本发明专利技术公开了一种低温多晶硅显示装置及其制作方法，包括：在基板之上方形成金属屏蔽层；在金属屏蔽层之上方形成与金属屏蔽层绝缘的多晶硅层；在多晶硅层之上方分别形成相互绝缘的公共电极层和像素电极层，并且使所述像素电极层与多晶硅层电连接，使公共电极层与金属屏蔽层电连接。通过上述方式，本发明专利技术能够降低公共电极层的阻值，减少因为公共电极层的电阻值过大引起的延迟效应，减少一次掩膜板的使用，减少完成一次工艺流程的时间，降低成本，提高产能。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示
，特別是涉及ー种低温多晶硅显示装置及其制作方法。
技术介绍
低温多晶技术已经广泛应用到液晶显示器和/或有机发光二极管领域，同时结合平面转换 Gn-Plane Switching, IPS)或边缘场切換(Fringe Field Switching, FFS)技木，可以达到更佳的显示特性，更好地满足消费者的需求。如图1所示，现有技术中，低温多晶硅显示装置包括基板10、金属屏蔽层11、多晶硅层12、公共电极13以及金属层14。金属屏蔽层11、多晶硅层12、公共电极13和及金属层14依次形成在基板10之上方，其中多晶硅层12中的一部分作为薄膜晶体管的沟道15。 形成金属屏蔽层11的目的是为了减少光照引起的漏电流，保护薄膜晶体管的沟道15。金属层14沉积形成在公共电极13之上方，并且与公共电极13并联，其作用是降低公共电极13 的阻值，减少公共电极13的电阻值过大所引起的延迟效应。在现有的エ艺流程中，至少需要使用12次掩模板(Mask)才能完成包括上述制程在内的整个エ艺流程。这样的エ艺流程成本高，完成一次エ艺流程的时间也很长，严重影响产能。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供ー种低温多晶硅显示装置及其制作方法，能够降低公共电极层的阻值，减少因为公共电极层的电阻值过大引起的延迟效应，减少一次掩膜板的使用，减少完成一次エ艺流程的时间，降低成本，提高产能。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是提供ー种低温多晶硅显示装置的制作方法，包括在基板之上方形成金属屏蔽层；在金属屏蔽层之上方形成与金属屏蔽层绝缘的多晶硅层；在多晶硅层之上方分別形成相互绝缘的公共电极层和像素电极层，并且使像素电极层与多晶硅层电连接，使公共电极层与金属屏蔽层电连接。其中，在基板之上方形成金属屏蔽层的步骤包括在基板之上方形成金属屏蔽层， 并使金属屏蔽层延伸至对应公共电极层的下方。其中，在多晶硅层之上方分別形成相互绝缘的公共电极层和像素电极层、并且使像素电极层与多晶硅层电连接、使公共电极层与金属屏蔽层电连接的步骤包括在多晶硅层之上方依序形成三层绝缘层，并且在对应多晶硅层与像素电极层电连接的位置形成贯穿三层绝缘层的第一导电通路，在对应金属屏蔽层与公共电极层电连接的位置形成贯穿三层绝缘层的第二导电通路；在三层绝缘层之上方分別形成相互绝缘的公共电极层和像素电极层，并且使像素电极层与多晶硅层通过第一导电通路电连接，使公共电极层与金属屏蔽层通过第二导电通路电连接。其中，在多晶硅层之上方依序形成三层绝缘层、并且在对应多晶硅层与像素电极层电连接的位置形成贯穿三层绝缘层的第一导电通路、在对应金属屏蔽层与公共电极层电连接的位置形成贯穿三层绝缘层的第二导电通路的步骤包括在多晶硅层之上方依序形成三层绝缘层中的两层绝缘层；在两层绝缘层中对应多晶硅层与像素电极层电连接的位置形成第一贯穿孔；在第一贯穿孔中填满第一导电材料；在填满第一导电材料后，在两层绝缘层之上方再形成三层绝缘层中剩下的ー层绝缘层；在三层绝缘层中剩下的一层绝缘层中对应多晶硅层与像素电极层电连接的位置形成第二贯穿孔，并且在对应金属屏蔽层与公共电极层电连接的位置形成贯穿三层绝缘层的第三贯穿孔；在第二贯穿孔中填满第二导电材料，第一导电材料和第二导电材料连接，形成第一导电通路，在第三贯穿孔中填满第三导电材料，形成第二导电通路。