本发明专利技术提供了一种P型金属氧化物半导体管的制作方法，该方法包括：在半导体衬底上依次形成栅氧化层和多晶硅栅极；在所述多晶硅栅极的两侧形成侧壁层；以多晶硅栅极和侧壁层为掩膜对半导体衬底进行硼离子注入，形成源漏极；采用等离子增强化学沉积方法形成氧化硅层，所述氧化硅层覆盖半导体衬底、侧壁层以及多晶硅栅极；对所述氧化硅层进行紫外光固化；进行源漏极退火处理。该方法有效避免了PMOS管的源漏极退火时，氧化硅层中氢元素造成的源漏极中硼元素的迁移。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件制造技术，特别涉及一种。
技术介绍
在半导体器件的制造工艺中，P型金属氧化物半导体(PMOS)管、NMOS管、 或者由PMOS管和NMOS管共同构成的互补型金属氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor, CMOS)管成为构成芯片的基本器件。现有技术中PMOS管的制作方法，包括以下步骤步骤11、在半导体衬底100上依次形成栅氧化层101和多晶硅栅极102 ；具体地，在半导体衬底100上依次生长栅氧化层和沉积多晶硅层，然后对多晶硅层和栅氧化层进行刻蚀，形成栅氧化层101和多晶硅栅极102。步骤12、在所述多晶硅栅极102的两侧形成侧壁层103 ；步骤13、以多晶硅栅极102和侧壁层103为掩膜对半导体衬底100进行硼离子注入，形成源漏极104;其中，由于PMOS管用空穴作为多数载流子，所以PMOS管的源极和漏极为P型，注入的离子为硼。步骤14、采用等离子增强化学沉积(PECVD)方法形成氧化硅层105，所述氧化硅层 105覆盖半导体衬底100、侧壁层103以及多晶硅栅极102 ；在PECVD方法中，一般采用硅烷(SiH4)和氧化二氮(N2O)的混合气体生成氧化硅， 进行反应的化学方程式为 SiH4+N20 — Si0x+N2+H2+H20。其中，形成的氧化硅层105用于在源漏极高温退火处理时，保护半导体衬底表面不受损伤。步骤15、进行源漏极104的退火处理。根据上述描述，图1为现有技术形成PMOS管的结构示意图。需要说明的是，在形成的氧化硅层中含有大量的氢元素，能够以Si-Η、Si-0-Η, H-O-H的形式存在于氧化硅层中，该元素在源漏极退火时，严重影响源漏极中硼元素的掺杂量，使得硼元素从源漏极中迁移到氧化硅层中，因此，由于源漏极中硼含量的减少，在后续晶圆允收测试(WAT)中，测定的PMOS管的电阻值就会不符合规格。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术解决的技术问题是如何避免PMOS管的源漏极退火时，氧化硅层中氢元素造成的源漏极中硼元素的迁移。为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案具体是这样实现的本专利技术公开了一种，该方法包括在半导体衬底上依次形成栅氧化层和多晶硅栅极；在所述多晶硅栅极的两侧形成侧壁层；以多晶硅栅极和侧壁层为掩膜对半导体衬底进行硼离子注入，形成源漏极；采用等离子增强化学沉积方法形成氧化硅层，所述氧化硅层覆盖半导体衬底、侧壁层以及多晶硅栅极；对所述氧化硅层进行紫外光固化；进行源漏极退火处理。所述紫外光固化时的紫外光波长200 400纳米。所述紫外光固化时的固化时间为2 4分钟。由上述的技术方案可见，本专利技术在采用等离子增强化学沉积方法形成氧化硅层后，进行紫外光固化(UV cure)，通过该步骤可以将氧化硅层中的氢元素去除，从而有效阻止源漏极退火时，源漏极中硼含量的减少，大大提高WAT测试的通过率。附图说明图1为现有技术形成PMOS管的结构示意图。图2为本专利技术PMOS管制作方法的流程示意图。具体实施例方式为使本专利技术的目的、技术方案、及优点更加清楚明白，以下参照附图并举实施例， 对本专利技术进一步详细说明。本专利技术利用示意图进行了详细描述，在详述本专利技术实施例时，为了便于说明，表示结构的示意图会不依一般比例作局部放大，不应以此作为对本专利技术的限定，此外，在实际的制作中，应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。