一种复合结构的有机薄膜晶体管，涉及一种电子元器，适用于显示器、传感器和无线射频识别标签等技术领域。提高解决了有机薄膜晶体管的性能。该有机薄膜晶体管包括：基底(101)、底栅电极(102)、底栅绝缘层(103)、源电极(104)、漏电极(105)、有机半导体层(106)；在基底(101)上依次为底栅电极(102)、底栅绝缘层(103)、源电极(104)、漏电极(105)、有机半导体层(106)或基底(101)采用重掺杂N++硅片，兼作底栅电极(102)；在所述的有机半导体层(106)上制作顶栅绝缘层(107)、顶栅电极(108)。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电子元器，适用于显示器、传感器和无线射频识别标签等
技术介绍
薄膜晶体管(TFT)与传统半导体MOS元件相类似。都是具有三个端子(栅极、源极和漏极)的元件，都由栅压控制源漏电流来实现电路功能的。薄膜晶体管主要用于平板显示器件中像素单元的开关元件。以往TFT的有源层是使用非晶或多晶硅制作的。使用硅的 TFT，在制作中要应用CVD装置，价格非常昂贵，因而使其制造成本大幅度增加。另外，非晶或多晶硅成膜的工艺是在非常高的温度下进行，这使得可作为基底材料的种类受限，特别是不能使用轻质树脂作基底。鉴于上述问题，人们开始考虑用有机半导体材料来代替非晶或多晶硅作为有源层，而制备出有机薄膜晶体管(OTFT)。由于有机半导体材料通常可通过真空蒸镀、涂布等方法成膜，并且成膜温度较低，这就不但使制造OTFT的成本大大降低，而且可以将其制作在柔性基底上。然而，目前制备出的有机薄膜晶体管存在着迁移率低，栅控电压较高，栅控源漏电流较小等问题。为了解决这些问题，人们主要从三个方面入手1.选用高载流子迁移率的有机物质作有源层，2.对电极和薄膜层进行修饰处理来降低载流子注入势垒及改善薄膜形貌，使其有利于载流子的传输。3.革新有机薄膜晶体管的结构，使其有利于栅压的控制。而从有机薄膜晶体管的结构上来看，目前仍然主要采用頂栅底接触、顶栅顶接触、底栅底接触和底栅顶接触四种结构。其中单结构底栅底接触有机薄膜晶体管包括基底、栅电极、栅绝缘层、源电极、漏电极、有机半导体层；在基底上依次为栅电极、栅绝缘层、源、漏电极、有机半导体层。这种结构由于有机半导体材料迁移率低，源漏电极与有机半导体层接触电阻大，造成控制栅压高，栅控源漏电流小，因而性能差。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是改善有机薄膜晶体管的性能。提出一种复合结构的有机薄膜晶体管本专利技术解决其技术问题的技术方案是一种复合结构的有机薄膜晶体管，该晶体管包括基底、底栅电极、底栅绝缘层、源电极、漏电极、有机半导体层；在基底上依次为底栅电极、底栅绝缘层、源电极、漏电极、有机半导体层，若基底采用重掺杂N++硅片，兼作底栅电极；在所述的有机半导体层上制作顶栅绝缘层、顶栅电极。所述的頂栅绝缘层是通过旋涂方法制成300nm厚薄膜，所用材料包括: poly-vinyl-pyrrolidone 或 poly-methly-methacrylate,其结构式如下权利要求1.一种复合结构的有机薄膜晶体管，该晶体管包括基底(101)、底栅电极(102)、底栅绝缘层(103)、源电极(104)、漏电极(105)、有机半导体层(106);在基底(101)上依次为底栅电极(102)、底栅绝缘层(103)、源电极(104)、漏电极(105)、有机半导体层(106)，若基底 (101)采用重掺杂N++硅片，兼作底栅电极(102);其特征是在所述的有机半导体层(106)上制作顶栅绝缘层(107)、顶栅电极(108)。2.根据权利要求I所述的复合结构的有机薄膜晶体管，其特征在于所述的頂栅绝缘层(107)是通过旋涂方法制成300nm厚薄膜，所用材料包括 poly-vinyl-pyrrolidone 或 poly-methly—methacrylate，其结构式如下3.根据权利要求I所述的复合结构的有机薄膜晶体管，其特征在于所述的頂栅电极(108)的材料为AI、Au、Cu、C、氧化铟锡导电薄膜或氧化锌锡导电薄膜全文摘要一种复合结构的有机薄膜晶体管，涉及一种电子元器，适用于显示器、传感器和无线射频识别标签等
提高解决了有机薄膜晶体管的性能。该有机薄膜晶体管包括基底(101)、底栅电极(102)、底栅绝缘层(103)、源电极(104)、漏电极(105)、有机半导体层(106)；在基底(101)上依次为底栅电极(102)、底栅绝缘层(103)、源电极(104)、漏电极(105)、有机半导体层(106)或基底(101)采用重掺杂N++硅片，兼作底栅电极(102)；在所述的有机半导体层(106)上制作顶栅绝缘层(107)、顶栅电极(108)。文档编号H01L51/10GK102544369SQ20111044780公开日2012年7月4日 申请日期2011年12月28日 优先权日2011年12月28日专利技术者尹飞飞, 徐征, 赵谡玲, 陈跃宁 申请人:北京交通大学本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈跃宁，徐征，赵谡玲，尹飞飞，
申请(专利权)人：北京交通大学，
类型：发明
国别省市：
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