为解决上述技术问题，本专利技术采用的另ー个技术方案是提供ー种低温多晶硅显示装置，包括基板、在基板之上方设置的金属屏蔽层、在金属屏蔽层之上方设置的与金属屏蔽层绝缘的多晶硅层以及在多晶硅层之上方分别设置的相互绝缘的公共电极层和像素电极层；其中，像素电极层与多晶硅层电连接，公共电极层与金属屏蔽层电连接。其中，金属屏蔽层延伸至对应公共电极层的下方，以使得电连接至公共电极层。其中，低温多晶硅显示装置包括依序设置于多晶硅层之上方的三层绝缘层，并且在对应多晶硅层与像素电极层电连接的位置设有贯穿三层绝缘层的第一导电通路，在对应金属屏蔽层与公共电极层电连接的位置设有贯穿三层绝缘层的第二导电通路；像素电极层与多晶硅层通过第一导电通路电连接，公共电极层与金属屏蔽层通过第二导电通路电连接。其中，低温多晶硅显示装置是液晶显示装置。其中，液晶显示装置是平面转换IPS或边缘场切換FFS液晶显示装置。其中，低温多晶硅显示装置是有机发光二极管显示装置。本专利技术的有益效果是区别于现有技术的情況，本专利技术通过将公共电极层与原有的金属屏蔽层电连接，无需专门沉积与公共电极层并联以降低公共电极层电阻的金属层， 即能够降低公共电极层的阻值，减少因为公共电极层的电阻值过大引起的延迟效应，减少一次掩膜板的使用，减少完成一次エ艺流程的时间，降低成本，提高产能。附图说明图1是现有技术低温多晶硅显示装置实施例中薄膜晶体管基板的部分截面示意图；图2是本专利技术低温多晶硅显示装置实施例中薄膜晶体管基板的部分截面示意图；图3是本专利技术低温多晶硅显示装置制作方法实施例的流程图。具体实施例方式下面，对本专利技术低温多晶硅显示装置实施例进行具体描述，以更清楚公开本专利技术的细节和精神。如图2所示，图2是本专利技术低温多晶硅显示装置实施例中薄膜晶体管基板的部分截面示意图。本专利技术低温多晶硅显示装置包括基板110、金属屏蔽层100、多晶硅层101、栅极金属层102、源极金属层103、漏极金属层104、公共电极层105以及像素电极层106。金属屏蔽层100设置在基板110之上方，以减少光照引起的漏电流。金属屏蔽层100之上方设置有与金属屏蔽层100相互绝缘的多晶硅层101。栅极金属层102设置在多晶硅层101之上方，并通过第一绝缘层107与多晶硅层101绝缘。源极金属层103和漏极金属层104设置于同一金属层，并且均设置在栅极金属层102之上方， 并通过第二绝缘层108与栅极金属层102绝缘。公共电极层105设置在源极金属层103之上方，并且通过第三绝缘层109与源极金属层103绝缘。公共电极层105可以为透明导电薄膜ΙΤ0，也可以为其他透明的导电材料比如透明的金属。其中，金属屏蔽层100延伸至对应公共电极层105的下方，以使得金属屏蔽层100电连接至公共电极层105。多晶硅层101作为薄膜晶体管的导电通道，分別与源极金属层103和漏极金属层 104连接。栅极金属层102、源极金属层103和漏极金属层104公共构成薄膜晶体管或者有机发光二极管。通过薄膜晶体管控制像素电极层106是否产生电场、如何产生电场以实现显示的目的。或者在另外的实施例中，通过控制有机发光二极管是否发光、如何发光以实现显示的目的。像素电极层106设置在公共电极层105之上方，并且与公共电极层105绝缘。公共电极层105之上方可以设置金属层，以此来进ー步降低公共电极层105的电阻。当然，公共电极层105之上方也可以不设置金属层。像素电极层106形成于低温多晶硅显示装置的显示区域内。像素电极层106的材料为透明导电薄膜ΙΤ0。在多晶硅层101上方的第一绝缘层107和第二绝缘层108形成有第一贯穿孔111。 第一贯穿孔111穿透第一绝缘层107和第二绝缘层108，并且填满与源极金属层103相同的导电材料。源极金属层103通过第一贯穿孔111与多晶硅层101电连接。在源极金属层103上方本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周秀峰，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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