本专利技术PMOS管的制作方法的流程示意图如图2所示，其包括以下步骤步骤21、在半导体衬底100上依次形成栅氧化层101和多晶硅栅极102 ；具体地，在半导体衬底100上依次生长栅氧化层和沉积多晶硅层，然后对多晶硅层和栅氧化层进行刻蚀，形成栅氧化层101和多晶硅栅极102。步骤22、在所述多晶硅栅极102的两侧形成侧壁层103 ；步骤23、以多晶硅栅极102和侧壁层103为掩膜对半导体衬底100进行硼离子注入，形成源漏极104;其中，由于PMOS管用空穴作为多数载流子，所以PMOS管的源极和漏极为P型，注入的离子为硼。步骤M、采用PECVD方法形成氧化硅层105，所述氧化硅层105覆盖半导体衬底 100、侧壁层103以及多晶硅栅极102 ；在PECVD方法中，一般采用硅烷(SiH4)和氧化二氮(N2O)的混合气体生成氧化硅， 进行反应的化学方程式为SiH4+N20 — Si0x+N2+H2+H20。其中，形成的氧化硅层105用于在源漏极高温退火处理时，保护半导体衬底表面不受损伤。步骤25、对所述氧化硅层105进行紫外光固化；该步骤是本专利技术的关键，一般地，在化学沉积设备中都设置有紫外光照射装置，而且本专利技术所发出的紫外光也不限于化学沉积设备，只要紫外光固化所采用的紫外光波长范围达到200 400纳米，固化时间为2 4分钟，即可。通过上述紫外光固化过程，可以将氧化硅层105中的氢元素有效去除。根据现有技术可知，氢元素的存在是对PMOS管不利的，使得源漏极退火时，硼元素从源漏极中迁移到氧化硅层中，严重影响WAT测试中所测定的PMOS管的电阻值。通过本专利技术的紫外光照射， 有效阻止源漏极中硼含量的减少，大大提高WAT测试的通过率。步骤沈、进行源漏极104的退火处理。需要说明的是，只有当PMOS管的源漏极注入采用硼元素时，氧化硅层105中存在的氢元素才可能造成源漏极退火时，硼元素的迁移，也就是说当PMOS管的源漏极注入采用其他元素时，并不会存在问题。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例而已，并不用以限制本专利技术，凡在本专利技术的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术保护的范围之内。权利要求1.一种，该方法包括 在半导体衬底上依次形成栅氧化层和多晶硅栅极；在所述多晶硅栅极的两侧形成侧壁层；以多晶硅栅极和侧壁层为掩膜对半导体衬底进行硼离子注入，形成源漏极； 采用等离子增强化学沉积方法形成氧化硅层，所述氧化硅层覆盖半导体衬底、侧壁层以及多晶硅栅极；对所述氧化硅层进行紫外光固化； 进行源漏极退火处理。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述紫外光固化时的紫外光波长200 400 纳米。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述紫外光固化时的固化时间为2 4分全文摘要本专利技术提供了一种，该方法包括在半导体衬底上依次形成栅氧化层和多晶硅栅极；在所述多晶硅栅极的两侧形成侧壁层；以多晶硅栅极和侧壁层为掩膜对半导体衬底进行硼离子注入，形成源漏极；采用等离子增强化学沉积方法形成氧化硅层，所述氧化硅层覆盖半导体衬底、侧壁层以及多晶硅栅极；对所述氧化硅层进行紫外光固化；进行源漏极退火处理。该方法有效避免了PMOS管的源漏极退火时，氧化硅层中氢元素造成的源漏极中硼元素的迁移。文档编号H01L21/336GK102543741SQ20101060310公开日2012年7月4日 申请日期2010年12月23日 优先权日2010年12月23日专利技术者张子莹 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张子莹，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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