紫外传感增强膜变频效率的测试方法技术

一种紫外传感增强膜变频效率的测试方法，A)变频效率定义为薄膜表面发生波长转换的紫外光子数与入射到薄膜的紫外光子数之比：B)计算薄膜表面入射紫外修正光子数C)计算出立体角修正数SA＝2πr(1-cosθ)；D)计算出样品表面发生波长转换的紫外光子E)将Photonsemitted和Photonsincident代入公式(1)求得变频效率CE。本发明专利技术通过采用直接对功率进行测量的方式，省去了光电转换这一环节，有效的克服现有技术对紫外增强膜变频效率测试方法测量精度不高的弊端，本发明专利技术技术方案基于对准确性、操作性、稳定性等方面进行综合性技术考虑，所采用的测试方法，不仅大大减小了误差，有效提高了测量的准确性，而且操作方便，稳定性强。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
变频效率是衡量很多器件的重要参数，变频效率或称变频效率QE(QUantUm Efficiency)，传统的对变频效率的测试方法，采用对每一个入射的光子所能产生和收集的电子数来计算，需要把经过反射损失而不能透射到硅片的光子、光电转化、电子和光子的传输效率的变化、转化电流的效率等考虑进去。例如由电子科技集团44研究所提供的 512X512面阵CXD中电荷信号由AOpin输出。CXD收集的电子注入到电荷放大器，经该放大器读出由光子产生的电流，输出电压引脚AOpin应当连接上-18V的电源以导走电流放大器的输入门电路的电流。因此，通过测量流过输出引脚AOpin的电流就可以计算出CCD由于光照收集到的电子数目。在输出引脚AOpin和-18V之间接入IM欧的导通电阻，输出电压经该电阻后产生衰减，测量流经该电阻的电流或者电压即可计算量子效率QE，为了方便计算，CCD设置为TDI模式，即CCD产生的电荷包通过恒定的传输频率从一个线阵列转移到下一个线阵列。同时，不能让C⑶传感器进入到饱和状态，因为进入到饱和状态产生的电荷包中就有电荷丢失，因为难以，从而使计算不准确。
技术实现思路
本专利技术公开了一种，通过采用直接对功率进行测量的方式，省去了光电转换这一环节，可以有效克服现有技术对紫外增强膜变频效率测试方法测量精度不高的弊端，本专利技术技术方案基于对准确性、操作性、稳定性等方面进行综合性技术考虑，所采用的测试方法，不仅大大减小了误差，有效提高了测量的准确性，而且操作方便，稳定性强。一种其特点是A)变频效率是反映荧光粉或荧光粉薄膜发光效率的一个物理量，在对紫外变频方面而言变频效率定义为薄膜表面发生波长转换的紫外光子数与入射到薄膜的紫外光子数之比，也可以定义为光能量或光功率之比，此处定义为紫外光子数之比CE=ph0t0m^(OPhotonsmadentCE表示为变频效率，Photonsefflitted表示入射到薄膜表面的紫外光子数， Photonsincident表示薄膜表面发射出的可见光子数；ρ x ；B)由公式=、 F(2)计算出薄膜表面入射紫外he修正光子数Photonsincddent，其中Pin为光功率计示数，λ皿为紫外光波长，h为普朗克常量， c为光速；C)但是对于出射光子数，由于受激发射的光子具有各向同性特性，即发射光并不循着入射光的方向，而只是部分地进入光功率计，所以在计算薄膜表面发射出的可见光子数时，需要考虑未被光功率计测量到的那部分光子数，有很多未探测到的光子，故引入立体角修正因子 correction ，_o]权利要求1. 一种，其特征在于A)首先计算变频效率CE变频效率是反映荧光粉或荧光粉薄膜发光效率的一个物理量，定义为薄膜表面发生波长转换的紫外光子数与入射到薄膜的紫外光子数之比 CE _全文摘要一种，A)变频效率定义为薄膜表面发生波长转换的紫外光子数与入射到薄膜的紫外光子数之比B)计算薄膜表面入射紫外修正光子数C)计算出立体角修正数SA＝2πr(1-cosθ)；D)计算出样品表面发生波长转换的紫外光子E)将Photonsemitted和Photonsincident代入公式(1)求得变频效率CE。本专利技术通过采用直接对功率进行测量的方式，省去了光电转换这一环节，有效的克服现有技术对紫外增强膜变频效率测试方法测量精度不高的弊端，本专利技术技术方案基于对准确性、操作性、稳定性等方面进行综合性技术考虑，所采用的测试方法，不仅大大减小了误差，有效提高了测量的准确性，而且操作方便，稳定性强。文档编号G01M11/02GK102507144SQ20111029796公开日2012年6月20日 申请日期2011年9月30日 优先权日2011年9月30日专利技术者倪争技, 姜霖, 庄松林, 张大伟, 陶春先, 黄元申 申请人:上海理工大学本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陶春先，姜霖，张大伟，黄元申，倪争技，庄松林，
申请(专利权)人：上海理工大学，
类型：发明
国别省市：