如果增厚该基底层，则磁头和软磁性衬里层的磁耦合性变低，重写(OW)特性降低。例如，在基底层中使用了 94Ni6W合金的情况下，该94Ni6W合金的饱和磁通密度 (Bs)只有250emU/Cm3左右，该程度的饱和磁通密度对提高磁头和软磁性衬里层的磁耦合性是不充分的。另外，虽然通过减少NiW合金中的W的含量，可以提高该NiW合金的Ms，但是其变化量小。并且，由此控制Ru中间层的核产生的作用也降低。本专利技术是鉴于这样的现有状况提出的，其目的是提供一种能够提高基底层的Ms， 并且通过维持控制中间层的核产生的效果来得到优异的OW特性的垂直磁记录介质以及具备这样的垂直磁记录介质的磁记录再生装置。本专利技术提供以下的手段。(1) 一种垂直磁记录介质，是在非磁性基板上至少依次层叠衬里层、基底层、中间层和垂直磁记录层而成的垂直磁记录介质，其中，上述衬里层包含具有非晶结构的软磁性膜，上述基底层包含含有Co和！^的任一者或两者的NiW合金，该NiW合金中的W的含量为3 10原子％，该NiW合金中的Co和狗的含量的合计为5原子％以上且低于40原子％，该NiW合金的饱和磁通密度Bs为^Oemu/cm3以上，该基底层的厚度为2 20nm，上述中间层含有Ru或Ru合金。(2)根据前项(1)所述的垂直磁记录介质，其中，上述软磁性膜含有( 合金。(3)根据前项(1)或(2)所述的垂直磁记录介质，其中，上述( 合金中的！^的含量为5 60原子％。(4) 一种磁记录再生装置，具备前项(1) ( 的任一项所述的垂直磁记录介质和对上述垂直磁记录介质进行信息的写入的单磁极磁头。如以上那样，在本专利技术中，通过在构成基底层的NiW合金中添加狗和/或Co，能够将该NiW合金的饱和磁通密度Bs提高到^Oemu/cm3以上。并且，也能够维持控制形成于其上的包含Ru或Ru合金的中间层的核产生的效果。因此，根据本专利技术，能够提供一种具有优异的OW特性的垂直磁记录介质以及具备这样的垂直磁记录介质的磁记录再生装置。附图说明图1是表示应用了本专利技术的垂直磁记录介质的一例的截面图。图2是表示衬里层的在基板面内成分中的HS磁滞回线的特性图，在该特性图的曲线中，纵轴表示衬里层的磁化量，横轴表示施加磁场。图3表示应用了本专利技术的磁记录再生装置的一例的立体图。具体实施例方式以下，对于应用了本专利技术的垂直磁记录介质和磁记录再生装置，参照附图详细地说明。再者，为易于明白其特征，在以下的说明中使用的附图有时为方便起见将成为特征的部分放大表示，各构成要素的尺寸比率等未必与实际相同。(垂直磁记录介质)应用了本专利技术的垂直磁记录介质，例如图1所示，成为下述构成在非磁性基板1 的两面依次层叠衬里层2、基底层3、中间层4、垂直磁记录层5和保护层6而成，并且在最上层形成有润滑膜7。再者，在图1中，仅图示了非磁性基板1的单面。其中，作为非磁性基板1，可以使用例如由铝、铝合金等的金属材料构成的金属基板，也可以使用由玻璃、陶瓷、硅、碳化硅、碳等的非金属材料构成的非金属基板。另外，作为玻璃基板，可以使用例如非晶玻璃和结晶化玻璃(微晶玻璃)，此外，作为非晶玻璃，可以使用通用的碱石灰玻璃(钠钙玻璃)、铝硅酸盐玻璃等。另外，作为结晶化玻璃，可以使用锂系结晶化玻璃等。非磁性基板1的平均表面粗糙度Ra为0. Snm以下，从提高记录密度的观点来看， 优选为0. 5nm以下。另外，非磁性基板1表面的微小起伏(微小波紋，tiny undulation Wa)为0. 3nm以下，从使磁头较低地浮起进行高记录密度记录的观点来看，优选为0. 25nm以下。这样，通过将非磁性基板1的表面平坦化，能够提高中间层4和垂直磁记录层5的晶体取向，使记录再生特性上升，并且使磁头低浮起。衬里层2具有依次层叠了第1软磁性膜8、Ru膜9、第2软磁性膜10的结构。艮ロ， 该衬里层2具有通过在两层的软磁性膜8、10之间夹入Ru膜9从而使Ru膜9的上下的软磁性膜8、10反铁磁性耦合(Anti FerroCoupling ；AFC)的结构。由此，可以提高对于来自外部的磁场的抗性、以及对于作为垂直磁记录介质特有的问题的WATE (宽面积道擦除，Wi deArea Tack Erasure)现象的抗性。第1和第2软磁性膜8、10，包含例如( 合金。通过在这些软磁性膜8、10中使用( 合金，可以实现高的饱和磁通密度Bs (1. 4 (T)以上)，另外，通过在后述的基底层3 中使用NiW合金，可以得到更加优异的记录再生特性。再者，在形成第1和第2软磁性膜8、 10时，优选在对非磁性基板1的径向赋予磁场的状态下，采用溅射法形成( 合金膜。另外，优选在( 合金中添加Zr、Ta、Nb中的任ー种。由此，可以促进Coi^e合金的非晶化，使NiW合金的取向性提高。另タト，Zr、Ta、Nb相对于( 合金的添加量优选为 5 1本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：田中贵士，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：发明
国别省市：
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